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        RLC二階電路暫態(tài)過程的M ultisim仿真

        2011-06-09 10:14:48祁國權(quán)
        電子設(shè)計工程 2011年24期
        關(guān)鍵詞:信號

        祁國權(quán)

        (渤海大學(xué) 數(shù)理學(xué)院物理系,遼寧 錦州 121000)

        RLC二階電路暫態(tài)過程是當電源接通或斷開的瞬間,電路中的電流或電壓非穩(wěn)定的變化過程,有過阻尼、臨界阻尼、欠阻尼等幾種情況[1-2]。

        用Multisim仿真軟件[3-8]進行RLC二階電路暫態(tài)過程工作過程波形仿真分析,以虛擬儀器中的函數(shù)信號發(fā)生器做實驗中的信號源產(chǎn)生所需的方波信號模擬電源接通或斷開,以示波器顯示輸入信號、輸出信號波形,可直觀描述電路的暫態(tài)過程工作過程。

        以下分析用Multisim10版本。

        1 仿真原理

        1.1 仿真電路的創(chuàng)建及求解響應(yīng)的微分方程

        在Multisim10中創(chuàng)建的RLC二階電路暫態(tài)過程仿真電路如圖1所示。其中函數(shù)信號發(fā)生器XFG1用作信號源產(chǎn)生方波信號,從其面板圖的“+”、“Common”端輸出正極性信號,方波信號的占空比為50%。方波信號幅度為U的半周測試電路的零狀態(tài)響應(yīng)(對應(yīng)RLC電路的充電過程)、方波信號幅度為0的半周測試電路的零輸入響應(yīng)(對應(yīng)RLC電路的放電過程),設(shè)置幅度U=2 V。示波器XSC1用于顯示信號源產(chǎn)生的方波信號及電容兩端電壓uC(t)的波形。

        RLC二階電路由電阻R、電感L及電容C串聯(lián)構(gòu)成,元件參數(shù)的選取為電感L=10 mH、電容C=10 nF,電阻R跟據(jù)過阻尼、欠阻尼及臨界阻尼條件確定。

        圖1 RLC二階仿真實驗電路創(chuàng)建Fig.1 The creation of RLC second order simulation experimental circuit

        選取電容兩端電壓uC(t)為響應(yīng)變量,則可建立如下求解零狀態(tài)響應(yīng)及零輸入響應(yīng)的微分方程[1-2]:

        方程(1)、(2)的解,在欠阻尼、臨界阻尼及過阻尼 3種情況下是不同的。

        1.2 欠阻尼情況分析及Multisim仿真

        電路參數(shù)滿足式(3)為欠阻尼的情況[1-2]。

        式(1)微分方程的零狀態(tài)響應(yīng)為:

        式(2)微分方程的零輸入響應(yīng)為:

        其中時間常量

        式(4)、(5)表明,uc(t)響應(yīng)為振幅衰減的正弦振蕩過程。

        振蕩角頻率為:

        若在方波輸入信號的一個周期內(nèi)能觀測uC(t)欠阻尼情況的零狀態(tài)及零輸入響應(yīng)波形,方波信號的周期T應(yīng)滿足式(8):

        依式(3)、(8),選取電阻 R=200 Ω、方波信號周期 T=1 μs(f=1 000 Hz)時Multisim仿真波形如圖2所示,其中由上至下依次是輸入方波信號、uC(t)的波形,仿真結(jié)果反映了式(4)、(5)的變化規(guī)律。

        圖2 欠阻尼情況的Multisim仿真波形Fig.2 Multisim simulation waveforms under the underdamped case

        1.3 臨界阻尼情況分析及Multisim仿真

        電路參數(shù)滿足式(9)為臨界阻尼的情況[1-2]。

        式(1)微分方程的零狀態(tài)響應(yīng)為:

        式(2)微分方程的零輸入響應(yīng)為:

        時間常量τ的表達形式同式(6)。

        式(10)、(11)表明,uc(t)響應(yīng)為欠阻尼振蕩剛剛不出現(xiàn)振蕩的狀態(tài)。

        若在方波輸入信號的一個周期內(nèi)能觀測uC(t)臨界阻尼情況的零狀態(tài)及零輸入響應(yīng)波形,方波信號的周期T應(yīng)滿足式(12):

        依式(9)、(12),選取電阻 R=2 kΩ、方波信號周期T=200 μS(f=5 000 Hz)時 Multisim 仿真波形如圖 3所示,其中由上至下依次是輸入方波信號、uC(t)的波形,仿真結(jié)果反映了式(10)、(11)的變化規(guī)律。

        圖3 臨界阻尼情況的Multisim仿真波形Fig.3 Multisim simulation waveforms under the critically damped case

        1.4 過阻尼情況分析及M ultisim仿真

        電路參數(shù)滿足式(13)為過阻尼的情況[1-2]。

        式(1)微分方程的零狀態(tài)響應(yīng)為:

        式(2)微分方程的零輸入響應(yīng)為:

        時間常量的表達形式同式(6)。

        式(14)、(15)表明,uc(t)響應(yīng)為不出現(xiàn)振蕩的狀態(tài)。

        若在方波輸入信號的一個周期內(nèi)能觀測uC(t)過阻尼情況的零狀態(tài)及零輸入響應(yīng)波形,方波信號的周期T應(yīng)滿足式(12)。

        依式(13)、(12),選取電阻 R=3 kΩ、方波信號周期 T=1 μs(f=1 000 Hz)時Multisim仿真波形如圖4所示,其中由上至下依次是輸入方波信號、uC(t)的波形,仿真結(jié)果反映了式(14)、(15)的變化規(guī)律。

        圖4 過阻尼情況的Multisim仿真波形Fig.4 Multisim simulation waveforms under the overdamped case

        2 結(jié)束語

        用硬件實驗儀器對電路暫態(tài)過程進行測試、描述工作過程時,儀器輸出參數(shù)調(diào)整較為繁瑣,信號頻率偏高或偏低時波形顯示不穩(wěn)定。用Multisim軟件仿真解決了這一問題,將計算機仿真軟件Multisim引入到電路實驗中,使電路的分析、仿真、測試非常方便,特別便于電路參數(shù)改變時的測試。所述方法具有實際應(yīng)用意義。

        將電路的硬件實驗方式向多元化方式轉(zhuǎn)移,利于培養(yǎng)知識綜合、知識應(yīng)用、知識遷移的能力,使電路分析更加靈活和直觀。

        [1]符時民,陳維石,封麗.基礎(chǔ)物理實驗(第三冊)[M].沈陽:東北大學(xué)出版社,2007.

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        [3]鄭步生,吳渭.Multisim2001電路設(shè)計及仿真入門與應(yīng)用[M].北京:電子工業(yè)出版社,2002.

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