意法半導(dǎo)體航天級功率MOSFET晶體管的主要特性
2011-04-02 01:57:43
電子設(shè)計工程 2011年13期
·快速開關(guān)性能
·100%雪崩測試
·密封式封裝
·可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)
·抗SEE輻射
STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現(xiàn)已上市，達(dá)到EM （工程模型）或 ESCC的航空質(zhì)量級標(biāo)準(zhǔn)，封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外，意法半導(dǎo)體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達(dá)到了 ESCC 5205/021技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其它產(chǎn)品預(yù)計將于2011年下半年達(dá)到 ESCC相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
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