近日，三星金條推出針對發(fā)燒級玩家的高端系列——幻影40 DDR3內(nèi)存?；糜?0系列全部采用40納米內(nèi)存顆粒，新工藝的引入大幅度降低顆粒的能耗，同時大幅度提升內(nèi)存的運行頻率?；糜白畹瓦\行電壓僅為1.35V，相比于60納米的DDR2內(nèi)存而言整體功耗降低84％。它的誕生彌補了三星金條在高端發(fā)燒產(chǎn)品線上的不足，對于超頻玩家而言無疑提供了更多的選擇。首批上市的幻影40系列為DDR3 1333，容量有1GB/2GB可選擇，另外，幻影40系列還提供204pin SODIMM的筆記本內(nèi)存，同樣為DDR3 1333，單條容量為1GB，2GB/4GB，為筆記本升級內(nèi)存提供了高性能、低能耗的選擇。