TriQuint半導(dǎo)體公司日前宣布了一項新的晶圓代工工藝,新工藝將使具有成本效益的毫米波應(yīng)用成為可能。稱為TQP15的150mm砷化鎵(GaAs)代工生產(chǎn)工藝專門針對Ka波段,有助于經(jīng)濟高效地開發(fā)毫米波(mmWave)MMIC支持各種應(yīng)用,例如,VSAT、衛(wèi)星通信和點對點無線電通信。

TQP15已在美國俄勒岡州希爾伯勒TriQuint量產(chǎn)GaAs的晶圓廠投產(chǎn)。TQP15采用光刻技術(shù),成本低于傳統(tǒng)電子束工藝解決方案。同時,還采用難熔金屬柵結(jié)構(gòu),不存在非難熔柵pHEMT工藝中標準金屬柵散熱故障保護機制。

由于其典型Ft為85GHz,夾斷電壓(pinch-off voltage)為1.0V,TQP15也適用于Ka波段和Ku波段的功率放大器。

Christina Nickolas

微電子所在阻變存儲器研究中取得最新進展

近日,微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室(三室)在阻變存儲器研究工作中取得進展,并被美國化學(xué)協(xié)會ACS Nano雜志在線報道。

基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器(ReRAM)具有低廉的價格、簡單的結(jié)構(gòu)、超高的密度、低功耗、高速和與CMOS工藝兼容的優(yōu)點,受到廣泛的關(guān)注,有望成為新一代主流的非揮發(fā)性存儲器。

在電激勵下,二元氧化物中形成破滅局域的導(dǎo)電細絲是引起這類材料發(fā)生電阻轉(zhuǎn)變現(xiàn)象的主要物理機制。導(dǎo)電細絲可能由氧化物自身分解出來的氧空位組成,也可能由電極引入的金屬離子組成。但是,不管是哪種情況,導(dǎo)電細絲的生長過程都是隨機的,不易控制,因此造成ReRAM器件轉(zhuǎn)變參數(shù)的離散性較大。國際上大部分的研究小組都把目光集中在通過優(yōu)化器件的材料體系來改善這類ReRAM器件轉(zhuǎn)變參數(shù)的均勻性,主要的方法有:優(yōu)化ReRAM的功能層材料的晶格結(jié)構(gòu);采用活性電極(如:Ti、TiN和A1等)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的惰性電極;采用摻雜技術(shù)來改善器件的轉(zhuǎn)變特性;在電極與功能層之間增加薄層金屬。但是,目前還很少有文獻報道通過控制細絲的形成過程來達到改善器件轉(zhuǎn)變特性的方法。

微電子所納米加工與新器件集成技術(shù)研究室劉明研究員領(lǐng)導(dǎo)的存儲器研究小組提出了一種通過增強功能層薄膜中的局域電場來控制導(dǎo)電細絲的生長位置和方向的方法。通過控制導(dǎo)電細絲的生長過程,從本質(zhì)上減小導(dǎo)電細絲生長的隨機性,從而減小ReRAM器件轉(zhuǎn)變參數(shù)離散性?；赥CAD的模擬結(jié)果,該課題組研究人員通過在下電極上生長金屬納米晶的方法來增強功能層薄膜中的局域電場。通過研究Ag/ZrO₂/Cu NC/Pt原型器件的電阻轉(zhuǎn)變特性驗證了這種方法的有效性;通過TEM的分析手段,直接證明了納米晶可以控制導(dǎo)電細絲的生長位置和方向;通過TEM的能譜分析驗證了導(dǎo)電細絲的微觀構(gòu)成,并建立了納米晶控制導(dǎo)電細絲生長的微觀機制。該研究成果將刊登于ACSNano雜志2010年的第11期上。

Mary