世界半導(dǎo)體業(yè)兩年內(nèi)計(jì)劃建設(shè)150條生產(chǎn)線

SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料協(xié)會(huì))日前發(fā)表一份名為SEMI’s WorldFab Forecast的報(bào)告稱(chēng)，2010～2011年2年內(nèi)世界半導(dǎo)體業(yè)將共投資830億美元，計(jì)劃建設(shè)150多條生產(chǎn)線，涵蓋大/小產(chǎn)能的晶圓廠、MEMS以及包括LED在內(nèi)的分立器件廠。

報(bào)告指出，2010年在建的晶圓廠有54個(gè)，總計(jì)投資約45億美元，其中半數(shù)為L(zhǎng)ED晶圓廠，且大半在中國(guó)。2011年晶圓廠計(jì)劃基建數(shù)量減少，但規(guī)模較大，總投資約55億美元。SEMI預(yù)計(jì)，2010年世界晶圓生產(chǎn)設(shè)備總投資將成長(zhǎng)133%，達(dá)到340億美元。增長(zhǎng)速度之所以那么高，是因?yàn)?009年的投資已處于歷史低水平。其實(shí)，2010年投資僅比2008年增長(zhǎng)了27%，相比2007年還減少了11%，2011年世界晶圓生產(chǎn)設(shè)備投資將續(xù)增18%，達(dá)到390億美元的規(guī)模，才算超越了2007年的水平。

2010年投產(chǎn)的晶圓廠約為22座，其中一半為L(zhǎng)ED廠，2011年則將有28座晶圓廠投產(chǎn)，其中4座是存儲(chǔ)器廠。預(yù)計(jì)到2010年底，世界已建晶圓廠的產(chǎn)能(不包括分立器件)為(折合成8英寸晶圓)每月1440萬(wàn)片，2011年可望成長(zhǎng)8%，達(dá)到每月1580萬(wàn)片。存儲(chǔ)器廠所占產(chǎn)能最大，2010～2011年均占41%左右，晶圓代工廠其次，分別占24%和26%。

中小尺寸FPD市場(chǎng)出貨量達(dá)23億片

用于智能手機(jī)、平板電腦及其他眾多移動(dòng)電子產(chǎn)品的中小尺寸LCD顯示器，2010年世界市場(chǎng)將闊步前進(jìn)，激增28.1%，出貨量達(dá)23億片，高于去年的增長(zhǎng)10.3%(18億片)，是2007年竄升49.8%后最近3年內(nèi)增長(zhǎng)最快的一年。市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli預(yù)計(jì)，2011年后市場(chǎng)將放慢腳步，2009～2014年間市場(chǎng)將以平均每年8.9%的速度前進(jìn)，屆時(shí)出貨量可望達(dá)到27億片以上。

在iPhone的牽引下，2010年的智能手機(jī)出貨量將攀升35.5%，平板電腦更在Apple公司iPad的領(lǐng)跑下更大放異彩，熱力四射，預(yù)期將驚人增長(zhǎng)790%。目前這些產(chǎn)品所用TFT-LCD顯示器為了加大視角、改善畫(huà)質(zhì)、節(jié)省電能都將采用IPS(in-planeswitching)技術(shù)，所有廠商或聯(lián)合或自主都在開(kāi)發(fā)這一技術(shù)以供應(yīng)市場(chǎng)。此外，在Android智能手機(jī)興起的驅(qū)動(dòng)下，AMOLED顯示技術(shù)或?qū)l(fā)起挑戰(zhàn)。

半導(dǎo)體加工工藝走向15nm轉(zhuǎn)折點(diǎn)

世界上的巨型半導(dǎo)體企業(yè)如Intel和臺(tái)積電等將率先從2011年后啟動(dòng)開(kāi)發(fā)22nm以下的微細(xì)化量產(chǎn)技術(shù)，同時(shí)還都認(rèn)為，2013年后可望量產(chǎn)化的15nm技術(shù)是半導(dǎo)體加工工藝發(fā)展道路上的一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。其表現(xiàn)為邏輯電路上現(xiàn)用的CMOS平面體管，將轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂?維溝道導(dǎo)向的立體晶體管。這一轉(zhuǎn)變勢(shì)必嚴(yán)重影響未來(lái)各公司的微細(xì)化工藝競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。

對(duì)于晶體管技術(shù)界限，各公司至今還是未有明確的說(shuō)法。但是，到15～14nm級(jí)時(shí)，作為L(zhǎng)SI基本器件的CMOS晶體管預(yù)計(jì)將變?yōu)榱Ⅲw構(gòu)造，11nm以后，則將使用Ge和Ⅲ-v族半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)高遷移率溝道，迄今一統(tǒng)的si材料早晚生變。至于工藝微細(xì)化的關(guān)鍵一一光刻技術(shù)，勢(shì)將加速采用EUV(遠(yuǎn)紫外)和EB(電子束)光刻技術(shù)。