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        均壓環(huán)的漆膜對斷口均壓電容器介損測量的影響

        2010-04-13 03:15:44孫恒峰陸建人潘恒晉張揚季楠耿勇德
        電力工程技術 2010年6期
        關鍵詞:電容量漆膜串聯(lián)

        孫恒峰,陸建人,潘恒晉,張揚,季楠,耿勇德

        (鹽城供電公司,江蘇鹽城224005)

        500kV高壓斷路器的斷口均壓電容器距離地面很高,現(xiàn)場預試時一般將高空測試鉗夾在斷路器的均壓環(huán)上,如果均壓環(huán)上有漆膜會對介損和電容量的測量造成影響。在對500kV鹽都變電所田都5041開關的均壓電容器進行例行試驗時,就遇到了介損超標,電容量減小的情況:當測試線接在A相斷路器均壓環(huán)上時,測得介損為3.47%和2.20%,顯著超標;測得電容量為1263pF和1222pF,比銘牌電容量2000pF少40%左右,而將測量線換至金屬接觸良好的位置,測得介損為0.28%和0.32%,測得電容量為2029pF和2040pF,數(shù)據(jù)合格。為了解釋漆膜對均壓電容器介損和電容量測量的影響,通過建立電路模型從理論上進行分析。

        1 漆膜為純電阻的電路模型

        圖1是500kV鹽都變電所田都5041開關所使用的戶外柱式斷路器,型號為3AT2EI。假設均壓環(huán)的漆膜為純電阻模型,其與均壓電容器的串聯(lián)電路模型如圖2所示。

        R0為漆膜電阻;RX1為均壓電容器串聯(lián)模型的電阻;CX1為均壓電容器串聯(lián)模型的電容。

        對圖2的電路模型分析可知,漆膜對均壓電容器電容量的測量沒有影響,但是使介損因數(shù)增大(tanδ1=CX1+R0)。

        實際的測量結(jié)果是介損因數(shù)顯著增大,而且電容量減少40%左右,因此漆膜不能等效成純電阻模型,需要建立新的模型。

        2 漆膜包含電阻和電容的電路模型

        由資料可知,漆膜是電介質(zhì)[1-4]。當測試夾通電時,相當于2個電極,于是測試夾和漆膜間便形成電容,而且漆膜是有損的,因此漆膜是包含電容和電阻的電介質(zhì),其與均壓電容器串聯(lián)的電路模型如圖3所示。圖中R0為漆膜串聯(lián)模型的電阻;C0為漆膜串聯(lián)模型的電容;RX為均壓電容器串聯(lián)模型的電阻;CX為均壓電容器串聯(lián)模型的電容。

        對圖3的電路模型分析可知,C0與CX串聯(lián)使總電容量減小,R0使電路總損耗增大,即介損因數(shù)tanδ增大。模型的分析結(jié)論與測量結(jié)果相符,從而驗證了模型的正確性由圖3可知。

        漆膜的電容量和介損因數(shù)的表達式為:

        式中:C測為測得的電容量;tanδ測為測得的介損因數(shù);CX為均壓電容器的電容量;tanδX為均壓電容器的介損因數(shù);C0為漆膜的電容量;tanδ0為漆膜的介損因數(shù)。

        3 瓷支柱對測量的影響

        本文研究的斷路器為戶外支柱式,其瓷支柱存在電容量和介損,正接線測量時瓷支柱存在分流,對介損測量造成影響。下面結(jié)合電路模型對其影響情況進行分析,電路模型如圖4所示。C1為高壓測量線處漆膜串聯(lián)模型的電容;R1為高壓測量線處漆膜串聯(lián)模型的電阻;C2為電橋測量線處漆膜串聯(lián)模型的電容;R2為電橋測量線處漆膜串聯(lián)模型的電阻;CX為均壓電容器串聯(lián)模型的電容;RX為均壓電容器串聯(lián)模型的電阻;C0為瓷支柱串聯(lián)模型的電容;R0為瓷支柱串聯(lián)模型的電阻。

        不考慮瓷支柱影響時,設電橋測量線處測得的電流為I˙X;考慮瓷支柱影響時,設電橋測量線處測得的電流為I˙'X,則有:

        電介質(zhì)的串聯(lián)等值電路有如下關系式[1,2]:

        將式(3)代入式(2)中,化簡可得:

        因C0<<C1,C2和CX,故式(4)中I˙X=I˙'X,即測量時瓷支柱分流很小,其對測量結(jié)果的影響可以忽略,所以實際的電路模型如圖3所示。

        4 實例分析

        以500kV鹽都變電所田都5041開關A相斷路器的均壓電容器為例進行分析,測量數(shù)據(jù)如表1所示。

        根據(jù)圖3所示的漆膜與均壓電容器的串聯(lián)電路模型,計算出漆膜的介損和電容量,如表2所示。

        由表1和表2可知,1斷口均壓電容器電容量的真實值為2029pF,實際測量值為1263pF,漆膜的電容量為3346pF,漆膜的電容量與均壓電容器的電容量是一個數(shù)量級,它們串聯(lián)后使得電容量的測量值出現(xiàn)很大的偏差;1斷口均壓電容器介損的真實值為0.28%,實際測量值為3.47%,漆膜在交流電壓下?lián)p耗很大,介損為8.73%,它與均壓電容器串聯(lián)后導致介損的測量值嚴重超標。2斷口均壓電容器的分析結(jié)論與1斷口均壓電容器類似,所以在測量中要盡量避免漆膜的影響。

        表1 測量數(shù)據(jù)

        表2 計算數(shù)據(jù)

        5 結(jié)束語

        本文建立了均壓環(huán)的漆膜與均壓電容器串聯(lián)的電路模型,模型的分析結(jié)論與測量結(jié)果相符,驗證了模型的正確性。實例計算表明漆膜是一種有損電介質(zhì),它的電容量與均壓電容器的電容量在一個數(shù)量級,介損值遠遠超過均壓電容器的介損值,因此在測量中要盡量避免漆膜的影響,測試線要接在金屬接觸良好的位置。

        [1] 李建明,朱康.高壓電氣設備試驗方法[M].北京:中國電力出版社,2001.

        [2] 陳化鋼.電力設備預防性試驗方法及診斷技術[M].北京:中國科學技術出版社,2001.

        [3] 寧鳳輝.淺談斷路器電容器介質(zhì)損耗問題[J].電力電容器,2002(4):20-22.

        [4] 孫鵬舉,呂洪明.高壓斷路器斷口均壓電容器介質(zhì)損失角增大原因分析及解決措施[J].高壓電器,2009,45(2):97-98.

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