摘 要:為了獲得帶寬更寬、隔離度更好的功率分配/合成器,通過對Gysel功分器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改進(jìn),提出一種新型的功率分配/合成器;給出它的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)參數(shù),用奇偶模分析法分析了其工作原理,并借助微波CAD軟件對該結(jié)構(gòu)和Gysel功分器進(jìn)行了對比分析。結(jié)果表明,該功率分配/合成器比傳統(tǒng)的Gysel功分器具有更寬的帶寬、更高的隔離度、以及更小的回波損耗。最后,設(shè)計(jì)并制作了C波段四路功分器并進(jìn)行驗(yàn)證,測試結(jié)果表明其性能指標(biāo)符合預(yù)期要求。
關(guān)鍵詞:固態(tài)發(fā)射機(jī);功率分配/合成;寬頻帶;隔離度;Gysel
中圖分類號(hào):TM13 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:B
文章編號(hào):1004-373X(2010)03-105-04
Design of Improved Gysel Power Divider/Combiner
ZHANG Zhaohua,ZHENG Xin
(Nanjing Research Institute of Electronics Technology,Nanjing,210013,China)
Abstract:In order to design a power divider/combiner with wider band and superior isolation,a novel power divider/combiner based on the improvement of traditional Gysel power divider/ combiner is introduced.The topological structure and design parameters of this novel power divider/combiner have been presented and the operating principle has been analyzed by the odd-even model analysis.Simultaneously,detail comparisons between the two structures have been performed using microwave CAD.The results show that the novel divider/combiner has wider band,better isolation and lower insert loss than Gysel power divider.A C-and power divider/combiner has been designed and the test results show that experiment and expectation are in good agreement.
Keywords:solid-state transmitter;power divider/combiner;wide-bandwidth;isolation;Gysel
0 引 言
在微波電路中,功率分配/合成器是非常重要的器件,它廣泛應(yīng)用于饋線系統(tǒng)、混頻及功率放大器中[1]。Gysel功率分配/合成器由Ulrich H.Gysel于1975年提出,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介于分支線耦合器結(jié)構(gòu)和威爾金森結(jié)構(gòu)之間,與分支線耦合器一樣,其終端負(fù)載可以通過一段任意長度,且特性阻抗與負(fù)載阻抗相同的傳輸線引到電路上的任意位置,因而負(fù)載可以根據(jù)需要外接在電路上,便于大功率負(fù)載的使用;同時(shí)具有和威爾金森功率分配/合成器一樣的相對帶寬[2]。此外,Gysel功率分配/合成器可以采用同軸線、帶狀線、空氣板線及微帶線等多種形式實(shí)現(xiàn)。但是,Gysel功率分配/合成器也存在一些缺點(diǎn):首先,Gysel形式在20%相對帶寬情況下,其插入損耗、駐波等指標(biāo)比威爾金森形式要好,顯示出較好的寬帶特性。但窄帶情況下,當(dāng)傳輸線損耗相同時(shí),Gysel形式的損耗值約為0.12 dB,威爾金森則為01 dB,駐波也稍大一些[3]。其次,在輸入輸出端口回波損耗小于-20 dB的原則下,Gysel功率分配/合成器的相對帶寬為20%左右[4],在一些寬頻帶應(yīng)用的場合,Gysel功率分配/合成器的帶寬仍需要提高。另外,在設(shè)計(jì)Gysel功率分配/合成器時(shí),各個(gè)微帶支節(jié)的阻抗值不是完全確定的,其中兩個(gè)隔離電阻間的λ0/2微帶線的阻值隨帶寬、隔離度等指標(biāo)的要求變化,不利于設(shè)計(jì)和應(yīng)用。
本文對Gysel功率分配/合成器進(jìn)行了改進(jìn),目的是提高其隔離度、回波損耗等指標(biāo)的寬帶特性。通過對整個(gè)拓?fù)涞母倪M(jìn),新功率分配/合成器的插入損耗、回波損耗、隔離度等指標(biāo)明顯優(yōu)于Gysel功分器,而且各個(gè)微帶支節(jié)的阻抗值是確定的,非常便于設(shè)計(jì)。
1 結(jié)構(gòu)及原理分析
傳統(tǒng)微帶型Gysel功分器的結(jié)構(gòu)如圖1所示,由4個(gè)λ0/4微帶線及1個(gè)λ0/2微帶支節(jié)構(gòu)成。對于Gysel功分器典型的分析方法是奇偶模分析法及單位元素(Unit Elements)分析方法[5]。一般來說,Gysel功率分配/合成器各個(gè)微帶支節(jié)的阻抗值可以取:
Z1=Z2=2Z0
(1)
Z3=Z6=Z0
(2)
Z4,Z5的取值與功分器的帶寬指標(biāo)相關(guān),通常取Z0/2。其中,Z0指端口1處微帶線的特性阻抗[6]。改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器的結(jié)構(gòu)如圖2所示,它給出各個(gè)微帶支節(jié)的阻抗及長度,端口4和端口5分別接50 Ω的隔離電阻,信號(hào)由端口1輸入,在端口2和端口3為等功率同相輸出。
圖1 Gysel功率分配器
圖2 改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器
1.1 奇偶模分析[7,8]
為簡單起見,用端口1的特性阻抗Z0歸一化所有阻抗。歸一化及對稱形式下的改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器如圖3所示,在輸出端口接電壓源,當(dāng)Vg2與Vg3等幅同相時(shí),為偶模激勵(lì)。此時(shí),中心對稱平面相當(dāng)于一個(gè)磁壁(開路)。當(dāng)Vg2與Vg3等幅反相時(shí),為奇模激勵(lì)。此時(shí),中心對稱平面相當(dāng)于一個(gè)電壁(短路)。
偶模狀態(tài)下,取Vg2= Vg3=2V0,其等效電路如圖4(a)所示。由λ0/4微帶阻抗變換作用可知,在端口3處相當(dāng)于短路,從而隔離網(wǎng)絡(luò)在端口2處相當(dāng)于開路。從端口2向端口1的阻抗為:
Zin=(2)2/2=1
(3)
故在端口2處匹配,且Ve2=V0,So22=0,So33=0,令端口1處在x=0處,端口2處在x=-λ0/4處,則傳輸線上的電壓可表示為:
V(x)=V+(e-jβx+Γejβx)
(4)
式中:Γ為x=0處的電壓反射系數(shù),Γ=2-22+2。
在x=-λ0/4處:
Ve2=V(-λ0/4)=jV+(1-Γ)=V0
(5)
圖3 歸一化及對稱形式下的Gysel功分器
所以:V+=V0j(1-Γ),從而在x=0處的電壓為:
Ve1=V+(1+Γ)=-j2V0
(6)
奇模狀態(tài)下,取Vg2= -Vg3=2V0,其等效電路如圖4(b)所示。
圖4 改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器的奇偶模等效電路
由λ0/4微帶阻抗變換作用可知,在端口3處相當(dāng)于開路,從而隔離網(wǎng)絡(luò)在端口2處相當(dāng)于開路。故端口2向隔離網(wǎng)絡(luò)看去,阻抗為Z=1,端口1處短路,經(jīng)λ0/4微帶阻抗變換,在斷開2處向分配網(wǎng)絡(luò)看去相當(dāng)于開路。故在端口2向整個(gè)網(wǎng)絡(luò)看去,阻抗為Z2in=1=Z0,所以在端口2處匹配,且Vo2=V0,Vo1=0,所以So22=0,So33=0。
當(dāng)端口1接輸入信號(hào),端口2接匹配負(fù)載時(shí),端口1處的輸入阻抗為Z1in=1=Z0,相匹配,故S11=0。綜上可知:
S12=V1V2=Ve1+Vo1Ve2+Vo2=-j2V0+0V0+V0=-j12
(7)
最后,由微波網(wǎng)絡(luò)的互易性和對稱性可知:
S=0-j2-j2-j200-j200
(8)
1.2 帶寬、隔離度及插入損耗的比較分析
奇偶模分析方法不能夠解釋傳輸線的結(jié)效應(yīng),而且采用何種類型的傳輸線結(jié)對整個(gè)功率分配/合成器的帶寬性能有非常重要的影響[9]。本文利用Agilent ADS軟件進(jìn)行仿真優(yōu)化,得到改進(jìn)型Gysel功分器的性能曲線,并將其與傳統(tǒng)Gysel功分器的性能進(jìn)行了比較,結(jié)果如圖5~圖7所示[10]。因?yàn)楣β史峙?合成器的結(jié)構(gòu)是對稱的,S21與S31的曲線基本上完全一致,所以本文只給出了S21的仿真曲線。
圖5 回波損耗S11與歸一化頻率的關(guān)系
圖6 傳輸參數(shù)S21與歸一化頻率的關(guān)系
圖7 隔離度S23與歸一化頻率的關(guān)系
由圖5可知,在輸入輸出端口回波損耗小于-20 dB的原則下,改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器的帶寬大約為30%,明顯優(yōu)于傳統(tǒng)Gysel功分器(帶寬大約為20%),顯示出良好的寬帶特性。而且,由圖6可知,在10%的頻帶內(nèi),改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器的插入損耗要比傳統(tǒng)Gysel功率分配/合成器小0015 dB左右。另外,由圖7可知,改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器的隔離度在寬頻帶內(nèi)明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的Gysel功率分配/合成器。
2 實(shí) 例
根據(jù)上述分析,采用微帶電路多級(jí)級(jí)聯(lián)的實(shí)現(xiàn)方式,設(shè)計(jì)了C波段帶寬為600 MHz的四路功率分配/合成器(實(shí)物圖見圖8)。第一級(jí)電路隔離網(wǎng)絡(luò)的環(huán)路數(shù)為3,主要是因?yàn)閷铣申囎钔鈱拥墓Ψ制鞯囊笞罡?,而對最?nèi)層功分器的要求卻可以越來越低[11]。四路功分性能測試數(shù)據(jù)如表1、表2所示。由測試數(shù)據(jù)可以看出各端口損耗較小,幅度均衡性好(小于0.15 dB),工作頻帶內(nèi)端口駐波均小于1.25,各分配端口之間的隔離度大于24 dB,與軟件仿真結(jié)果一致。插入損耗較大主要是由于實(shí)際應(yīng)用時(shí)要求的結(jié)構(gòu)尺寸大,導(dǎo)致電路中的微帶傳輸線較長,傳輸損耗較大。該分配器在實(shí)際應(yīng)用時(shí)作為激勵(lì)級(jí)的功率分配器,插入損耗滿足使用要求。
圖8 C波段四路改進(jìn)型Gysel功分器實(shí)物圖
表1 傳輸系數(shù)實(shí)測值(輸入端口為1端口)
頻率 /MHzS21 /dBS31 /dBS41 /dBS51 /dB
f0-3006.516.436.466.49
f0-2006.486.436.446.48
f0-1006.446.396.386.47
f06.416.386.376.47
f0+1006.396.376.426.49
f0+2006.426.396.436.51
f0+3006.466.396.456.51
表2 端口駐波實(shí)測值(中心頻率f0)
端口端口1端口2端口3端口4端口5
VSWR1.181.121.091.141.23
3 結(jié) 語
介紹了一種改進(jìn)型Gysel功率分配/合成器工作原理及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);通過與傳統(tǒng)Gysel功率分配/合成器的性能進(jìn)行對比可以看到,該功率分配/合成器具有寬頻帶、低損耗及高隔離度等優(yōu)點(diǎn)。在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)制作了C波段四路功率分配/合成器,其性能指標(biāo)符合預(yù)期要求。
參考文獻(xiàn)
[1]Reza Akbarzadeh,Shen Zhongxiang.Waveguide Power Divider Using Multiple Posts[J].Microwave and Optical Technology Letters,2008,50:981-984.
[2]Hallbjorner P.Simplified Calculations on Some Common Passive Microwave Networks[J].Microwave and Optical Technology Letters,2001,29:285-288.
[3]張海兵,王亞松.Gysel功率分配/合成器的設(shè)計(jì)與分析方法[J].雷達(dá)與對抗,2007(4):12-16.
[4]清華大學(xué)微帶電路編寫組.微帶電路[M].北京:人民郵電出版社,1976.
[5]Reed J,Wheeler G J.A Method of Analysis of Symmetrical Four-port Networks[J].Microwave Theory and Techniques,1956,4:246-252.
[6]Gysel U H.A New N-way Power Divider/combiner Suitable for High Power Applications[A].Microwave Symp.[C].1975,75:116-118.
[7][美]David M Pozar.微波工程[M].3版.張肇儀,周樂柱,譯.北京:電子工業(yè)出版社,2006.
[8]鄭新,趙玉潔,劉永寧,等.微波固態(tài)電路設(shè)計(jì)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2006.
[9]Ban-Leong.Broad-banding Technique for in-phase Hybrid Ring Equal Power Divider[J].Microwave Theory and Techniques,2002,50:1 790-1 794.
[10]Agilent Technologies.Using Advanced Design System for RF and Microwave Circuit Design[EB/OL].http://www.agilent.com,2008.
[11]袁效康,王仕蹯,朱俊達(dá).微帶功率晶體管放大器[M].北京:人民郵電出版社,1982.