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        宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18μm45 V LDMOS電源管理制程

        2010-04-04 15:23:19
        電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年1期

        上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先,發(fā)布基于其穩(wěn)定的0.18μm邏輯平臺的先進(jìn)45 V LDMOS電源管理制程。

        與傳統(tǒng)線寬相比,0.18μm邏輯平臺使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能,從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導(dǎo)體成熟的0.18μm邏輯制程配備了具有高精準(zhǔn)模型的完整設(shè)計工具包,極大地縮短了產(chǎn)品的設(shè)計周期,加速客戶產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外,該0.18μm邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶選擇。

        通過優(yōu)化器件的布局、注入和熱處理過程等特定步驟減小了Rdson(導(dǎo)通電阻),45 V NMOS和PMOS的導(dǎo)通電阻分別約為70 mΩomm2和160 mΩomm2。導(dǎo)通電阻的減小可以使電源芯片功率驅(qū)動部分的面積縮減10%~40%,客戶因此可以為電源管理應(yīng)用提供更加有效的解決方案。

        除此以外,模塊化制程也更加靈活。1.8 V的器件可以易于添加或者移除,可適用于客戶的特殊要求。除了標(biāo)準(zhǔn)的5 V器件外,根據(jù)客戶的特定設(shè)計,3.3 V也可以用來備選。其他諸如M iM,HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

        關(guān)于宏力半導(dǎo)體

        宏力半導(dǎo)體是一家專業(yè)半導(dǎo)體代工廠,致力于提供高品質(zhì)服務(wù)和先進(jìn)增值技術(shù),包括嵌入式非揮發(fā)性記憶體、高壓、低漏電工藝等。公司于2003年投產(chǎn),一直是業(yè)內(nèi)成長最快的公司之一。公司位于上海浦東張江高科技園區(qū),員工超過1,600人。上海聯(lián)和投資有限公司、香港長江實(shí)業(yè)及和記黃埔是宏力半導(dǎo)體的主要投資方。其他主要投資方還包括美國超捷,日本三洋,及私募資金湛思國際和UCL Asia。

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