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        用于Sigma-Delta調(diào)制器的低電壓跨導運算放大器

        2010-01-29 07:18:56景新幸祁琳娜賴兆澤
        電子設計工程 2010年5期

        陳 煒,景新幸,祁琳娜,賴兆澤

        (桂林電子科技大學 信息與通信學院,廣西 桂林 541004)

        在小尺寸、高性能、便攜的移動通訊和消費電子產(chǎn)品的需求飛速增長的帶動下,Sigma-Delta型模數(shù)轉(zhuǎn)換器得到了更廣泛的研究和使用。Sigma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器具有對電路匹配精度要求很低,精度高等特點,以跨導運算放大器OTA(Operational Trans-conductance Amplifier)為核心的調(diào)制器是Sigma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器電路中的模擬電路部分,其結(jié)構(gòu)選擇和電路參數(shù)設計都極大影響著整個模數(shù)轉(zhuǎn)換器所達到的速度和精度[1]。

        這里提出了一種用于16位三階單環(huán)CIFB型Sigma-Delta調(diào)制器的全差分折疊式共源共柵跨導運算放大器設計方案,其電路仿真結(jié)果顯示,該設計性能指標達到該調(diào)制器所需要求。

        1 電路性能要求及結(jié)構(gòu)參量

        1.1 跨導運算放大器指標分析

        運放的有限增益會引起相位偏移,從而將造成噪聲傳輸函數(shù)(NTF)的零點偏離正常位置。三階單環(huán)CIFB型Sigma-Delta調(diào)制器是用巴特沃茲三階濾波器實現(xiàn)的,這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是對系數(shù)不敏感,允許系數(shù)和零極點位置。三階單環(huán)CIFB型Sigma-Delta調(diào)制器是用巴特沃茲三階濾波器實現(xiàn)的,這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點是對系數(shù)不敏感,允許系數(shù)和零極點存在較大的容差,因此對運放的增益要求較低。通常運放增益大于60 dB就不會影響調(diào)制器的性能[2]。

        積分器的輸出電壓需要一定的建立時間,一部分是非線性轉(zhuǎn)換時間tSR,取決于運放的壓擺率,另一部分是線性建壓時間tL,取決于運放的單位增益帶寬。為了防止諧波出現(xiàn)在輸出中,積分器的輸出必須在半個時鐘周期內(nèi)建立[3]

        圖1為三階單環(huán)調(diào)制器行為級仿真模型,根據(jù)圖1的行為級綜合結(jié)果,只有OTA的壓擺率大于40 V/μs,單位增益帶寬大于50 MHz才能滿足式(1)的要求[4]。

        圖1 三階單環(huán)調(diào)制器行為級仿真模型

        1.2 電路結(jié)構(gòu)考慮

        跨導運算放大器主要有兩級運放、增益增強型、套筒式共源共柵和折疊式共源共柵[5]等。其中,在兩級放大結(jié)構(gòu)中,次極點頻率由負載電容決定,使其帶寬較小,速度受到限制,且功耗較大,電源抑制比和共模抑制比較差。套筒式共源共柵結(jié)構(gòu)具有頻率特性好、功耗低等特點。然而,在低電源電壓下,其輸出擺幅和共模輸入范圍難以達到預期要求。增益增強型運放,雖然有著很高的直流增益但有著巨大的功率消耗,并不適用于該系統(tǒng)設計。綜合考慮,采用速度較快,輸出擺幅較大,共模輸入范圍廣,性能折中的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)。

        2 電路分析與設計

        2.1 折疊式共源共柵跨導運算放大器

        折疊式共源共柵跨導運算放大器的輸入管有兩種選擇,NMOS輸入對管具有較高的跨導,能使運放達到較高的直流增益,但需要采用PMOS作為共源共柵管。在同樣的偏置條件下,PMOS管的跨導為NMOS管的40%~50% ,從而限制了運算放大器的次極點頻率。如果采用PMOS作為輸入級,運放則具有較低的噪聲和較高的次極點頻率,噪聲較低,但直流增益較小[6]。由于本設計對直流增益要求不高,故采用PMOS輸入。跨導運算放大器結(jié)構(gòu)如圖2所示。

        圖2 PMOS輸入的全差分折疊共源共柵跨導運算放大器

        VM1和VM2是PMOS輸入差分對管將輸入差分電壓轉(zhuǎn)化成差分電流,經(jīng)VM5和VM6后產(chǎn)生輸出電壓。VM11為長尾電流沉為輸入差分對管提供靜態(tài)工作電流,同時,提高輸入共模抑制比(CMRR)。對電路進行小信號分析,可得到折疊共源共柵運放的直流增益

        式中,ro為MOS管小信號輸出電阻,與溝道長度成正比;gm是MOS管的跨導。

        該運放的主極點為

        在只考慮主要的電容即VM5的柵源電容時,次極點為

        式(3)、式(4)表明了增大VM1管的gm即可提高主極點的頻率;減小VM5管的溝道長度、增大偏置電流IDS同樣可提高次極點的頻率。

        在電路中負載電容取定后運放的輸出擺率是固定的,該運放中

        由式(5)可知,改變電路工作電流與負載電容同樣可以改變SR。本設計中負載電容CL取5 pF,考慮到運放工作的穩(wěn)定性,必須保證運放的相位裕度PM大于60°。增大工作電流,將提高運放的直流增益與單位增益帶寬GBW,同時提高SR,但會導致PM下降電路功耗增加。所以運放的工作電流應進行折中考慮。

        2.2 共模反饋電路

        全差分運放中運放反饋回路只提供差模電壓而不提供共模電壓,需要運用共模反饋電路(CMFB)來穩(wěn)定差分輸出信號的共模電壓,此電路如圖3所示。

        圖3 共模反饋電路

        S1、S2為兩相不重疊時鐘信號。Vout為運放的輸出電壓信號。Vcm為運放共模輸出電壓的期望值,此處為輸入信號。Vb4為共模反饋電路的調(diào)節(jié)電壓,此處連接運放VM3、VM4的柵極,Vb4與Vout在運放中構(gòu)成負反饋。Vbais為Vb4期望電壓值。在時鐘S1工作時,S2斷開,C1兩端充電,電荷量為Q1=2C1(Vcm/Vbais)。同時電容 C2兩端電荷總量為 Q2=C2(Vout++Vout--2Vb4),時鐘S2工作時,C1與C2并聯(lián),此時電路中電容的總電荷量為:

        根據(jù)電荷守恒定律可得Q1+Q2=Q3,即:

        若運放實際輸出共模電壓大于理想值Vcm,則Vb4增大,Vout減小;若運放實際輸出共模電壓小于理想值,則Vb4減小,Vout增大。共模反饋電路通過改變運放的柵極電壓,利用負反饋實現(xiàn)運放共模輸出電壓的穩(wěn)定。根據(jù)式(6)可得:C1與C2分別為0.1 pF和0.4 pF。

        3 仿真結(jié)果與分析

        基于SMIC 0.18μm PDK設計了全差分折疊式共源共柵跨導運算放大器,并完成了版圖設計,如圖4所示。

        圖4 全差分折疊式共源共柵跨導運算放大器版圖

        通過Spectre對該運放進行仿真分析[7],在工作溫度為27℃,工作電壓為1.8 V,負載電容為5 pF的條件下,得到的幅頻特性曲線如圖5所示。直流增益為72 dB、單位增益帶寬為91.06 MHz,相位裕度為83.4°,電路達到穩(wěn)定狀態(tài)。

        圖5 運算放大器幅頻特性

        表1對采用相同電路結(jié)構(gòu)的文獻[6],文獻[8]和本設計進行性能比較??梢娫撛O計具有良好的綜合性能。

        表1 性能比較

        4 結(jié) 論

        基于SIMC 0.18μm CMOS混合信號工藝制程設計的用于Sigma-Delta調(diào)制器的全差分折疊式共源共柵跨導運算放大器,通過對電路參數(shù)的優(yōu)化,無需增加電路的復雜度,在1.8 V的低壓供電環(huán)境下取得良好的綜合性能,完全滿足Sigma-Delta調(diào)制器實際應用需要。

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        [2]朱穎佳.三階單環(huán)單比特Σ-△A/D的設計與實現(xiàn)[D].北京:清華大學,2007.

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        [4]洪志良.模擬集成電路分析與設計[M].北京:科學出版社,2006:313-319.

        [5]Behzsd Razavi.模擬CMOS集成電路設計[M].陳貴燦,譯.西安:西安電子科技大學出版社,2002:359-360.

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