陶　然

歷史發(fā)展

自從1971年Intel公司研發(fā)出IKB的DRAM。距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進了電子技術(shù)的前進，而且對各國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。

眾所周知，進入上世紀80年代，隨著大型計算機市場擴大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時DRAM技術(shù)要求較低，其特點是量大面廣，勝負在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，加緊研發(fā)，到VLSI(超大規(guī)模集成電路)DRAM大規(guī)模生產(chǎn)時代，便趕超了美國，并在上世紀80年代占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場半壁江山，成為世界第一半導(dǎo)體生產(chǎn)大國。而此時，Intel公司不得不撤出DRAM領(lǐng)域，專攻MPU。上世紀90年代，隨著PC盛行，DRAM的成本要素高于質(zhì)量，韓國以此為契機，搞半導(dǎo)體雖更晚于美、日，但它還從DRAM著手，同樣通過上下統(tǒng)一認識，在共同的目標下團結(jié)合作，無論技術(shù)水平還是生產(chǎn)水平，便達到了足與日、美相抗衡的地步，1998年韓國趕過日本，成為世界DRAM第一生產(chǎn)大國，三星公司也成長為世界第一DRAM生產(chǎn)公司，在世界前十大半導(dǎo)體公司中，僅次于Intel而傲居老二，且對日本半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展造成巨大影響。

總結(jié)韓國取勝之道有三，即戰(zhàn)略、經(jīng)營和成本。

再說我國臺灣省，盡管由張忠謀開創(chuàng)了代工這樣嶄新的半導(dǎo)體經(jīng)營模式，但DRAM還是臺灣半導(dǎo)體業(yè)首先涉足的半導(dǎo)體生產(chǎn)品，至今不失為臺灣半導(dǎo)體業(yè)的另一重要支柱。據(jù)統(tǒng)計，今天世界十大DRAM公司，臺灣企業(yè)獨占五家，生產(chǎn)規(guī)模僅次于韓國半導(dǎo)體業(yè)。由此可見、DRAM曾是世界半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(地區(qū))引導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的首要主打產(chǎn)品。

幾十年前筆者也曾有過一個想法，中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)主抓DRAM，但是當(dāng)時一般的主張是從事專用集成電路生產(chǎn)，為此筆者在媒體上還發(fā)表過與人爭論的文章。人微言輕，言不作數(shù)，事實上，直至今天，那一樣產(chǎn)品在中國也難言有所成就，中國半導(dǎo)體市場巨大，將成長為世界第一市場，可如今拿得出手叫得響的產(chǎn)品何在?DRAM發(fā)展至今已臻成熟，國外已有人提出：“Memory business model is brocken，”今后不再是DRAM打天下，難有大作為了，看來將成筆者的不了情結(jié)。

市場概況

據(jù)美國SIA發(fā)表的統(tǒng)計資料，存儲器產(chǎn)品包括DRAM和Flash兩項，2008年的銷售值分別為286.5億美元和124.7億美元，兩者在存儲器中之比為53:47，合占整個半導(dǎo)體市場的18.7％，是次于邏輯電路(29.5％)和微

但是在摩爾定律的作用下，DRAM市場波動也比較劇烈。據(jù)iSuppli公司報道，世界DRAM行業(yè)曾于2001年出

現(xiàn)巨額損失，但此后一直到2006年利潤一直不斷上升。各廠商大幅增加設(shè)備投資，2007年整個行業(yè)的投資額達到2001年的3倍，為211億美元，2000后DRAM廠商累計投資達到了1000億美元。而2008年世界DRAM市場繼2007年后再次減收，比上年減少19.8％，為252億美元，兩年合計少收80億美元，傻干了一年。各廠商不得不連續(xù)裁員，大幅減產(chǎn)。當(dāng)時對2009年都持悲觀態(tài)度，iSuppli公司今年2月預(yù)測，當(dāng)年將繼續(xù)下滑15％。另一公司IC Insights同時預(yù)測(圖1)，盡管下半年可望有力反彈，但DRAM全年仍將比上年挫落12％，F(xiàn)lash更將慘跌24％。

DRAM近年價格不斷走低，在經(jīng)濟危機下的市場需求，特別是PC需求不振，前兩年投資過大，造成廠商資金周轉(zhuǎn)不靈，德國Qimonda公司因而申請破產(chǎn)保護，我國臺灣省也擬整合各公司，組建臺灣半導(dǎo)體公司(TWC)，給予資金支持。

出現(xiàn)轉(zhuǎn)機

今年二季度世界DRAM市場出現(xiàn)拐點，據(jù)iSuppli公司最新報告，世界DRAM的銷售在一季度環(huán)比下降19％的情況下，二季度卻比上季度竄升了34％，達45億美元。原因是中低端便攜計算機和消費電子需求趨旺，Intel公司

的T4300、T6600、T3000和Xeon5140、5160甚至臺式機常用的E8400等CPU都快速復(fù)蘇，導(dǎo)致DDR3 DRAM，包括DDR2產(chǎn)品發(fā)生供應(yīng)短缺，價格上揚，且這種態(tài)勢可能會延至年底，使人鼓舞。Ic Insignts2月預(yù)測今年世界DRAM市場一季觸底，二季度開始反彈，環(huán)比增長17％，三季度更增21％，四季度15％，也是向上走的好趨勢。

二季度世界十大DRAM公司中除Qimonda外，大多表現(xiàn)搶眼(表1)。據(jù)稱，表現(xiàn)最好的

是日本Elpida，由于在移動設(shè)備和消費電子兩領(lǐng)域有做人成長，產(chǎn)品價格豎挺，二季度DRAM的平均價格上升了32％，使其當(dāng)季營收增長了50％，從4.97億美元上升到7.45億美元。(據(jù)最新報道，Elpida除將要接手申請破產(chǎn)的Qimonda外，并與臺商聯(lián)手，加強低端DRAM的競爭實力，同時由于己獲得1600億日元融資，本年將從現(xiàn)用的50nm工藝，進而開發(fā)40nm工藝，爭奪高端DRAM市場，總之，意欲搞掂三星，奪取天下第一DRAM公司寶座。)其實，臺灣的華邦和力晶表現(xiàn)更為出色，二季度的業(yè)績都比上季度翻了一番。與去年四季度的公司排名相比、前四大DRAM公司沒有變化，而華邦卻從第十位一舉晉升至第六，力晶也前進一位。Micron和南亞悄然增速，且他們有一共同特點，即與去年同期相比，僅減少15％，低于其他公司，兩家公司還將聯(lián)手以擴大規(guī)模、提高競爭力。十大公司中唯德國Qimonda一家向隅，二季度營收暴挫71％，從第五位跌落到了副班長末座。

存在問題

近兩年來DRAM價格不斷下滑，公司資金短缺，經(jīng)營困難，發(fā)生虧本，具有代表性的德國Qimonda公司已經(jīng)開始了破產(chǎn)程序。據(jù)臺灣DRAMeXchange Tech公司預(yù)計，今年世界DRAM投資將大減一半左右、從131億美元，下降到71億美元，這又勢必影響到技術(shù)的推進和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展(圖2)。

與此同時，日本半導(dǎo)體業(yè)在韓國的進攻下早把重點放在了邏輯電路，一向偏重于DRAM的韓國半導(dǎo)體業(yè)也正發(fā)生巨大改變，2008年顯示器產(chǎn)業(yè)首次超過了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，當(dāng)年顯示器出口366億美元超過了半導(dǎo)體出口的324億美元(2007年則分別為353億美元和370億美元)。這是因為韓國半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備和材料對外依賴過大，經(jīng)營更加不易而采取的應(yīng)對之策。三星公司雖仍為世界第一大DRAM三司，但公司也已改組，經(jīng)營重點明顯轉(zhuǎn)向顯示器。

我國臺灣省的DRAM產(chǎn)值原來約占世界1／4，擁有本地員工2.8萬人，是僅次于韓國的世界第2生產(chǎn)地，但由于DRAM業(yè)以往過度擴張，近年陷入困境，經(jīng)濟危機更使雪上加霜，赤字不斷擴大。據(jù)報道，前不久當(dāng)局注資8.66億美元，并由臺灣6家公司共同出資(“當(dāng)局”持股小于50％)，成立臺灣存儲器公司(Taiwan MemoryCompany)，促成公司間某種形式的整合，并打算從Ellpida或Micron購進技術(shù)，以提高競爭實力共渡難關(guān)?！百Y策會”最近估計，臺灣DRAM業(yè)上半年同比下降下40％，預(yù)期下半年會有所改善，全年產(chǎn)值可望達1114億元新臺幣(約合31.8億美元)。

有業(yè)內(nèi)人士分析，當(dāng)前世界DRAM業(yè)存在的問題主要有三：即需求不振，價格疲軟和供過于求。認為業(yè)界需要合并重組，尤其是我國臺灣公司數(shù)量多、規(guī)模小，只有整合成大公司才能生存。對于包括Flash在內(nèi)的傳統(tǒng)存儲器的前景看法不一，但總的來看，傳統(tǒng)產(chǎn)品已臻成熟，公司贏利大不如前，投資乏力，研發(fā)不足，恐已難有大作為。因此，業(yè)內(nèi)人士認為未來有前途的是所謂storage-class的“通用存儲器”(universal memory)，包括FRAM(鐵電RAM)、MRAM(磁阻RAM)、phase change(換相)、RRAM(電阻RAM)等新技術(shù)。它們可橋接處理器和硬驅(qū)，消除之間的I／O瓶頸，但這些新產(chǎn)品都還沒有達到量產(chǎn)水平，有些甚至?xí)惶蕴?。新東西總代表新生力量，預(yù)計2009年該市場將會從零起步，發(fā)展到5000萬美元左右，2015年可望達到60億美元。