吳孝松

摘要Graphene具有優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)，是非常有前途的納米電子材料，有希望替代硅成為下一代集成電路材料，盡管目前有很多種制備Graphene的方法，但就Graphene在將來集成電路方面的應(yīng)用而言，在碳化硅上的外延生長法最具潛力，文章首先從Graphene的能帶結(jié)構(gòu)開始，簡單介紹為什么Graphene具有諸多優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)，比如異?；魻栃?yīng)、室溫下的高遷移率、碳納米管的彈道輸運(yùn)等，然后介紹這種外延生長方法及其發(fā)展現(xiàn)狀，通過比較在不同碳化硅晶面和在不同條件下生長的Graphene的表面形貌，得出結(jié)論，在加熱爐內(nèi)，生長在碳化硅晶體碳面的Graphene擁有特別高的質(zhì)量，最后文章著重討論對碳面Graphene的電學(xué)表征實(shí)驗(yàn)，這些實(shí)驗(yàn)證明這種材料中的電子是狄拉克電子。同時(shí)也發(fā)現(xiàn)材料具有優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)。