譚煒鋒　劉輝華

摘要：基于標(biāo)準(zhǔn)SMIC 0.18um CMOS工藝，設(shè)計一種低溫漂、高精度基準(zhǔn)電壓源，該電壓源是根據(jù)兩個工作在飽和區(qū)的NMOs管的柵源電壓差原理，產(chǎn)生一個與絕對溫度成正比(PTAT)的電流，利用它對NMOS晶體管的閱值電壓進行補償，得到該電壓源。此基準(zhǔn)電壓源電路僅使用NMOs和PMOs晶體管來實現(xiàn)。在-40～+80℃的溫度變化范圍內(nèi)，它的溫漂系數(shù)約為6.12 ppm／℃。