Ｓｉ中３０°部分位錯彎結(jié)－重構(gòu)缺陷運(yùn)動特性的分子模擬
2009-06-23 07:07:16孟慶元王慶盛
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2009年5期
孟慶元 王慶盛
在Si、Ge等半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)和制備過程中，不可避免地引入了位錯等缺陷，由于位錯的存在，嚴(yán)重影響了半導(dǎo)體器件的光學(xué)和電學(xué)性能，為了獲得低位錯密度、高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件，人們以Si中的位錯為研究對象，進(jìn)行了長期不懈的研究。
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