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        寬帶大功率徑向波導(dǎo)功率合成器設(shè)計

        2008-04-12 00:00:00曾小波
        現(xiàn)代電子技術(shù) 2008年11期

        摘 要:平行板徑向波導(dǎo)功率合成器具有工作頻帶寬,低插入損耗,與放大器和傳輸線匹配良好,端口隔離度較高,功率容量大等特點。設(shè)計了一個1.5 kW寬帶6路徑向波導(dǎo)功率合成器,CST軟件仿真結(jié)果表明:該合成器在駐波比小于1.1的情況下,其工作頻帶為1.35~3.3 GHz,合成效率達到96%。

        關(guān)鍵詞:寬帶大功率微波;徑向波導(dǎo);功率合成;VSRW;CST

        中圖分類號:TN73 文獻標識碼:B

        文章編號:1004-373X(2008)11-097-03

        Design of Broadband High Power Parallel-plate Radial-waveguide Combiner

        ZENG Xiaobo,GE Qing

        (Hunan Vocational Institute of Technology,Xiangtan,411104,China)

        Abstract:Parallel-plate radial-waveguide combiner has the properties of broad bandwidth,low insertion loss,good matching to amplifiers and transmission lines,good isolation between the ports and high power capacity.In this paper,a 6-ways broadband radial-waveguide combiner with output power of 1.5 kW is presented.The CST simulation results show that this combiner achieves broad operating band,which cover 1.35~3.3 G,with a SWR less than 1.1.Across the passband,a high combine efficiency reaches 96%,and the isolation greater than 7 dB.

        Keywords:broadband high power microwave;radial-waveguide;power combine;VSRW;CST

        1 引 言

        高功率合成器要求合成器功率容量大、工作頻帶寬、各端口隔離度大。微波毫米波功率合成技術(shù)主要可以分為[1,2]:

        (1) 器件級(或芯片級)合成

        一定數(shù)量的器件(典型的使用二極管)被組合到一起用于放大,通常其尺寸遠小于波長。然而其物理尺寸限制了合成效率,更加嚴重的是其隔離度差[3,4]。

        (2) 線路級功率合成

        在電路級功率合成中,器件被不小于波長的距離隔開,因而比芯片級可以容納更多的器件用于功率合成,電路級功率合成又分為諧振和非諧振合成器。典型的諧振型功率合成器[5,6]基于矩形或者圓柱形腔體,被廣泛應(yīng)用于窄帶功率放大器及振蕩器,但其相位噪聲,頻率穩(wěn)定度較差,工作頻帶窄;非諧振型基于如:徑向波導(dǎo)[7]、球形波導(dǎo)[8]、脊波導(dǎo)\\[9\\]及微帶電路[10,11],合成器有較小的損耗,工作頻帶寬的優(yōu)點。 

        (3) 空間功率合成

        空間功率合成器[12,13]由輻射陣列構(gòu)成,互相隔開便于微波在自由空間進行合成,這種技術(shù)在毫米波亞毫米波具有很大的潛力。

        從以上分類分析可以看出徑向波導(dǎo)具有合成效率高、工作頻帶寬的優(yōu)點,本文選擇徑向波導(dǎo)功率合成器進行分析。平面徑向波導(dǎo)的功率合成器由圓形腔體、外圍探針,中心探針組成。其中外圍探針由N個同軸線延伸到腔體內(nèi)部,合成功率由中心探針通過同軸傳輸線輸出,其結(jié)構(gòu)圖如圖1所示。

        圖1 N路探針型徑向波導(dǎo)功率合成器

        圖2 N路徑向波導(dǎo)內(nèi)部圖

        2 徑向功率合成器理論分析

        Bialkowski利用場匹配理論分析了同軸-徑向波導(dǎo)接頭[14-16],本文詳細推導(dǎo)計算公式。

        采用場匹配技術(shù)對徑向波導(dǎo)進行理論分析:

        2.1 腔體中4個區(qū)域的場

        Ⅰ區(qū)電場應(yīng)該滿足邊界條件:

        3) 場匹配

        為了確定場散射系數(shù),需要對切向場分量進行場匹配:

        

        Ey5(r=Ra)=Ey1(r=Ra),[WB]0 < y < B1

        0,[DW]B1

        Ey2(r=Ra),[DW]B-B2

        HΦ5(r=Ra)=HΦ1(r=Ra), [KG*2/3][WB]0

        HΦ2(r=Ra),[DW]B-B2

        Ey5(r1=Rc)=Ey3(r1=Rc), [KG*2/3][WB]0

        0,[DW]B3

        Ey4(r1=Rc),[DW]B-B4

        HΦ5(r1=Rc)=HΦ3(r1=Rc), [WB]0

        HΦ4(r1=Rc),[DW]B-B4

        

        將式(1)~式(8)代入到4個等式可以求解出A,C的解集,再求出D1m,D2m,D3m,D4m,將它們代入得到場(1)~(4)的表達式:

        

        I0=1g012π∫h0+g0/2h0-g0/2∫2π0HΦ(r=a)dΦdy

        I1=1g112π∫h1+g1/2h1-g1/2∫2π0HΦ(r1=c)dΦdy

        

        根據(jù)上面公式進行Matlab編程計算,再與仿真結(jié)果比較。

        3 徑向波導(dǎo)功率合成器的仿真設(shè)計

        利用CST對徑向波導(dǎo)功率合成器進行仿真設(shè)計,為了在腔體中傳輸主模,腔體高度小于在4 GHz的波長的一半,相鄰?fù)鈬结樀木嚯x約等于中心頻率2.5 GHz的波長的一半,外圍探針到腔體的距離等于2.5 GHz波長的1/4。經(jīng)過仿真優(yōu)化其S參數(shù)如圖3、圖4所示。

        圖3 徑向波導(dǎo)合成器S11

        圖4 傳輸損耗和隔離度[LL]

        其中隔離度由于外圍端口之間相對位置不一致而不同,工作頻帶內(nèi)大于7 dB。

        4 結(jié) 語

        本文設(shè)計的寬帶高功率徑向波導(dǎo)功率和成器,在駐波比小于1.1情況下工作帶寬為1.35~3.3 GHz,合成效率大于96%。

        參 考 文 獻

        [1]Russell K J.Microwave Power Combining Techniques.IEEE Trans.,1979,27:472-478.

        [2]Chang K,Sun C.Millimeter-Wave Power-Combining Techniques.IEEE,1983,31:91-107.

        [3]Josenhans J G.Diamond as an Insulating Heat Sink for a Series Combination of IMPATT Diodes.Proc.IEEE,1968,56:762-763.

        [4]Rucker C T,Hill G N.Symmetry Experiments with Four-Mesa IMPATT-Diodes.IEEE,1977,25:75-76.

        [5]Harp R S,Stover H L.Power Combining of X-Band IMPATT Circuit Modules.IEEE,1973:118-119.

        [6]Drubin C A,Hieber A L.A 1 kW peak,300W avg IMPATT Diode Injection Locked Oscillator.IEEE,1982:126-128.

        [7]Sanders B J.Radial Combiner Runs Circles Around Hybrids.Microwaves,1980:55-58.

        [8]Allen P J,Ness J B.A Hemispherical Radial Power-Waveguide Divider/Combiner for High Power Amplifiers.Ireecon,1987:102-104.

        [9]Oz M.Wideband Double-Ridged 8-Way Radial Combiner\\[C\\].14th European Microwave Conference Proceedings,1984:317-322.

        [10]Saleh A A M.Planar Electrically Symmetric n-Way Hybrid Power Dividers/Combiners.IEEE Trans.,1980:555-563.

        [11]Stones I,Goel J,Oransky G.An 18 GHz 8-Way Radial Combiner. IEEE,1983:163-165.

        [12]Staiman D,Breese M E,Patton W T.New Technique for Combining Solid-State Sources.IEEE,1968:238-243.

        [13]Robinson A W,Bialkowski M E.Quasi-Optical Amplifiers for Wireless LAN\\[C\\].Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings,1995:736-739.

        [14]Bialkowski M E,Waris V P.Electromagnetic Model of a Planar Radial-Waveguide Divider/Combiner Incorporating Probes.IEEE Trans.,1993,41:1 126-1 134.

        [15]Harrington R F.Time Harmonic Electromagnetic Fields\\[M\\].New York:McGraw-Hill,1961.

        [16]Bialkowski M E.Analysis of Disc-trpe Resonator Mounts in Parallel Plate and Rectangular Waveguides.AEU,1984,38:306-311.

        作者簡介

        曾小波 男,1979年出生,助教,碩士生。研究方向為射頻電子學(xué)應(yīng)用,微波器件仿真設(shè)計。

        注:本文中所涉及到的圖表、注解、公式等內(nèi)容請以PDF格式閱讀原文。

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