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6月27日，英特爾Woodcrest處理器的上市拉開了其服務(wù)器處理器架構(gòu)從NetBurst向酷睿轉(zhuǎn)移的大幕，而其新的Bensley服務(wù)器平臺的諸多先進(jìn)特性也將得以充分發(fā)揮。

處理器: 向酷睿挺進(jìn)

目前英特爾服務(wù)器Xeon處理器有兩個系列，面向雙路（DP）市場的5000系列和面向多路（MP）市場的7000系列處理器。而DP處理器產(chǎn)品又包括兩個大的系列——50××系列和51××系列。前者是基于NetBurst架構(gòu)的Xeon處理器，其65nm產(chǎn)品研發(fā)代號為Dempsey，后者則是基于英特爾最新酷睿（Core 2 Duo）架構(gòu)的產(chǎn)品，研發(fā)代號為Woodcrest。

去年第四季度，英特爾發(fā)布了基于NetBurst架構(gòu)的90nm Paxville雙核 Xeon處理器，包括有雙路和多路的產(chǎn)品，這也是英特爾第一款雙核服務(wù)器處理器產(chǎn)品。作為Paxville DP的后續(xù)產(chǎn)品，今年5月深圳IDF期間，英特爾發(fā)布了65nm的Xeon DP處理器Dempsey。

在低功耗市場，今年3月份美國IDF期間，英特爾推出了面向刀片和高密度市場的低電壓雙核Xeon處理器Sossaman。這是一款基于第一代酷睿（Core，即Yonah核心）的產(chǎn)品，其功耗僅為31W。

DP平臺在Woodcrest處理器上市后，將逐漸向酷睿架構(gòu)過渡。基于酷睿微架構(gòu)的四核Xeon DP處理器Clovertown也將于2007年第一季度上市。

在多路市場上，目前還是NetBurst架構(gòu)的天下。到今年第三季度，英特爾還將發(fā)布一款基于NetBurst架構(gòu)的多路Tulsa處理器，基于65nm工藝制造。估計這也是最后一款基于NetBurst架構(gòu)的Xeon處理器了。之后MP產(chǎn)品也將全面轉(zhuǎn)向酷睿微架構(gòu)。與DP市場不同，酷睿架構(gòu)的MP處理器很可能直接進(jìn)入四核產(chǎn)品，這就是計劃于Clovertown之后上市的四核Xeon MP處理器Tigerton。

Woodcrest: 功耗繼續(xù)下降

最新發(fā)布的Woodcrest處理器內(nèi)置了共享的4MB L2緩存，同時支持EM64T和SpeedStep節(jié)能技術(shù)。Woodcrest也成為第一款支持64位的酷睿架構(gòu)處理器。

在芯片發(fā)布時英特爾官方公布的數(shù)據(jù)中，Woodcrest與上一代處理器相比除了性能大幅提升外（提高135%），能耗也降低了40%。不過Woodcrest處理器的功耗隨主頻的變化也有不小的差異。

Woodcrest處理器分為標(biāo)準(zhǔn)版和低電壓版兩種。標(biāo)準(zhǔn)版主頻從1.6GHz到3GHz，其中1.6GHz到2.66GHz產(chǎn)品的TDP（Thermal Design Power，熱設(shè)計功耗，當(dāng)處理器達(dá)到最大負(fù)荷時候的功耗）為65W，最高主頻的3.0GHz產(chǎn)品TDP值為80W，而低電壓版2.33GHz產(chǎn)品（今年第三季度發(fā)布）TDP值僅為40W。從英特爾未來服務(wù)器處理器功耗路線圖（參見附表）來看，其長遠(yuǎn)目標(biāo)是將DP產(chǎn)品的主流處理器產(chǎn)品的TDP控制在80W，而LV產(chǎn)品的TDP值將保持不超過40W。

平臺: 關(guān)注功能提升

盡管最新發(fā)布的Woodcrest處理器創(chuàng)下了多項(xiàng)X86服務(wù)器的性能新記錄，但這僅僅是冰山之一角，應(yīng)該說其負(fù)載的平臺更值得關(guān)注。

今年5月，英特爾在深圳IDF上正式推出了Xeon DP服務(wù)器平臺——Bensley，其搭載的芯片組開發(fā)代碼為Blackford和Greencreek，即5000系列芯片組。其中Blackford系列面向服務(wù)器市場，包括5000P和5000V兩款芯片組，Greencreek面向工作站市場，正式命名為5000X。

從技術(shù)特性來看，Bensley平臺比上一代平臺有了多項(xiàng)增強(qiáng)，其中雙獨(dú)立前端總線和全緩沖DIMM（Fully Buffered DIMM，F(xiàn)BDIMM）都是第一次出現(xiàn)在英特爾的服務(wù)器平臺上。Bensley平臺不但支持目前的Dempsey和Woodcrest處理器，其硬件輔助虛擬化（VT）、iAMT、I/O加速（I/O AT）等多項(xiàng)平臺技術(shù)還將延續(xù)到下一代服務(wù)器平臺上。因此，Bensley堪稱一款承上啟下的服務(wù)器平臺，其技術(shù)基因?qū)τ⑻貭栁磥矸?wù)器的發(fā)展方向有著重要的深遠(yuǎn)意義。

兩項(xiàng)新技術(shù)提升系統(tǒng)性能

支持雙獨(dú)立前端總線和FBDIMM內(nèi)存對Bensley平臺性能的提升有至關(guān)重要的作用。

5000系列芯片組支持雙獨(dú)立總線，這是與之前的75××和72××系列Xeon DP平臺芯片組最大的不同。正是這一特性減少了雙核處理器對前端總線的爭用，處理器和內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)帶寬得以比以前有了很大的提高，同時FSB的頻率提升到了1333MHz——在Bensley平臺上，50××處理器最高能夠支持到1066MHz，51××處理器則能達(dá)到1333MHz的速度。在雙獨(dú)立總線下，處理器對外的數(shù)據(jù)帶寬分別達(dá)到了17GB/s和21GB/s。

不過，5000系列芯片組與上一代產(chǎn)品最大的區(qū)別還是提供了對FBDIMM內(nèi)存的支持。

其實(shí)，F(xiàn)BDIMM并不是一種新型的內(nèi)存規(guī)格，而僅僅是一種新型內(nèi)存連接架構(gòu)，其本質(zhì)上是一種串行內(nèi)存工作方式: 在普通的RAM芯片（目前采用的還是DDR2內(nèi)存芯片）中間通過一塊緩沖芯片AMB（Advanced Memory Buffer)模塊連接，AMB與北橋芯片中的內(nèi)存控制器連接。

在這種新型模式下，DRAM芯片不再直接與內(nèi)存控制器進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，而是通過AMB來執(zhí)行，DRAM之間數(shù)據(jù)交換也從傳統(tǒng)的并行連接變成了串行連接（在同一模組內(nèi)還是并行連接）。數(shù)據(jù)讀出和寫入操作可以在一個周期內(nèi)同時進(jìn)行，相當(dāng)于將內(nèi)存系統(tǒng)的延遲時間縮短了一半。

圖2 FBDIMM內(nèi)存，中間部分是AMB（Advanced Memory Buffer)模塊。

這是一種串行接口多路并聯(lián)的設(shè)計，與PCIe的工作特點(diǎn)很相似。由于采用串行連接，可以用更少的引腳建立更多的內(nèi)存通道，避免了傳統(tǒng)DIMM模組間所謂的“短線連接”電阻抗不連續(xù)的弊端，還可以使通道內(nèi)的芯片容量大幅度增加，從而擴(kuò)大了內(nèi)存子系統(tǒng)的容量，這對服務(wù)器系統(tǒng)來講是很重要的。

FBDIMM對現(xiàn)有的DDR2內(nèi)存技術(shù)不需要做改動，僅僅增加AMB模塊即可，因而進(jìn)入市場的障礙降低了很多。當(dāng)內(nèi)存規(guī)格發(fā)生變化時，F(xiàn)BDIMM只要調(diào)整AMB就可以保證內(nèi)存控制器不變，大大增加了系統(tǒng)的靈活性。

目前Bensley平臺支持533MHz/667MHz FBDIMM，配合雙獨(dú)立總線，使內(nèi)存通道增加為4條，可以充分利用1333MHz的總線吞吐能力。

性能和功能一個都不能少

從技術(shù)角度來看，平臺化戰(zhàn)略有一個重要的基礎(chǔ): 未來摩爾定律帶來的晶體管數(shù)量增加不僅僅用于性能提升，更重要的是還要帶來功能的增加。

與上一代平臺相比，Bensley集成了更多的功能。而伴隨著Xeon處理器從雙核逐漸向多核演進(jìn)，服務(wù)器平臺還將承載更多的重任。