CMOS的未來已經(jīng)在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界引起了極大的關(guān)注。CMOS有望在未來15年內(nèi)繼續(xù)生存下去。大多數(shù)人會(huì)認(rèn)為這是由于制造工藝實(shí)現(xiàn)了等比例縮小的緣故。但是問題的范圍要遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出等比例縮小。研究結(jié)果表明，在室溫下，CMOS等比例縮小超越ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)后所遇到的理論上的最終極限，將是1．5nm的特征尺寸、0．017eV的開關(guān)能量以及0．04ps的開關(guān)速度。