處理電壓對鈦合金微弧氧化膜相結(jié)構(gòu)的影響
2005-04-29 00:00:00龍北紅吳漢華龍北玉汪劍波于文學(xué)
吉林大學(xué)學(xué)報(理學(xué)版) 2005年2期
摘要：在Na2CO3—Na2SiO3溶液中，采用正負不對稱的專用交流高壓電源制備了鈦合金微弧氧化膜．利用X射線衍射研究了處理參數(shù)(陰、陽極峰值電壓，處理時間等)對微弧氧化膜相結(jié)構(gòu)的影響．實驗結(jié)果表明，氧化膜主要由金紅石和銳鈦礦的TiO2及少量不飽和氧化的Ti6O11(TiO1.83)相組成，它們在氧化膜中各自所占的比例受處理時間和陰、陽極峰值電壓的影響較大．當陰、陽極峰值電壓分別控制在45V和320V，處理時間為30min時，氧化膜中金紅石了10：的含量最高，達到80％．
關(guān)鍵詞：微弧氧化；鈦合金；處理電壓；相結(jié)構(gòu)
中圖分類號：TC174．53
文獻標識碼：A
文章編號：1671-5489(2005)02-0190—04
