基底偏壓對(duì)氮化硼薄膜場(chǎng)發(fā)射特性的影響
2005-04-29 00:44:03顧廣瑞李英愛林景波李全軍李哲奎鄭偉濤趙永年金曾孫
吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版) 2005年4期
顧廣瑞 李英愛 林景波 李全軍 李哲奎 鄭偉濤 趙永年 金曾孫
摘要：利用射頻磁控濺射方法，在n型(100)Si(0．008～0．02 Ω·m)基底上沉積了氮化硼 (BN)薄膜。紅外光譜分析表明，BN薄膜結(jié)構(gòu)均為六角BN(h-BN)相。在超高真空系統(tǒng)中測(cè)量了BN薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性，發(fā)現(xiàn)BN薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性與基底偏壓關(guān)系很大，閾值電場(chǎng)隨基底偏壓的增加先增加后減小?；灼珘簽椤?40V時(shí)BN薄膜樣品場(chǎng)發(fā)射特性要好于其他樣品，閾值電場(chǎng)低于8V／tμm。F～N曲線表明，在外加電場(chǎng)的作用下，電子隧穿BN薄膜表面勢(shì)壘發(fā)射到真空。
關(guān)鍵詞：BN薄膜；場(chǎng)發(fā)射；偏壓；粗糙度
中圖分類號(hào)：O647．2
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A
文章編號(hào)：1671—5489(1005)04—0513—04
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