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        基于硅隔離襯底的高深寬比微型杠桿機構(gòu)研究

        2005-04-29 00:44:03高建忠趙玉龍蔣莊德張奇功
        西安交通大學學報 2005年9期

        高建忠 趙玉龍 蔣莊德 楊 靜 張奇功

        摘要:針對微機電系統(tǒng)微執(zhí)行器輸出位移小,不能滿足實際工作需要的問題,設(shè)計了一種微型柔性杠桿位移放大機構(gòu),并用有限元方法對放大倍數(shù)及影響因素進行了分析。該機構(gòu)不含任何旋轉(zhuǎn)部件,利用單晶硅微梁的彈性變形來實現(xiàn)微位移的放大,采用深層反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將整個機構(gòu)制作在硅隔離襯底上,并把它置于 40%的HF溶液中使其成功釋放。對集成加工在同一襯底上的電熱微執(zhí)行器進行了性能測試,測試結(jié)果表明,在沒有優(yōu)化的條件下,加工的兩級微型杠桿機構(gòu)在14V工作電壓下的放大倍數(shù)為18.9倍,輸出位移達到36μm,測試結(jié)果與仿真結(jié)果相吻合。

        關(guān)鍵詞:微機電系統(tǒng);微型杠桿機構(gòu);高深寬比;硅隔離襯底

        中圖分類號:TN305文獻標識碼:A文章編號:0253—987X(2005)09—1007—04

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