摘要：文章研究磷化銦(InP)基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)和PIN光電二極管(PIN-PD)單片集成技術(shù)，利用器件的小信號(hào)等效電路詳細(xì)計(jì)算了長波長PIN／HBT光電子集成電路(OEIC)光接收機(jī)前端等效輸入噪聲電流均方根(日MS)功率譜密度。分析表明：對(duì)于高速光電器件，當(dāng)頻率在100 MHz2 GHz范圍內(nèi)時(shí)，基極電流引起的散粒噪聲不口基極電阻引起的熱噪聲起主要作用；頻率大于5 GHz時(shí)，集電極電流引起的散粒噪聲和基極電阻引起的熱噪聲起主要作用。在上述結(jié)論的基礎(chǔ)上，文章最后討論了在集成前端設(shè)計(jì)的過程中減小噪聲影響的基本方法。

關(guān)鍵詞：光接收機(jī)前端；磷化銦基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管；PIN光電探測器；噪聲電流；功率譜密度