等離子體刻蝕中工藝參數(shù)對(duì)刻蝕速率影響的研究
2004-04-29 17:25:01陳曉南楊培林龐宣明袁叢清
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2004年5期
陳曉南 楊培林 龐宣明 袁叢清
1實(shí)驗(yàn)
利用等離子體(IPC)可對(duì)硅進(jìn)行快速的刻蝕，但是其工藝參數(shù)對(duì)刻蝕結(jié)果的影響很大．本文在國(guó)產(chǎn)ICP—2B型刻蝕機(jī)上以SF6作為刻蝕氣體進(jìn)行了單晶硅的刻蝕實(shí)驗(yàn)．刻蝕機(jī)的主要性能參數(shù)：極限真空度為6Pa，電極尺寸為∮50，刻蝕速率為0．1～1．0／lm／min，刻蝕均勻性為片內(nèi)、片間均小于等于土5％．
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