鍵合
- 內(nèi)蒙古大學(xué)功能高分子材料課題組
現(xiàn)強(qiáng)而有選擇性的鍵合，形成穩(wěn)定的主-客體配合物，其鍵合穩(wěn)定常數(shù)可以與天然抗體-抗原相當(dāng)。利用CB[n]對(duì)客體超強(qiáng)的鍵合能力，通過非共價(jià)鍵相互作用，可以與目標(biāo)分子形成穩(wěn)定復(fù)合物，利用此特點(diǎn)，本課題組開發(fā)了便攜式金屬離子檢測(cè)凝膠，動(dòng)態(tài)共價(jià)鍵交聯(lián)的油水分離膜材料，特異性識(shí)別的分子印跡聚合物材料等。成果已經(jīng)申請(qǐng)國(guó)家專利，發(fā)表了多篇SCI論文。油田用聚合物材料的設(shè)計(jì)及應(yīng)用。在石油開采過程中，隨著油藏溫度和地層水礦化度的不斷升高，聚合物溶液的性能會(huì)發(fā)生顯著變化，從而影
當(dāng)代化工研究 2023年19期2023-11-28
- 超聲波鍵合壓力自適應(yīng)平衡裝置設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)研究
]等領(lǐng)域。超聲波鍵合是利用匯聚的短時(shí)超聲能量使聚合物局部結(jié)構(gòu)熔融,待冷卻固化后實(shí)現(xiàn)芯片連接的技術(shù),具有效率高、強(qiáng)度高、無(wú)需中間介質(zhì)、生物兼容性好的優(yōu)點(diǎn),是實(shí)現(xiàn)即時(shí)檢測(cè)芯片批量生產(chǎn)的有效途徑之一[8]。在超聲波鍵合過程中,焊頭與待鍵合芯片的平行度對(duì)芯片的鍵合精度、鍵合均勻性和微通道的高度有著顯著影響,不良的鍵合質(zhì)量會(huì)降低即時(shí)檢測(cè)芯片在后續(xù)生化檢測(cè)過程中的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確度,因此必須對(duì)焊頭和芯片進(jìn)行精密調(diào)平。調(diào)平技術(shù)主要可分為主動(dòng)式調(diào)平和被動(dòng)式調(diào)平[9]。主動(dòng)式調(diào)
中國(guó)機(jī)械工程 2023年16期2023-09-06
- 基于銅銦微納米層常溫超聲輔助瞬態(tài)固相鍵合技術(shù)
超聲輔助瞬態(tài)固相鍵合技術(shù)肖金，翟倩，周艷瓊，李武初，陳基松，王超超（廣州華立學(xué)院，廣州 511300）采用針狀形貌銅銦微納米層和超聲能量，在常溫下實(shí)現(xiàn)鍵合互連，保證互連的可靠性，從而解決傳統(tǒng)回流焊工藝因高溫引發(fā)的高熱應(yīng)力、信號(hào)延遲加劇等問題。將鍍有銅銦微納米層的基板表面作為鍵合偶，對(duì)鍵合接觸區(qū)域施加超聲能量和一定壓力，實(shí)現(xiàn)2塊銅銦基板的瞬態(tài)固相鍵合。用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、X射線衍射（XRD）、焊接強(qiáng)度測(cè)試儀等分析鍵合界面處的顯微組織、金屬間化合
表面技術(shù) 2022年12期2023-01-09
- 先進(jìn)封裝中銅-銅低溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展
來(lái)，Cu-Cu 鍵合新方法發(fā)展迅速，無(wú)Sn 元素的使用避免了上述問題的出現(xiàn).具體而言，Cu-Cu 鍵合具有以下優(yōu)勢(shì)：①Cu 在鍵合過程中全程保持固態(tài)，無(wú)軟釬焊的外溢問題，可實(shí)現(xiàn)窄節(jié)距互連；② 具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，良好的抗電遷移能力和熱機(jī)械可靠性；③Cu 是半導(dǎo)體制造中的常用金屬，工藝兼容性好且材料成本低廉.綜合上述因素，Cu-Cu 鍵合技術(shù)可滿足高密度、高可靠互連，未來(lái)最有可能獲得大規(guī)模應(yīng)用.然而，Cu-Cu 鍵合也面臨諸多新的挑戰(zhàn)，如銅的熔點(diǎn)(1
焊接學(xué)報(bào) 2022年11期2023-01-08
- Pt催化甲酸氣氛下的碳化硅低溫鍵合
。SiC-SiC鍵合在SiC基MEMS傳感器制備、功率器件集成等方面有著重要作用。目前,實(shí)現(xiàn)鍵合的方法主要有以下幾種:親水處理直接鍵合[5-10]、表面活化鍵合(Surface activated bonding, SAB)[11-13]、黏結(jié)劑鍵合[14-15]、金屬中間層鍵合[15-16]等。2020年,Li等[10]采用HF處理SiC表面去除氧化層,在1 100 ℃,50 MPa下鍵合4 h,實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度為6.96 MPa的鍵合。Mu等[11-13]采用
哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2022年12期2022-12-14
- 塑封器件漏電失效分析及解決措施
、封裝應(yīng)力過大和鍵合異常等[8-9]。在對(duì)失效樣品進(jìn)行分析時(shí)，為了避免在分析過程中破壞失效位置或者引入其他失效因素，導(dǎo)致真實(shí)的失效原因被其他因素遮蓋，應(yīng)遵循先無(wú)損后有損的分析流程。本文結(jié)合電路的實(shí)際情況，失效分析流程圖如圖1所示。圖1 失效分析流程針對(duì)本文中的電路漏電情況的失效原因可能為芯片破損、芯片內(nèi)部沾污、鍵合異常和塑封樹脂異常等，制定了如表1所示的各種失效分析手段。表1 失效分析手段及目的3 分析結(jié)果3.1 外部目檢采用光學(xué)顯微鏡對(duì)塑封器件的外觀進(jìn)行
電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn) 2022年5期2022-11-17
- 優(yōu)化關(guān)鍵工藝參數(shù)提升功率器件引線鍵合的可靠性
要求[1]，引線鍵合工藝是實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部器件與外部管腳之間可靠電氣連接的至關(guān)重要環(huán)節(jié)[2]。超聲引線鍵合是目前的主流鍵合技術(shù)，具備低熱預(yù)算、高經(jīng)濟(jì)性、強(qiáng)適配性等優(yōu)點(diǎn)[3]，占據(jù)了90%以上的應(yīng)用市場(chǎng)。然而有統(tǒng)計(jì)表明，超過25%的半導(dǎo)體器件的可靠性問題是由引線鍵合失效導(dǎo)致[4]。由于功率器件的工作電壓/電流較高，對(duì)工藝參數(shù)的優(yōu)化和可靠性提升提出了更高要求[5]。在超聲引線鍵合工藝中，對(duì)引線鍵合可靠性影響最大的關(guān)鍵工藝參數(shù)有超聲功率、鍵合壓力、鍵合時(shí)間等[6-8
電子測(cè)試 2022年19期2022-11-11
- 漆酚酯鍵合SiO2色譜柱分離純化天麻素及其熱力學(xué)研究
利用自制的漆酚酯鍵合SiO2色譜柱對(duì)中藥天麻的主要活性成分天麻素進(jìn)行分離純化，以天麻素的結(jié)構(gòu)類似物苯基-β-D-吡喃葡萄糖苷(PGL)和4-甲氧基苯基-β-D-吡喃葡萄糖苷(MGL)作為競(jìng)爭(zhēng)分子，考察漆酚酯鍵合SiO2色譜柱對(duì)天麻素的分離性能，并利用 Van’t Hoff 方程對(duì)其分離過程的熱力學(xué)進(jìn)行研究，以期為天麻素的分離純化提供一種新的思路。1 實(shí) 驗(yàn)1.1 原料、試劑與儀器天麻(GastrodiaelataBl.)干樣，湖北恩施。磷酸、無(wú)水乙醇和石油
林產(chǎn)化學(xué)與工業(yè) 2022年5期2022-11-03
- 微電子封裝用主流鍵合銅絲半導(dǎo)體封裝技術(shù)
、芯片貼裝、引線鍵合以及后面的塑封、成型、測(cè)試等。其中，引線鍵合主要利用金、鋁、銅、錫等金屬導(dǎo)線建立引線與半導(dǎo)體內(nèi)部芯片之間的聯(lián)系，引線鍵合能夠?qū)⒔饘俨己竻^(qū)或微電子封裝I/O 引線等與半導(dǎo)體芯片焊區(qū)連接，是半導(dǎo)體封裝工藝的重要工序環(huán)節(jié)，其施工質(zhì)量對(duì)于半導(dǎo)體功能應(yīng)用的發(fā)揮具有較大影響。相對(duì)于金絲而言，鍵合銅絲具有更低的生產(chǎn)成本和良好的導(dǎo)電性能，使其在半導(dǎo)體封裝以及集成電路、LED 等眾多領(lǐng)域得到推廣應(yīng)用。1 鍵合銅絲的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)分析在材料成本方面，金絲是銅絲材
電子制作 2022年14期2022-08-17
- Au-Al共晶鍵合在MEMS器件封裝中應(yīng)用的研究*
裝最重要的工藝是鍵合,常見的鍵合方式有硅—硅鍵合、陽(yáng)極鍵合、玻璃漿料鍵合和共晶鍵合。硅—硅鍵合具有熱應(yīng)力小的優(yōu)點(diǎn),但是對(duì)硅片表面的粗糙度和清潔程度要求較高,工藝難度較大；陽(yáng)極鍵合工藝成熟,但玻璃和硅兩種材料存在一定的應(yīng)力影響；玻璃漿料鍵合工藝過程耗時(shí)長(zhǎng),熱應(yīng)力較大,鍵合區(qū)域所需面積大,不利于后期的集成。共晶鍵合采用金屬作為鍵合材料,可以提供很好的密封性和機(jī)械強(qiáng)度,采用較窄的金屬密封圈可以實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)MEMS器件的有效封裝。Au和Al兩種金屬是半導(dǎo)體工藝中廣泛
傳感器與微系統(tǒng) 2022年7期2022-07-15
- 熱壓鍵合工藝參數(shù)對(duì)微流控芯片微通道尺寸變形的影響
通道，然后以熱壓鍵合[9]、膠黏鍵合、激光鍵合[10]等方式在基片上鍵合蓋片來(lái)實(shí)現(xiàn)微通道的封合。但因微流控芯片鍵合困難、制造周期長(zhǎng)，只適合單件、小批量生產(chǎn)，無(wú)法產(chǎn)業(yè)化[11]。目前，在聚合物芯片的鍵合中，熱壓鍵合應(yīng)用最為廣泛。然而不恰當(dāng)?shù)?span id="i0kc000" class="hl">鍵合工藝會(huì)造成芯片微通道嚴(yán)重變形甚至微結(jié)構(gòu)塌陷破壞，同時(shí)也會(huì)造成芯片鍵合不牢固、鍵合強(qiáng)度太低等問題，無(wú)法實(shí)現(xiàn)后續(xù)的微滴生成和檢測(cè)實(shí)驗(yàn)，嚴(yán)重影響芯片的使用[12]。為提高微通道的尺寸精度減小微通道變形，F(xiàn)u 等[13]采用正
高分子材料科學(xué)與工程 2022年2期2022-06-22
- 基于厚膜電路的金絲球焊鍵合工藝技術(shù)研究
技術(shù)(SMT)和鍵合技術(shù)，組裝半導(dǎo)體芯片和其它片式元件，構(gòu)成具有一定功能的微電路。目前，以厚膜電路組成的混合集成電路中，引線鍵合仍然是最主要的連接方式[1]。以常用的鍵合材料來(lái)分，引線鍵合分為金絲鍵合與鋁絲鍵合。以采用的鍵合方式來(lái)分，引線鍵合通常有三種方式: 熱壓鍵合、超聲鍵合、超聲熱壓鍵合[2]。厚膜電路作為微組裝技術(shù)中的核心部件，為裸芯片與其電氣互聯(lián)提供載體支撐。裸芯片一般采用導(dǎo)電膠進(jìn)行粘接，實(shí)現(xiàn)芯片背面電極與厚膜電路的連接，而裸芯片表面電極一般采用金
機(jī)電元件 2022年2期2022-05-06
- MEMS器件用Cavity-SOI制備中的晶圓鍵合工藝研究
器件層裸硅片直接鍵合可形成預(yù)埋腔體絕緣體上硅(Cavity-SOI)[1～3]。Cavity-SOI的發(fā)明可以使MEMS敏感結(jié)構(gòu)與襯底之間形成大于埋氧層的垂直距離，有利于減少與襯底之間的寄生電容；同時(shí)在MEMS敏感結(jié)構(gòu)加工時(shí)，器件層經(jīng)過干法刻蝕即可實(shí)現(xiàn)可動(dòng)結(jié)構(gòu)的釋放，可以省去常規(guī)SOI片制備MEMS器件時(shí)所需的氣態(tài)氫氟酸釋放工藝，有利于工藝過程控制。Cavity-SOI為MEMS器件的設(shè)計(jì)和工藝加工提供了更多的靈活性和工藝可控性，并廣泛應(yīng)用于諧振器[4]、
傳感器與微系統(tǒng) 2022年3期2022-03-23
- 基于不同鍵合參數(shù)的Cu-Sn-Cu 微凸點(diǎn)失效模式分析
9-10]。芯片鍵合過程中，鍵合質(zhì)量參差不齊，導(dǎo)致芯片性能差異明顯。本文針對(duì)不同鍵合參數(shù)下的芯片鍵合樣品，在不同電流密度負(fù)載下進(jìn)行了電遷移試驗(yàn)，以獲得不同鍵合質(zhì)量芯片在不同負(fù)載下的失效模式及凸點(diǎn)內(nèi)部組織演變行為。2 Cu-Sn-Cu 微凸點(diǎn)倒裝芯片本文采用了一款Cu-Sn-Cu 互連微凸點(diǎn)倒裝芯片，芯片設(shè)計(jì)如圖1 所示。圖1 Cu-Sn-Cu 倒裝芯片（單位：mm）芯片共54 個(gè)微凸點(diǎn)，并設(shè)計(jì)有相應(yīng)標(biāo)記點(diǎn)用于鍵合時(shí)的識(shí)別對(duì)準(zhǔn)。鍵合完成后，芯片A-A、B-B
電子與封裝 2022年1期2022-02-17
- 壓電噴墨腔室鍵合工藝的研究
。目前噴墨腔室的鍵合工藝方法主要有膠粘鍵合、硅硅高溫鍵合、硅硅低溫鍵合、熱鍵合、干膜層壓鍵合等。Shen等[11]結(jié)合微電鑄和微注塑工藝制作噴墨打印頭的開放腔室，再通過膠粘鍵合的方法將開放腔室與發(fā)熱元件組合在一起，得到熱氣泡式噴墨打印頭。這種工藝可以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，但是在膠粘過程中黏結(jié)劑容易造成流體通道堵塞。Kim等[12]利用高溫硅硅鍵合的方法制作一體化的噴墨腔室，先在兩個(gè)硅片上刻蝕出微通道，然后在1 200℃的高溫下進(jìn)行硅與硅的鍵合。這種工藝鍵合時(shí)經(jīng)過
機(jī)電工程技術(shù) 2021年10期2021-11-23
- Cu-Sn-Cu互連微凸點(diǎn)熱壓鍵合研究
互連技術(shù)包括引線鍵合、載帶自動(dòng)焊以及倒裝焊；隨著微電子封裝朝著更小尺寸、更高集成度和更優(yōu)異性能方向的發(fā)展，基于硅通孔技術(shù)的三維集成封裝出現(xiàn)在封裝行業(yè)中。而在目前的實(shí)際生產(chǎn)中，市場(chǎng)占比最多、應(yīng)用最為廣泛的當(dāng)屬倒裝芯片鍵合技術(shù)[3]。倒裝鍵合是一種在芯片和基底之間采用微凸點(diǎn)進(jìn)行互連的小型化、高集成密度的封裝技術(shù)[4]。相對(duì)于傳統(tǒng)的引線鍵合技術(shù)，倒裝鍵合互連路徑更短，綜合性能更高[5-6]。倒裝鍵合焊接面積與芯片面積大小一致，其封裝密度很高，實(shí)際生產(chǎn)中基本達(dá)到了
電子與封裝 2021年9期2021-10-13
- 功率器件引線鍵合參數(shù)研究*
電壓大電流，引線鍵合的鍵合點(diǎn)質(zhì)量直接影響IGBT模塊的可靠性，因此提高IGBT引線鍵合強(qiáng)度，降低引線脫落的概率，有助于提高器件的穩(wěn)定性和壽命，鍵合參數(shù)優(yōu)化、材料選擇、鍵合工具的正確使用是提高鍵合可靠性的主要途徑，其中最關(guān)鍵的是鍵合參數(shù)的優(yōu)化。本文結(jié)合功率器件自身特性，研究多鍵合點(diǎn)情況下芯片區(qū)域第一鍵合點(diǎn)和第二鍵合點(diǎn)參數(shù)特征，通過測(cè)試鍵合點(diǎn)的剪切力，研究鍵合參數(shù)與鍵合質(zhì)量的關(guān)系。首先采用單因子法，分別對(duì)不同因素進(jìn)行研究，確定出各因素的水平，然后使用正交試驗(yàn)法
電子與封裝 2021年7期2021-07-29
- 基于Rogers 5880復(fù)合介質(zhì)基板的金絲楔焊鍵合工藝參數(shù)研究
組件封裝中，金絲鍵合是實(shí)現(xiàn)微波組件電氣互連的關(guān)鍵技術(shù)，通常用于組件中裸芯片與微帶線的鍵合互連。因其具有工藝操作簡(jiǎn)單、加工成本低、熱匹配性能好及熱膨脹系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已廣泛用于微波組件產(chǎn)品中，在實(shí)際生產(chǎn)中具有顯著的應(yīng)用價(jià)值。［1?2］金絲鍵合質(zhì)量的優(yōu)劣直接決定了微波組件的可靠性和穩(wěn)定性，影響著設(shè)備的整體電性能。研究表明鍵合質(zhì)量受鍵合引線材料、鍵合焊盤質(zhì)量和鍵合工藝參數(shù)等因素的影響，其中鍵合工藝參數(shù)的匹配尤為重要。［3?4］在實(shí)際操作過程中，只有充分掌握鍵合設(shè)
雷達(dá)與對(duì)抗 2021年2期2021-06-18
- 大氣條件下InP和金剛石襯底直接鍵合實(shí)現(xiàn)高效散熱
熱襯底與器件直接鍵合是減小熱阻的理想選擇。而目前關(guān)于 InP 和金剛石襯底直接鍵合的研究還很少。來(lái)自日本國(guó)家先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所的Takashi Matsumae團(tuán)隊(duì)通過將氧等離子體活化的 InP 基板和用NH3/H2O2清潔的金剛石襯底在大氣條件下接觸，隨后將InP/金剛石復(fù)合樣品在 250℃ 下退火，使兩種材料通過厚度為 3 nm 的非晶中間層形成了剪切強(qiáng)度為 9.3 MPa 的原子鍵。相關(guān)論文以題為"Lowtemperature direct bo
超硬材料工程 2021年3期2021-04-10
- 鍵合參數(shù)對(duì)Ag-5Au鍵合合金線無(wú)空氣焊球及鍵合強(qiáng)度影響研究*
發(fā)展，與之相關(guān)的鍵合引線的要求也就越來(lái)越高，高性能鍵合引線成為人們研究的熱點(diǎn)[1-4]。Ag基鍵合合金線因?yàn)槠涓邔?dǎo)電率、易成球、工藝參數(shù)與金線相似、鍵合適應(yīng)性強(qiáng)、成本適當(dāng)?shù)鹊膬?yōu)勢(shì)，開始應(yīng)用在微電子封裝中[5-9]。近年來(lái)國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)Ag基鍵合合金線進(jìn)行了不少試驗(yàn)研究，Chuang[10]等研究得出Ag-4Pd鍵合合金線在熱處理過程中容易形成孿晶組織的結(jié)論；曹軍[11]等總結(jié)得出銀合金線在機(jī)械性能、鍵合性能、抗腐蝕與抗氧化性能及可靠性方面具有明顯優(yōu)勢(shì)的結(jié)論；
功能材料 2020年10期2020-11-09
- 金錫熔封對(duì)引線鍵合強(qiáng)度影響研究
[1-3]。引線鍵合工藝是最為成熟的互聯(lián)技術(shù)，現(xiàn)階段仍然是最為廣泛使用的一級(jí)封裝互聯(lián)工藝。隨著原材料制造的發(fā)展，鍵合絲從傳統(tǒng)的金絲、鋁絲逐步向銅絲、銀絲和帶有鍍層的多種合金絲發(fā)展。表征引線鍵合能力和可靠性的方法很多，包括鍵合拉力測(cè)量、焊點(diǎn)剪切強(qiáng)度測(cè)量等[4-5]。國(guó)內(nèi)外大量學(xué)者研究引線鍵合可靠性的問題，主要集中在引線鍵合區(qū)，尤其是金屬互聯(lián)時(shí)可能產(chǎn)生的金屬間化合物[6]。一般來(lái)講，金屬間化合物有利于焊接材料之間形成牢固的結(jié)合，但應(yīng)盡可能避免形成脆性金屬間化合
微處理機(jī) 2020年5期2020-10-20
- 漆酚酯鍵合硅膠液相色譜固定相的制備與應(yīng)用
將設(shè)計(jì)的色譜配體鍵合到硅烷化硅膠上以得到色譜固定相[9-12],從而制備一系列具有不同分離性能的色譜柱。研究表明,天然化合物獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使其具有作為色譜配體的能力,能用于相似結(jié)構(gòu)物質(zhì)的分離富集,并且由于其具有天然、低毒或無(wú)毒性質(zhì),人工合成配體無(wú)法達(dá)到這種效果[13-15]。生漆是我國(guó)特有的優(yōu)質(zhì)天然植物資源,對(duì)環(huán)境友好,可生物降解。漆酚是生漆的主要成分,是一種具有15或17個(gè)碳原子的烷基長(zhǎng)側(cè)鏈的鄰苯二酚衍生物的混合物[16,17],側(cè)鏈的不飽和度為0～3,其獨(dú)
色譜 2020年11期2020-09-23
- 含季銨鹽的芳酰腙配體的銅 (Ⅱ)配合物的合成和表征：體外DNA鍵合和核酸酶活性
Eda ?engül Elif Cansu G?k?e Topkaya Tolga G?ktürk Ramazan Gup(Department of Chemistry,Faculty of Science,Mugla S?tk? Ko?man University,48000,Kotekli-Mugla,Turkey)0 IntroductionDNA is the storage and transport of genetic informatio
無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào) 2020年7期2020-07-20
- 封裝領(lǐng)域鍵合銅絲的專利綜述
摘 要：鍵合銅絲由于優(yōu)良的綜合性能在當(dāng)今微電子封裝中受到重點(diǎn)關(guān)注，本文指出了鍵合銅絲在世界各國(guó)的發(fā)展趨勢(shì)，并重點(diǎn)分析了重要申請(qǐng)人在該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。關(guān)鍵詞：鍵合銅絲;微電子封裝引言近年來(lái)，由于黃金價(jià)格不斷攀升，迫于封裝成本高的壓力，傳統(tǒng)的引線鍵合材料——鍵合金絲正受到越來(lái)越大的挑戰(zhàn)，微電子封裝廠商不得不考慮采用其他的鍵合絲替代金絲;銅絲與金絲相比，具有很大的成本優(yōu)勢(shì)，而且也具有優(yōu)良的高導(dǎo)電導(dǎo)熱率和機(jī)械性能等，是替代金絲的理想引線鍵合材料，且隨著銅絲鍵合新工
裝備維修技術(shù) 2020年25期2020-06-10
- 封裝領(lǐng)域鍵合銅絲的專利綜述
摘 要：鍵合銅絲由于優(yōu)良的綜合性能在當(dāng)今微電子封裝中受到重點(diǎn)關(guān)注，本文指出了鍵合銅絲在世界各國(guó)的發(fā)展趨勢(shì)，并重點(diǎn)分析了重要申請(qǐng)人在該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。關(guān)鍵詞：鍵合銅絲;微電子封裝引言近年來(lái)，由于黃金價(jià)格不斷攀升，迫于封裝成本高的壓力，傳統(tǒng)的引線鍵合材料——鍵合金絲正受到越來(lái)越大的挑戰(zhàn)，微電子封裝廠商不得不考慮采用其他的鍵合絲替代金絲;銅絲與金絲相比，具有很大的成本優(yōu)勢(shì)，而且也具有優(yōu)良的高導(dǎo)電導(dǎo)熱率和機(jī)械性能等，是替代金絲的理想引線鍵合材料，且隨著銅絲鍵合新工
裝備維修技術(shù) 2020年35期2020-06-06
- 含噁二唑大環(huán)冠醚的合成、結(jié)構(gòu)及金屬離子識(shí)別性能
金屬離子的選擇性鍵合一直是化學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一. 1,3,4-噁二唑及其取代衍生物是一類重要的生物活性物質(zhì)[1～5],而某些取代的噁二唑也是重要的光敏物質(zhì)[6,7],可作為熒光劑、激光材料和閃爍劑,因此研究人員對(duì)該類化合物的合成進(jìn)行了廣泛而深入的研究. 2,5-二芳基-1,3,4-噁二唑[8～10]是廣泛使用的一類電子傳輸材料,其結(jié)構(gòu)中的噁二唑基團(tuán)具有突出的三維親電子性能,并且具有較高的熒光量子效率. 關(guān)于二苯聯(lián)噁二唑大環(huán)化合物的合成及其結(jié)構(gòu)研究已有較多
高等學(xué)?；瘜W(xué)學(xué)報(bào) 2020年3期2020-03-12
- 影響鋁線鍵合失效因素及失效分析
廣泛應(yīng)用，對(duì)器件鍵合系統(tǒng)的可靠性要求也更加苛刻。半導(dǎo)體功率器件和電子元器件產(chǎn)品的引線鍵合失效是半導(dǎo)體分離器件、混合集成電路等常見的失效模式[1]。因此、迫切要求我們分析影響鍵合鋁線鍵合強(qiáng)度的因素，并且根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)中遇到的問題進(jìn)行失效分析。2 影響粗鋁線鍵合失效的因素及失效分析超聲波鍵合的原理是壓電陶瓷將超聲發(fā)生器產(chǎn)生的高頻正弦功率信號(hào)轉(zhuǎn)變成機(jī)械振動(dòng)，振動(dòng)經(jīng)傳輸放大并匯聚后作用在鍵合界面上，在機(jī)械能和鍵合力的作用下，劈刀中的鋁線與界面發(fā)生摩擦，去除沾污并且將
電子技術(shù)與軟件工程 2020年21期2020-02-04
- 智能制造 鍵合球脫現(xiàn)象的調(diào)查分析及質(zhì)量管控
壓焊技術(shù)仍占封裝鍵合工藝的主流。本文主要針對(duì)球壓焊工藝中出現(xiàn)的球脫現(xiàn)象進(jìn)行調(diào)查分析，解決封裝不良導(dǎo)致的測(cè)試失效及可靠性不良等問題，并從量產(chǎn)角度上提出質(zhì)量管控方法。關(guān)鍵詞：鍵合;球脫;質(zhì)量管控;封裝工藝中圖分類號(hào)：TH161+.1? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：2096-4706（2019）08-0172-03Abstract：With the popularization of consumer electronics，the capacity of
現(xiàn)代信息科技 2019年8期2019-09-10
- 從專利角度分析微流控芯片的鍵合技術(shù)
型蓋片和基片以及鍵合微流控芯片。而鍵合是微流控芯片加工中的一個(gè)關(guān)鍵的工藝環(huán)節(jié)。本文對(duì)微流控芯片的鍵合技術(shù)在我國(guó)的專利申請(qǐng)情況進(jìn)行了分析，以便更好了解該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展概況。1 鍵合技術(shù)在中國(guó)專利申請(qǐng)技術(shù)分析本文以2019 年1 月1 日之前向中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交并公開公告的專利申請(qǐng)為研究對(duì)象，數(shù)據(jù)來(lái)源于國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局的專利檢索與服務(wù)系統(tǒng)中的中國(guó)專利文摘數(shù)據(jù)庫(kù)（簡(jiǎn)稱“CNABS”數(shù)據(jù)庫(kù)）。檢索式為 (微流控芯片s(鍵合or 封接)and(apd＜201
云南化工 2019年4期2019-07-19
- SSB鍵合在COB封裝中的應(yīng)用研究
刷電路板上，通過鍵合線與電路板鍵合，然后進(jìn)行芯片的鈍化和保護(hù)，其結(jié)構(gòu)如圖1所示[1]。如果裸芯片直接暴露在空氣中，易受污染或人為損壞，將難以實(shí)現(xiàn)芯片功能，因此須用膠把芯片和鍵合引線包封起來(lái)，這種封裝形式也被稱為軟包封。引線鍵合是裸芯片與電路板相連接的過程，為電源和信號(hào)的分配提供電路連接[2]，鍵合工藝質(zhì)量的好壞直接關(guān)系到整個(gè)封裝器件的性能和可靠性，也直接影響到封裝的總厚度。在COB 封裝中，由于將裸芯片直接貼裝在印制電路板上，沒有對(duì)其單獨(dú)封裝，所以能有效地
微處理機(jī) 2019年3期2019-06-27
- 表面有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合技術(shù)
鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著MEMS技術(shù)的發(fā)展，越來(lái)越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合(silicon directly bonding,SDB)技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理, 這大大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。Abouie M等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提
傳感器與微系統(tǒng) 2019年6期2019-06-05
- 陽(yáng)極鍵合研究現(xiàn)狀及影響因素
30024)陽(yáng)極鍵合技術(shù)始于1968年美國(guó)學(xué)者Pomerantz的一次偶然實(shí)驗(yàn)，實(shí)驗(yàn)中相互重疊的玻璃和金屬在加熱時(shí)通入直流電后竟使金屬牢固的連接到玻璃上.1年后， Pomerantz和Willis發(fā)表了關(guān)于玻璃(陶瓷)與金屬在靜電場(chǎng)下建立連接的報(bào)道[1-2].報(bào)道中提到將一片硅酸鹽玻璃放置與兩片金屬之間并加熱，而后在這兩片金屬兩端施加一個(gè)靜電場(chǎng)形成回路，經(jīng)過一段時(shí)間后發(fā)現(xiàn)，連接陽(yáng)極的金屬片與玻璃發(fā)生連接，因而這種連接方式稱之為“陽(yáng)極鍵合”，或者“場(chǎng)助鍵合”
材料科學(xué)與工藝 2018年5期2018-11-20
- 晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展
001）晶圓直接鍵合及室溫鍵合技術(shù)研究進(jìn)展王晨曦，王特，許繼開，王源，田艷紅（哈爾濱工業(yè)大學(xué) 先進(jìn)焊接與連接國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，哈爾濱 150001）晶圓直接鍵合技術(shù)可以使經(jīng)過拋光的半導(dǎo)體晶圓，在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起，該技術(shù)在微電子制造、微機(jī)電系統(tǒng)封裝、多功能芯片集成以及其他新興領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。對(duì)于一些溫度敏感器件或者熱膨脹系數(shù)差異較大的材料進(jìn)行鍵合時(shí)，傳統(tǒng)的高溫鍵合方法已經(jīng)不再適用。如何在較低退火溫度甚至無(wú)需加熱的室溫條件下，實(shí)現(xiàn)牢固的鍵合是晶
精密成形工程 2018年1期2018-01-10
- 絕緣層上鍺(GOI)材料的表征測(cè)試
試院 阮育嬌晶片鍵合技術(shù)已成為半導(dǎo)體器件制備中的一項(xiàng)重要工藝，目前廣泛地應(yīng)用于SOI (Silicon-on-insulator)、GOI (Germanium-oninsulator)結(jié)構(gòu)以及硅基Ш-V族結(jié)構(gòu)的制備，在硅基光電集成方面具有廣闊的應(yīng)用前景。本文采用鍵合技術(shù)結(jié)合智能剝離方法制備了絕緣層上鍺(GOI)材料，并通過原子力顯微鏡(AFM)、掃描聲學(xué)顯微鏡(SAM)、透射電鏡(TEM)、以及X射線衍射(XRD)等對(duì)GOI的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征和分析。非破
電子世界 2017年22期2017-12-02
- 多功能鍵合儀研制及在教學(xué)中的應(yīng)用
技術(shù)與方法多功能鍵合儀研制及在教學(xué)中的應(yīng)用王 蔚， 封 迪， 田 麗(哈爾濱工業(yè)大學(xué) 航天學(xué)院， 黑龍江 哈爾濱 150001)對(duì)硅/玻璃陽(yáng)極鍵合進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)技術(shù)研究,闡述了實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)思路;確定了實(shí)驗(yàn)的內(nèi)容和方法,據(jù)此研制出能直觀顯示硅/玻璃界面鍵合情況以及鍵合電流-時(shí)間曲線的多功能鍵合實(shí)驗(yàn)儀。通過鍵合操作、現(xiàn)象觀察和深入分析，使學(xué)生更加深入了解鍵合機(jī)理、掌握影響鍵合效果與效率的主要因素。該實(shí)驗(yàn)技術(shù)有助于提升學(xué)生的動(dòng)手能力、分析能力以及綜合素質(zhì)。陽(yáng)極鍵合； 教
實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理 2017年11期2017-11-27
- 多結(jié)太陽(yáng)電池用鍵合技術(shù)
)多結(jié)太陽(yáng)電池用鍵合技術(shù)張無(wú)迪，王 赫，劉麗蕊，孫 強(qiáng)，肖志斌(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十八研究所，天津300384)介紹了使用鍵合技術(shù)制備高效多結(jié)太陽(yáng)電池的方法，即在不同材料襯底依次外延生長(zhǎng)晶格匹配子電池，再通過鍵合技術(shù)將二者集成至一起。著重介紹了多種實(shí)現(xiàn)子電池集成的鍵合技術(shù)，并分析了其技術(shù)特點(diǎn)。鍵合；多結(jié)太陽(yáng)電池；晶格匹配Abstract:Fabrication method of high-efficiency multi-junction solar
電源技術(shù) 2017年9期2017-10-17
- MEMES壓力傳感器技術(shù)組成分析
以及封裝過程中的鍵合技術(shù)的分類和發(fā)展進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。關(guān)鍵詞 MEMS；壓力傳感器；材料；蝕刻；鍵合中圖分類號(hào) TP2 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼 A 文章編號(hào) 2095-6363（2017）15-0099-02MEMS是微機(jī)電系統(tǒng)的英文縮寫，是1959年12月由理查德·費(fèi)曼最早提出的概念，是將微觀模擬機(jī)械元件機(jī)構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號(hào)處理和控制電路、直至接口、信號(hào)傳輸和電源等集成于一體構(gòu)筑而成的可以批量制作的復(fù)雜的微型器件或包括該器件的系統(tǒng)，其開發(fā)始于20世紀(jì)
科學(xué)家 2017年15期2017-09-20
- 晶片的初始宏觀形變對(duì)硅-硅直接鍵合的影響
形變對(duì)硅-硅直接鍵合的影響陳 晨，楊洪星(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所，天津 300220)采用建立了硅硅直接鍵合的簡(jiǎn)化模型，依據(jù)薄板理論分析了鍵合發(fā)生的條件以及原始晶片的曲率與鍵合后晶片曲率的關(guān)系；理論分析認(rèn)為晶圓鍵合前有必要根據(jù)彎曲變形量來(lái)匹配鍵合晶圓，并通過試驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。鍵合；彎曲變形；翹曲度晶片直接鍵合技術(shù)是指不需要中間粘附層，將表面平整潔凈的晶片對(duì)直接粘合在一起，而且粘合強(qiáng)度與晶片體材料斷裂強(qiáng)度相近。鍵合過程依賴于室溫下晶片界面的短程分子
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年4期2017-09-03
- Plasma清洗在Flip睠hip工藝中的重要作用
板與芯片Bump鍵合失效的主要因素。為使芯片與基板能達(dá)到有效的鍵合，在Bond之前將基板進(jìn)行plasma清洗，以提高其鍵合的可靠性。通過介紹plasma清洗原理、過程，以及水滴角，推力測(cè)試等實(shí)驗(yàn)，論證了在FlipChip Bond之前對(duì)基板進(jìn)行plasma清洗能有效的提高產(chǎn)品鍵合的可靠性。關(guān)鍵詞：plasma；FlipChip；推力測(cè)試；水滴角；鍵合隨著現(xiàn)代電子制造技術(shù)的發(fā)展，F(xiàn)lip–Chip Bond封裝技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，但問題也隨之而來(lái)，因前端工
科技風(fēng) 2017年24期2017-05-30
- RBFN優(yōu)化算法在鍵合機(jī)標(biāo)定中的應(yīng)用
BFN優(yōu)化算法在鍵合機(jī)標(biāo)定中的應(yīng)用洪喜，李維，盧佳，白虹，孫海波（中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光華微電子設(shè)備工程中心有限公司，長(zhǎng)春130000）鍵合位置精度是衡量鍵合機(jī)性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。為提高鍵合工具的鍵合位置精度，針對(duì)鍵合位置誤差的非線性特點(diǎn)，提出一種徑向基神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)誤差修正方法。以鍵合角度與鍵合點(diǎn)圖像坐標(biāo)為學(xué)習(xí)樣本，以生成最小映射誤差為原則調(diào)節(jié)網(wǎng)絡(luò)權(quán)因子、基函數(shù)中心和寬度，建立具有良好泛化能力的誤差逼近模型。并根據(jù)算法特點(diǎn)提出了一種工程優(yōu)化方法，在保證算法補(bǔ)償精度的
電子與封裝 2016年5期2016-09-07
- 基于原子擴(kuò)散的藍(lán)寶石芯片鍵合技術(shù)研究
擴(kuò)散的藍(lán)寶石芯片鍵合技術(shù)研究吳亞林1,2，王世寧2，曹永海2，王偉2，史鑫2(1.哈爾濱工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院,黑龍江哈爾濱 150001;2.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所,黑龍江哈爾濱150001)本文基于原子擴(kuò)散理論模型，試圖介紹一種藍(lán)寶石芯片直接鍵合技術(shù)，給出一定擴(kuò)散距離下鍵合溫度與鍵合時(shí)間的關(guān)系；開展了藍(lán)寶石芯片鍵合的試驗(yàn)研究；初步制作了鍵合樣品。經(jīng)測(cè)試，鍵合強(qiáng)度達(dá)到0.5 MPa，驗(yàn)證了藍(lán)寶石芯片直接鍵合的可行性。藍(lán)寶石芯片；原子擴(kuò)散；直接鍵
中國(guó)電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào) 2016年2期2016-09-03
- SiC混合功率模塊封裝工藝
工序：回流、鋁線鍵合、點(diǎn)膠、灌膠。關(guān)鍵詞：SiC；功率模塊；回流；鍵合；點(diǎn)膠；灌膠1 引言SiC是自第一代元素半導(dǎo)體材料Si和第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化鎵、磷化銦）之后發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體材料。采用一、二代傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料制作的集成電路與器件無(wú)法在高溫環(huán)境下持續(xù)工作，且輸出功率低，受高頻、高腐蝕等條件的影響嚴(yán)重；與之相比，SiC寬禁帶半導(dǎo)體材料具有寬禁帶、高臨界擊穿電壓、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和漂移速度等特點(diǎn)，相應(yīng)開發(fā)的半導(dǎo)體器件及模塊在高溫下具
電子與封裝 2016年3期2016-04-21
- 一種高溫壓力傳感器及其加工方法
敏感膜片進(jìn)行陽(yáng)極鍵合或硅硅直接鍵合或硅硅介質(zhì)鍵合；以TO型金屬管殼為外殼實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)封裝。本發(fā)明用SOI圓片的埋氧層和淀積的二氧化硅/氮化硅鈍化層將硅電阻包裹隔離，消除了高溫時(shí)的漏電流；濺射生長(zhǎng)二硅化鈦/鈦/氮化鈦/鉑/金多層耐高溫歐姆接觸電極結(jié)構(gòu)；采用耐高溫鍵合及TO封裝工藝，提高傳感器高溫工作穩(wěn)定性。解決傳統(tǒng)硅基傳感器難以在高溫環(huán)境中長(zhǎng)期工作的問題。
傳感器世界 2016年10期2016-03-27
- 鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)?zāi)芰︱?yàn)證的研究
目前，本實(shí)驗(yàn)室的鍵合強(qiáng)度/剪切力測(cè)試儀（生產(chǎn)廠家為ROYCE，型號(hào)為ROYCE 650）經(jīng)檢定合格后已正常進(jìn)行鍵合強(qiáng)度和剪切力強(qiáng)度試驗(yàn)近一年，試驗(yàn)人員已熟練掌握鍵合強(qiáng)度/剪切力測(cè)試儀的操作和使用方法。本次鍵合強(qiáng)度能力驗(yàn)證試驗(yàn)由本實(shí)驗(yàn)室按照標(biāo)準(zhǔn)要求執(zhí)行，委托6家已獲得相關(guān)資質(zhì)的實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)，然后將本實(shí)驗(yàn)室的試驗(yàn)結(jié)果與其他實(shí)驗(yàn)室的試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比對(duì)，利用實(shí)驗(yàn)室間比對(duì)來(lái)判定本實(shí)驗(yàn)室在鍵合強(qiáng)度試驗(yàn)上的能力，并評(píng)價(jià)各個(gè)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試結(jié)果的滿意程度。2 能力驗(yàn)證試
電子與封裝 2015年11期2015-09-05
- 碳化硅直接鍵合機(jī)理及其力學(xué)性能研究*
51）碳化硅直接鍵合機(jī)理及其力學(xué)性能研究*王心心1，2，梁庭1，2，賈平崗1，2，王濤龍1，2，劉雨濤1，2，張瑞1，2，熊繼軍1，2*（1.中北大學(xué)儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，太原030051；2.中北大學(xué)電子測(cè)試技術(shù)國(guó)防科技重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，太原030051）隨著碳化硅（SiC）材料的MEMS器件在惡劣環(huán)境測(cè)量中的應(yīng)用前景和迫切需求，進(jìn)行了碳化硅的直接鍵合實(shí)驗(yàn)。研究了工藝條件對(duì)鍵合樣品力學(xué)性能的影響，同時(shí)借助激光共聚焦掃描顯微鏡（CLSM）、掃描電子
傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2015年9期2015-08-17
- 玻璃-硅微結(jié)構(gòu)封裝過程工藝參數(shù)對(duì)鍵合質(zhì)量的影響
裝過程工藝參數(shù)對(duì)鍵合質(zhì)量的影響李 嘉1，郭 浩2，郭志平1,苗淑靜1，王景祥1(1.內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院，內(nèi)蒙古呼和浩特 010051；2.蘇州大學(xué)機(jī)器人與微系統(tǒng)研究中心，江蘇蘇州 215021)通過MEMS封裝試驗(yàn)平臺(tái)，對(duì)鍵合過程中的鍵合溫度、鍵合時(shí)間等工藝參數(shù)以及試驗(yàn)硅片規(guī)格進(jìn)行試驗(yàn)研究。通過改變鍵合溫度、鍵合時(shí)間以及試驗(yàn)硅片規(guī)格等參數(shù)，進(jìn)行玻璃-硅鍵合對(duì)比試驗(yàn)。計(jì)算每組對(duì)比試驗(yàn)的鍵合空隙率，分析每組對(duì)比試驗(yàn)空隙率的數(shù)據(jù)，歸納總結(jié)影響鍵合質(zhì)量的因
儀表技術(shù)與傳感器 2015年10期2015-06-07
- 新型Hg3 In2Te6芯片引線的鍵合機(jī)制
及芯片之間的引線鍵合，決定了器件信號(hào)傳輸?shù)目煽啃?，成為整個(gè)封裝過程中的關(guān)鍵[1]。引線鍵合以工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、成本低廉、適用多種封裝形式而在連接方式中占主導(dǎo)地位，目前所有封裝管腳的90%以上都采用引線鍵合連接[2?3]。引線鍵合工藝主要分為3種：熱壓鍵合、超聲波鍵合與熱壓超聲波鍵合；鍵合的基本形式有兩種：球鍵合和楔鍵合，其中應(yīng)用最為廣泛的是熱壓超聲Au絲球鍵合[4?5]。由于鍵合技術(shù)所涉及的學(xué)科非常廣泛，且鍵合過程速度快、時(shí)間短、鍵合面小，國(guó)內(nèi)外關(guān)于其機(jī)理的研
中國(guó)有色金屬學(xué)報(bào) 2015年4期2015-06-04
- 玻璃漿料鍵合氣密性研究*
S 器件需要芯片鍵合工藝來(lái)制作電極和空腔，目前主要有陽(yáng)極鍵合、硅—硅直接鍵合、粘合劑鍵合、焊料鍵合和玻璃漿料鍵合幾種方式。玻璃漿料鍵合是通過網(wǎng)印將玻璃漿料涂在鍵合面上，熔化所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)并接觸第二個(gè)襯底，冷卻后形成穩(wěn)定的機(jī)械性連接［1］。由于密封效果好、鍵合強(qiáng)度高、生產(chǎn)效率高，而且對(duì)封接基板表面沒有特殊要求，可實(shí)現(xiàn)低成本、高可靠的圓片級(jí)封裝而具有更為廣泛的用途［2］。本文對(duì)玻璃漿料鍵合全密性進(jìn)行了研究，并對(duì)其影響因素進(jìn)行了分析，實(shí)驗(yàn)結(jié)果達(dá)到了預(yù)期效果。1 鍵
傳感器與微系統(tǒng) 2015年1期2015-03-26
- 襯底硅片質(zhì)量對(duì)SDB工藝的影響研究
20)硅-硅直接鍵合技術(shù)廣泛應(yīng)用于SOI、MEMS和電力電子器件工藝中，襯底拋光片的質(zhì)量對(duì)鍵合質(zhì)量及器件性能起著至關(guān)重要的影響。襯底拋光片的質(zhì)量包含幾何尺寸精度及表面狀態(tài)質(zhì)量，會(huì)影響鍵合過程中的界面應(yīng)力，或造成鍵合界面空洞的產(chǎn)生，從而影響鍵合質(zhì)量。硅片 拋光片 硅硅鍵合 鍵合質(zhì)量0 引 言SDB(Silicon-silicon Direct Bonding)——硅-硅直接鍵合是將兩片表面經(jīng)清洗、活化的硅拋光片在室溫下直接貼合，經(jīng)高溫處理，使界面發(fā)生物理化學(xué)
天津科技 2014年11期2014-08-07
- EVG集團(tuán)為工程襯底和電源器件生產(chǎn)應(yīng)用推出室溫共價(jià)鍵合技術(shù)
確保在無(wú)氧條件下鍵合并提高效率EVG 集團(tuán)，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)上領(lǐng)先的晶圓鍵合和光刻設(shè)備供應(yīng)商，日前宣布推出EVG 580 ComBond - 一款高真空應(yīng)用的晶圓鍵合系統(tǒng)，使得室溫下的導(dǎo)電和無(wú)氧化共價(jià)鍵合成為可能。這一全新的系統(tǒng)以模塊化平臺(tái)為基礎(chǔ)，可以支持大批量制造（HVM）的要求，非常適合不同襯底材料的鍵合工藝，從而使得高性能器件和新應(yīng)用的出現(xiàn)成為可能，包括：●多結(jié)太陽(yáng)能電池●硅光子學(xué)●高真空MEMS 封裝●電源器件●化合物半
電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年11期2014-07-04
- 手動(dòng)引線鍵合設(shè)備夾持臺(tái)解決方案
00176)引線鍵合是至今仍廣泛使用的焊接技術(shù)。引線鍵合設(shè)備能夠完成絕大多數(shù)封裝管腳的連接（90%），是封裝工藝環(huán)節(jié)的重要設(shè)備。引線鍵合以工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單靈活、成本低廉、試用多種封裝形式而在封裝互連方式中占主導(dǎo)地位。而手動(dòng)鍵合以其適用性更強(qiáng)，使用方法更靈活等優(yōu)勢(shì)在鍵合工藝，尤其是試驗(yàn)及小規(guī)模生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，鍵合的器件的種類也不斷增加，這就要求手動(dòng)鍵合設(shè)備針對(duì)器件的改變進(jìn)行相應(yīng)的變化。1 夾持臺(tái)夾持臺(tái)是手動(dòng)鍵合設(shè)備變化最為復(fù)雜的部件。
電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年6期2014-03-26
- 基于Minitab DOE的鋁絲楔焊鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化
近年來(lái)，鋁絲楔焊鍵合，由于其鋁絲（約含有1%的硅）成本低、可在室溫下實(shí)現(xiàn)鍵合，且在與芯片和電極的結(jié)合面不易生成金屬間化合物，在高可靠性氣密性封裝方面得到了廣泛的應(yīng)用[1～2]。而伴隨著國(guó)產(chǎn)化的推進(jìn)，國(guó)產(chǎn)陶瓷外殼在鋁絲楔焊鍵合氣密性封裝方面也已應(yīng)用得越來(lái)越多，且在高可靠性電子元器件的封裝中，使用頻率也越來(lái)越高。然而國(guó)產(chǎn)陶瓷外殼質(zhì)量與進(jìn)口陶瓷外殼相比，仍然有很大的差距，具體表現(xiàn)在：外殼指狀焊盤表面鍍層不良，鍍層粗糙，鍍層缺損，鍍層有凸起物或凹坑，鍍層上有小顆粒
電子與封裝 2014年6期2014-02-26
- 絕緣引線在陶瓷封裝中的應(yīng)用
腔體中除了芯片、鍵合絲、芯片粘接材料外，沒有其他的填充材料。采用該封裝技術(shù)的電子元器件具有較高的長(zhǎng)期可靠性。在陶瓷封裝工藝中，引線鍵合互連技術(shù)是指采用金線、鋁絲或銅絲等金屬絲將芯上的PAD（焊盤）與基板上的LEAD（鍵合指）連接起來(lái)，實(shí)現(xiàn)芯片功能的輸出。該連接需要有低的接觸電阻和足夠的機(jī)械強(qiáng)度。引線鍵合技術(shù)歷史長(zhǎng)，技術(shù)基礎(chǔ)雄厚，加工靈活，它利用熱能、超聲波能量、壓力來(lái)實(shí)現(xiàn)鍵合，鍵合時(shí)無(wú)方向性，速度快，效率高，在大規(guī)模生產(chǎn)中目前能夠達(dá)到鍵合節(jié)距（PITCH）
電子與封裝 2013年9期2013-12-05
- 線弧參數(shù)對(duì)鋁絲楔焊鍵合強(qiáng)度的影響研究
工業(yè)中，超聲引線鍵合是當(dāng)前最重要的微電子封裝技術(shù)之一，目前90%以上的芯片均采用這種技術(shù)進(jìn)行封裝[1]。鋁絲楔焊鍵合是超聲引線鍵合的一種，它是通過超聲振動(dòng)和鍵合力的共同作用將半導(dǎo)體芯片壓焊區(qū)與管殼引腳之間用鋁絲連接起來(lái)的封裝工藝技術(shù)，與金絲鍵合技術(shù)相比，由于其鋁絲（約含有1%的硅）成本低、可在室溫下實(shí)現(xiàn)鍵合，且在與芯片和電極的結(jié)合面不易生成金屬間化合物，在高可靠性氣密封裝方面實(shí)現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用。鋁絲楔焊鍵合雖然應(yīng)用始于20世紀(jì)60年代末，但由于涉及到物理、化
電子與封裝 2013年9期2013-12-05
- 微組裝技術(shù)中的金絲鍵合工藝研究
件芯片燒結(jié)、金絲鍵合、封帽等工藝流程。金絲鍵合是實(shí)現(xiàn)微波多芯片組件電氣互連的關(guān)鍵技術(shù)，金絲鍵合直接影響到電路的可靠性和穩(wěn)定性，對(duì)電路的微波特性具有很大的影響。本文主要針對(duì)微波模塊、組件中的金絲鍵合工藝進(jìn)行了研究，對(duì)提高金絲鍵合質(zhì)量起到工藝優(yōu)化的作用。1 金絲鍵合簡(jiǎn)介鍵合是通過施加壓力、機(jī)械振動(dòng)、電能或熱能等不同能量于接頭處，形成連接接頭的一種方法，屬于壓力焊接的一種。在鍵合接頭內(nèi)金屬不熔化，但是在被連接面之間發(fā)生原子擴(kuò)散，即被連接面之間已達(dá)到了產(chǎn)生原子結(jié)合
艦船電子對(duì)抗 2013年4期2013-08-10
- 復(fù)合量程加速度計(jì)陽(yáng)極鍵合殘余應(yīng)力研究*
封裝中采用了陽(yáng)極鍵合技術(shù)，但鍵合過程是在比較高的環(huán)境下進(jìn)行的，產(chǎn)生的殘余應(yīng)力會(huì)對(duì)加速度計(jì)的零位輸出產(chǎn)生偏移，甚至在高溫下會(huì)對(duì)微結(jié)構(gòu)產(chǎn)生破壞［2～4］，以致對(duì)復(fù)合量程加速度計(jì)的使用狀況和大量發(fā)展受到了限制，因此，對(duì)其殘余熱應(yīng)力的研究是必要的。本文對(duì)復(fù)合量程加速度計(jì)的陽(yáng)極鍵合過程進(jìn)行了建模與仿真，分析了鍵合溫度、玻璃基底的厚度和框架的鍵合寬度對(duì)梁上殘余熱應(yīng)力的影響。1 復(fù)合量程加速度計(jì)的設(shè)計(jì)本文中研究的復(fù)合量程加速度計(jì)是利用硅的壓阻效應(yīng)制作的，其結(jié)構(gòu)圖如圖1所
傳感器與微系統(tǒng) 2013年3期2013-04-21
- 冠醚化合物合成應(yīng)用研究的新進(jìn)展
合成及選擇性組裝鍵合作用、新型冠醚衍生物的合成及應(yīng)用、特殊結(jié)構(gòu)冠醚的合成及應(yīng)用,并對(duì)冠醚化學(xué)的發(fā)展進(jìn)行了展望。冠醚;合成;組裝;鍵合大環(huán)多元醚由美國(guó)杜邦公司的Pedersen教授于1967年首次合成,由于其結(jié)構(gòu)形狀酷似國(guó)王王冠,俗稱冠醚。冠醚化合物結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但其性能與天然離子載體有著驚人的相似性。冠醚環(huán)的空腔大小可通過不同的合成手段進(jìn)行調(diào)控,故可選擇性地絡(luò)合金屬離子、無(wú)機(jī)及有機(jī)小分子,正是基于這種特殊的性能,冠醚化合物已應(yīng)用于有機(jī)合成、高分子合成、配位化學(xué)
化學(xué)與生物工程 2013年5期2013-04-11
- 電子封裝中的固相焊接：引線鍵合
或框架之間的引線鍵合、芯片與框架或焊盤之間的芯片鍵合、芯片與焊盤之間的倒扣焊、外殼的密封以及器件與印制電路板之間的表面貼裝等，見圖1[1]。其中由于引線鍵合具有操作簡(jiǎn)單、成本低、工藝適應(yīng)性強(qiáng)以及可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，其承擔(dān)著所有IC互連約96%的鍵合任務(wù)[2]，是電子封裝中最常見、最重要的焊接方法。一般認(rèn)為引線鍵合中被連接材料并未發(fā)生熔化，因此是一種固相焊接方法；但其又具有一些特殊性，如[1]：（1）電學(xué)性能和可靠性優(yōu)先于機(jī)械性能，（2）力學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可能并不合理
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年7期2011-06-28
- MEMS圓片級(jí)真空封裝金硅鍵合工藝研究*
提高器件的性能。鍵合技術(shù)是一種將MEMS器件中不同材料的部件永久連結(jié)為一體的技術(shù)。近年來(lái)鍵合技術(shù)發(fā)展迅速，已成為MEMS器件開發(fā)和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)之一。而常用的真空鍵合技術(shù)主要是高真空（< 10-2Pa）環(huán)境下的陽(yáng)極鍵合、共晶鍵合以及硅-硅直接鍵合等。陽(yáng)極鍵合一般只限于硅-玻璃鍵合[2]，鍵合溫度為300℃～400℃，偏壓為500V～1000V，鍵合過程中的高電壓對(duì)微電路有影響，而使其應(yīng)用受到極大限制；硅-硅直接鍵合[3]是指兩片拋光硅片在不需要任何粘接劑
電子與封裝 2011年1期2011-01-26