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        圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)發(fā)電特性建模及仿真研究?

        2023-11-21 06:17:56張旭東張瑋東柴曉冬彭樂樂鄭樹彬葉智楊
        關(guān)鍵詞:六階晶片三階

        張旭東 張瑋東 柴曉冬 彭樂樂 鄭樹彬 葉智楊

        (1.上海工程技術(shù)大學(xué)城市軌道交通學(xué)院 上海 201620)(2.上海地鐵維護(hù)保障有限公司車輛分公司 上海 200031)

        1 引言

        在我們周圍環(huán)境中振動能量廣泛分布,收集環(huán)境中的振動能量轉(zhuǎn)化為電能是實(shí)現(xiàn)諸多無線智能傳感器能源自供給的最要途徑[1~4],由于壓電材料所具有較大的機(jī)電耦合系數(shù)及較高的能量轉(zhuǎn)化效率,壓電振動能量收集器被廣泛應(yīng)用。軌道車輛運(yùn)行過程中所產(chǎn)生的振動,具有瞬時沖擊較大的特點(diǎn)[5~6],所以發(fā)電效率高、與車輛振動頻譜高度適配的壓電結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)安裝在軌道車輛軸箱處智能傳感器自供給的技術(shù)要點(diǎn)。

        目前國內(nèi)外學(xué)者在壓電振動能量收集器的壓電材料、壓電結(jié)構(gòu)、動力學(xué)模型和機(jī)電耦合模型等維度進(jìn)行研究。由于壓電材料作為能量轉(zhuǎn)化器件,其直接影響到了振動能量到電能的轉(zhuǎn)換效率[7~10]。Wen Cheng 等針對沖擊載荷下溫度對壓電陶瓷機(jī)電響應(yīng)及輸出能量的影響[11]。丁維高等基于哈密頓原理,建立了壓電曲梁機(jī)電耦合偏微分方程[12]。相對于常用的單端式懸臂梁[13],圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)具有抗沖擊性強(qiáng)、不易碎及發(fā)電效率高等優(yōu)點(diǎn)[14~16],其適用于振動強(qiáng)烈且瞬時沖擊大的環(huán)境。

        本文針對可適用于較大沖擊載荷環(huán)境下的圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu),基于歐拉-伯努利理論建立了其固有頻率模型,利用辛幾何方法得出壓電梁撓度振型表達(dá)式,通過基爾霍夫定律推導(dǎo)出輸出功率模型,研究了結(jié)構(gòu)參數(shù)與固有頻率及發(fā)電特性之間的關(guān)系。最后通過理論值計(jì)算以及COMSOL 仿真分析,驗(yàn)證了模型的準(zhǔn)確性。

        2 圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)建模

        2.1 圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)頻率響應(yīng)模型

        圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)安裝在軌道列車走行件上的能量俘獲器中。在軌道列車運(yùn)行過程中,載體受到振動激勵,上下質(zhì)量塊受外界慣性力的作用而產(chǎn)生垂向機(jī)械振動,從而使壓電陶瓷發(fā)生形變產(chǎn)生電荷。圖1(a)為圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)圖,該結(jié)構(gòu)由金屬基底、壓電陶瓷及質(zhì)量塊組成。

        圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)截面圖如圖1(b)所示,設(shè)壓電陶瓷直徑為Rs,厚度為Ts,金屬基底直徑為Rp,厚度為Tp,質(zhì)量塊質(zhì)量為mz。以固支梁幾何邊界點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系。

        固支端A 與固支端B 對梁作用的彎矩分別為MA、MB,垂直支撐力分別為FA、FB。梁的變形微分方程為

        其中,ω1和ω2分別表示梁在中間載荷作用點(diǎn)左右兩側(cè)的變形撓度,E為梁的彈性模量,I為梁截面的慣性矩。

        力與彎矩之間的平衡關(guān)系為

        聯(lián)合式(1)、(2)、(3)、(4)解得變形表達(dá)式為

        根據(jù)材料力學(xué):

        圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)的等效彈性模量為

        圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)的慣性矩為

        結(jié)合式(8)、(9),因此可以得到圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)的頻率響應(yīng)模型為

        2.2 圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)輸出功率模型

        在集中載荷q(x,y,t)作用下,根據(jù)瞬態(tài)平衡條件,得圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)受迫振動的微分方程[17]:

        根據(jù)撓度函數(shù)正交性以及杜哈梅積分計(jì)算整理可得圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)的撓度為

        發(fā)電梁受到外力作用下相對于平衡位置的相對位移為ω(t),當(dāng)外界載體振動時,設(shè)固定載體運(yùn)動位移為y,(t)為固定載體的激勵加速度,從而建立系統(tǒng)運(yùn)動微分方程:

        設(shè)C為壓電等效夾持電容,α為壓電等效力壓轉(zhuǎn)換因子,V為壓電輸出電壓,R為外接負(fù)載,基于基爾霍夫定律可列出壓電懸臂梁KCL方程:

        可以得到外界激勵加速度幅值yM表示的輸出功率表達(dá)式:

        3 仿真驗(yàn)證

        3.1 模型驗(yàn)證

        為驗(yàn)證圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)頻率響應(yīng)模型的正確性,利用COMSOL有限元軟件構(gòu)建了圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)仿真模型如圖2所示。

        圖2 圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)仿真圖

        該模型由金屬基底、上下壓電陶瓷以及上下質(zhì)量塊組成。選用銅為金屬基底材質(zhì),PZT-5H 為壓電陶瓷材料。其中模型各參數(shù)如表1 所示。設(shè)置激勵加速度為1g,采用步長為0.2Hz,范圍為0~1000Hz 之間進(jìn)行掃頻以獲取圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)各階諧振頻率的大小。

        3.2 驗(yàn)證結(jié)果

        在COMSOL 軟件中進(jìn)行仿真得到圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)前六階振型如圖3所示。

        圖3 圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)前六階振型

        圖3(a)~(f)依次為發(fā)電梁前六階振型圖,其中一階諧振頻率為69.5Hz,二階諧振頻率為219.34Hz,三階諧振頻率為225.51Hz,后三階諧振頻率分別為742.03Hz、794.33Hz、798.22Hz。結(jié)合前六階振型圖可以看出,該梁第二、三及五、六階振型基本一致,諧振頻率數(shù)值接近。經(jīng)COMSOL仿真軟件對模型進(jìn)行特征頻率研究得到圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)在前六階輸出電壓的峰值如圖4所示。

        圖4 前六階輸出電壓峰值

        由圖4 可以得出,圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)輸出主要頻段在二、三階處。通過式(15)計(jì)算出圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)在二、三階處輸出功率理論值,并得到峰值電壓值。通過理論值與仿真值,計(jì)算其相對偏差。圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)在二、三階處仿真數(shù)據(jù)、實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)與理論數(shù)據(jù)如圖5(a)、(b)所示。

        圖5 二、三階振型處理論及仿真圖

        從圖5(a)、(b)可以得出,圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)理論值與COMSOL 有限元仿真模型得出的仿真值在諧振頻率以及輸出電壓峰值方面數(shù)值非常相近。其中在二階振型處頻率相對誤差為1.94%,輸出電壓峰值相對誤差為2.09%,在三階振型處頻率相對誤差為1.14%,輸出電壓峰值相對誤差為2.67%。綜上所述仿真及實(shí)驗(yàn),可以得出,圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)諧振頻率模型及輸出功率模型誤差值均在3%以內(nèi),證明了模型的正確性。

        4 結(jié)語

        為獲取圓盤形壓電雙晶片結(jié)構(gòu)的發(fā)電特性,本文構(gòu)建了頻率響應(yīng)及輸出功率模型,通過仿真驗(yàn)證了模型的正確性,可以得到以下結(jié)論:通過對圓形壓電雙晶片發(fā)電梁受力變形分析,推導(dǎo)出復(fù)合結(jié)構(gòu)等效剛度及等效慣性矩,得到了固有頻率模型及輸出功率模型,確定了其主要結(jié)構(gòu)參數(shù)。通過COMSOL 仿真結(jié)果,得到圓形壓電雙晶片發(fā)電梁在二三階處輸出峰值電壓為別為87.6657V 和64.6657V,即其主要輸出頻段在二、三階振型處。根據(jù)圓形壓電雙晶片發(fā)電梁理論值及仿真值,其相對誤差均小于3%。

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