修訂后的Intel最新工藝路線圖

3月份Intel CEO帕特·基辛格在投資交流活動中透露，Intel 18A工藝將比原定時間提前半年投產(chǎn)，現(xiàn)在Intel正用實際行動踐行著承諾。

日前Intel在位于俄勒岡州的D1X工廠舉辦隆重的Mod3擴建儀式，并將此地命名為戈登摩爾公園（Gordon Moore Park）。Mod3的說法類似于我們游戲中所謂的Mod，也就是模塊，實際上，這是Intel為D1X工廠打的第三個MOD“補丁”，也是第二次擴建，投資高達30億美元。

D1X-Mod3的主要工作實際上從去年8月份就開始了，其重大意義在于為工廠增加了2.5萬平方米的潔凈室空間，將D1X擴大了20%，這便為最終足以搬進ASML的下一代最先進高數(shù)值孔徑（High NA）EUV光刻機TWINSCAN EXE：5200 EUV創(chuàng)造必要條件。

和服務(wù)Intel 3/4工藝的NXE 3000系列EUV光刻機相比，EXE 5200大了很多，突破了D1X原“天花板”?；氐?8A工藝制程，提速后最快可以在2024年第三季度登場。其實按照Intel之前多年“老實”的命名習(xí)慣，其對應(yīng)5nm+。外界傾向于認為，18A對應(yīng)18埃米，也就是1.8nm，對標的是臺積電2nm。

今年開始到2024年，Intel的制程迭代將會非常緊湊，下半年會有第一代大規(guī)模使用EUV的Intel 4（原7nm），明年下半年則是最后一代FinFET晶體管的Intel 3（原7nm+）。2024年會全面進入基于環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)的RibbonFET晶體管時代，同時還有Intel獨創(chuàng)的PowerVia背面電路，首發(fā)是Intel 20A（原5nm），名義2nm。