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        植酸封孔對(duì)鋁制件陽(yáng)極氧化膜耐蝕性的影響

        2021-08-25 05:17:36郭紹福趙春紅
        電鍍與精飾 2021年8期
        關(guān)鍵詞:模值電荷轉(zhuǎn)移鋁制

        郭紹福,趙春紅

        (河北師范大學(xué)匯華學(xué)院,河北石家莊050091)

        鋁制件通常進(jìn)行陽(yáng)極氧化以提高表面性能,更 好的滿足使用要求。雖然陽(yáng)極氧化膜能有效提高鋁制件的耐蝕性和耐磨性,但是陽(yáng)極氧化膜微觀多孔,具有很強(qiáng)的吸附性,易吸附環(huán)境中的水汽或腐蝕性物質(zhì)引發(fā)局部腐蝕,導(dǎo)致耐蝕性下降[1-4]。鑒于此,從提高耐污染性和耐蝕性等方面考慮,鋁制件陽(yáng)極氧化后再進(jìn)行封孔非常必要。

        封孔可以采用熱水封孔、鉻酸鹽封孔、鎳鹽封孔和有機(jī)物封孔等方法,目前廣泛采用的是熱水封孔、鉻酸鹽封孔和鎳鹽封孔[5-8]。熱水封孔雖然環(huán)保,但是能耗高并且封孔處理后陽(yáng)極氧化膜表面會(huì)存在一些缺陷,導(dǎo)致腐蝕耐久性不理想。鉻酸鹽封孔和鎳鹽封孔的效果都較好,封孔處理后陽(yáng)極氧化膜表現(xiàn)出較理想的腐蝕耐久性,但是這兩種方法都會(huì)造成環(huán)境污染。相比較而言,有機(jī)物封孔因低能耗且較環(huán)保,受到越來(lái)越多的關(guān)注。

        植酸是一種無(wú)毒性有機(jī)磷酸化合物,近些年已有學(xué)者使用植酸對(duì)陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行封孔[9-10]。作為一種環(huán)保型封孔方法,植酸封孔具有應(yīng)用潛力,有待進(jìn)一步研究。筆者首先對(duì)鋁制件進(jìn)行陽(yáng)極氧化,然后使用植酸進(jìn)行封孔,著重研究溶液溫度和封孔時(shí)間對(duì)封孔后陽(yáng)極氧化膜耐蝕性的影響。

        1 實(shí)驗(yàn)部分

        1.1 鋁制件預(yù)處理

        圖1 為實(shí)驗(yàn)使用的鋁制件,材質(zhì)為鋁合金2A12,其化學(xué)成分(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為:Cu 3.8%~4.9%、Mn 0.3%~0.9%、Mg 1.2%~1.8%、Si≤0.5%、Zn≤0.3%、Ti≤0.1%、Fe≤0.5%、Al余量。

        圖1 實(shí)驗(yàn)使用的鋁制件Fig.1 The aluminum part used for experiment

        由于鋁制件表面或多或少存在著一些缺陷,為了保證實(shí)驗(yàn)效果,必須進(jìn)行預(yù)處理。實(shí)驗(yàn)用鋁制件首先使用磨輪拋光,接著用去離子水清洗后放入丙酮中超聲波清洗5 min,再放入60℃的氫氧化鈉溶液中浸泡6 min。然后放入體積分?jǐn)?shù)20%的硝酸中浸泡30 s,最后用去離子水清洗,放置在恒溫干燥箱中待用。

        1.2 陽(yáng)極氧化

        陽(yáng)極氧化使用硫酸電解液,其中硫酸的質(zhì)量濃度為180 g/L。電解液攪拌均勻后,經(jīng)預(yù)處理的鋁制件作陽(yáng)極進(jìn)行實(shí)驗(yàn),電解液溫度控制在25±0.5℃,電流密度設(shè)為1.5 A/dm2,時(shí)間為90 min。

        1.3 植酸封孔

        鋁制件陽(yáng)極氧化后使用植酸進(jìn)行封孔,植酸的質(zhì)量濃度為28 g/L,溶液溫度為50~90℃,封孔時(shí)間為4~24 min。封孔過(guò)程中,僅改變?nèi)芤簻囟然蚍饪讜r(shí)間,采用單因素分析法確定最佳的溶液溫度和封孔時(shí)間。

        1.4 性能檢測(cè)

        采用FEI Inspect F50型掃描電子顯微鏡觀察陽(yáng)極氧化膜的微觀形貌,同時(shí)采用能譜儀分析陽(yáng)極氧化膜的成分。

        采用三電極體系測(cè)試陽(yáng)極氧化膜在3.5%氯化鈉溶液中的Nyquist圖譜和極化曲線,先將試樣在氯化鈉溶液中浸泡1 h,待達(dá)到平衡態(tài)再測(cè)試。測(cè)試Nyquist圖譜所施加正弦波激勵(lì)信號(hào)幅值為10 mV,頻率范圍為105~10-2Hz。測(cè)試極化曲線的掃描速率為1 mV/s,掃描范圍為±250 mV。

        2 結(jié)果與討論

        2.1 溶液溫度對(duì)陽(yáng)極氧化膜耐蝕性的影響

        在不同溶液溫度下封孔后陽(yáng)極氧化膜的Nyquist圖譜如圖2所示。從圖2看出,隨著溶液溫度從50℃升至90℃,封孔后陽(yáng)極氧化膜的容抗弧明顯向外擴(kuò)展,半徑逐漸增大。

        為了定量分析在不同溶液溫度下封孔后陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性,采用ZsimpWin軟件對(duì)Nyquist圖譜解析擬合,得到電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rct)和高頻阻抗模值(|Z|hf),結(jié)果如圖3所示。通常情況下,電荷轉(zhuǎn)移電阻越高且高頻阻抗模值越大,意味著陽(yáng)極氧化膜表現(xiàn)出良好的耐蝕性[11-12]。從圖3看出,隨著溶液溫度從50℃升至90℃,封孔后陽(yáng)極氧化膜的電荷轉(zhuǎn)移電阻從2.11×104Ω·cm2提高到3.25×104Ω·cm2,高頻阻抗模值從2.42×104Ω·cm2增大到5.16×104Ω·cm2,這與圖2分析結(jié)果一致,證實(shí)了溶液溫度升高使封孔后陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性逐步提高。

        圖2 不同溶液溫度下封孔后的陽(yáng)極氧化膜的Nyquist圖譜Fig.2 Nyquist plot of the anodic oxidation film sealed at different solution temperature

        圖3 在不同溶液溫度下封孔后的陽(yáng)極氧化膜的電荷轉(zhuǎn)移電阻及高頻阻抗模值Fig.3 Charge transfer resistance and high-frequency impedance modulus of the anodic oxidation film sealed at different solution temperature

        植酸封孔機(jī)理是植酸以其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)(金屬螯合物)與金屬絡(luò)合,并在陽(yáng)極氧化膜表面形成一層較均勻致密的單分子有機(jī)膜層[13]。此膜層能阻擋氯化鈉溶液向陽(yáng)極氧化膜內(nèi)部滲透,從而抑制陽(yáng)極氧化膜的腐蝕。溶液溫度升高使植酸活性基團(tuán)更易與金屬絡(luò)合,從而更快的形成單分子有機(jī)膜層,對(duì)陽(yáng)極氧化膜起到更好的腐蝕防護(hù)作用。

        2.2 封孔時(shí)間對(duì)陽(yáng)極氧化膜耐蝕性的影響

        經(jīng)不同時(shí)間封孔后陽(yáng)極氧化膜的Nyquist圖譜如圖4所示。從圖4看出,隨著封孔時(shí)間從4 min延長(zhǎng)至18 min,封孔后陽(yáng)極氧化膜的容抗弧明顯向外擴(kuò)展,半徑逐漸增大,說(shuō)明封孔后陽(yáng)極氧化膜對(duì)電荷傳遞和氯化鈉溶液擴(kuò)散的阻礙能力增強(qiáng),其耐蝕性逐步提高。但隨著封孔時(shí)間從18 min繼續(xù)延長(zhǎng)至24 min,封孔后陽(yáng)極氧化膜的容抗弧反而向內(nèi)斂縮,半徑減小,說(shuō)明封孔后陽(yáng)極氧化膜對(duì)電荷傳遞和氯化鈉溶液擴(kuò)散的阻礙能力減弱,其耐蝕性變差。

        圖4 經(jīng)不同時(shí)間封孔的陽(yáng)極氧化膜的Nyquist圖譜Fig.4 Nyquist plot of the anodic oxidation film sealed for different time

        圖5 所示為經(jīng)不同時(shí)間封孔后陽(yáng)極氧化膜的電荷轉(zhuǎn)移電阻及高頻阻抗模值。從圖5可以看出,隨著封孔時(shí)間從4 min延長(zhǎng)至18 min,封孔后陽(yáng)極氧化膜的電荷轉(zhuǎn)移電阻從1.89×104Ω·cm2提高到3.25×104Ω·cm2,高頻阻抗模值從2.82×104Ω·cm2增大到5.16×104Ω·cm2,這與圖4分析結(jié)果一致,證實(shí)了適當(dāng)延長(zhǎng)封孔時(shí)間能有效提高封孔后陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性。其原因是適當(dāng)延長(zhǎng)封孔時(shí)間使得植酸活性基團(tuán)與金屬充分絡(luò)合形成更均勻致密的單分子有機(jī)膜層,對(duì)陽(yáng)極氧化膜起到更好的腐蝕防護(hù)作用。但隨著封孔時(shí)間從18 min繼續(xù)延長(zhǎng)至24 min,封孔后陽(yáng)極氧化膜的電荷轉(zhuǎn)移電阻從3.25×104Ω·cm2降低到3.03×104Ω·cm2,高頻阻抗模值從5.16×104Ω·cm2減小到4.63×104Ω·cm2,說(shuō)明封孔時(shí)間過(guò)長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致封孔后陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性下降。

        圖5 經(jīng)不同時(shí)間封孔后陽(yáng)極氧化膜的電荷轉(zhuǎn)移電阻及高頻阻抗模值Fig.5 Charge transfer resistance and high-frequency impedance modulus of the anodic oxidation film sealed for different time

        綜上所述,在本文實(shí)驗(yàn)條件下植酸封孔最佳的溶液溫度為90℃,封孔時(shí)間為18 min。

        2.3 封孔后陽(yáng)極氧化膜的形貌和成分

        未封孔陽(yáng)極氧化膜的形貌如圖6(a)所示,在溶液溫度為90℃、封孔時(shí)間為18 min條件下封孔后陽(yáng)極氧化膜的形貌如圖6(b)所示。從圖6(a)看出,未封孔陽(yáng)極氧化膜表面密集分布著納米級(jí)的孔洞,孔洞大小較均一。這些孔洞的存在使陽(yáng)極氧化膜表現(xiàn)出很強(qiáng)的吸附性,容易吸附環(huán)境中的水汽和化學(xué)物質(zhì)而引發(fā)局部腐蝕,降低陽(yáng)極氧化膜的腐蝕防護(hù)作用。從圖6(b)看出,封孔后陽(yáng)極氧化膜表面孔洞很少,絕大多數(shù)孔洞被封堵。不同于未封孔陽(yáng)極氧化膜的多孔狀形貌,封孔后陽(yáng)極氧化膜呈類似花瓣?duì)钚蚊病?/p>

        圖6 未封孔及封孔后陽(yáng)極氧化膜的形貌Fig.6 Morphology of unsealed and sealed anodic oxidation film

        對(duì)圖6(a)和6(b)中虛線框出的區(qū)域Z1和Z2進(jìn)行成分分析,結(jié)果如表1所示。由表1可知,封孔后陽(yáng)極氧化膜由Al、O、S和C元素組成,與未封孔陽(yáng)極氧化膜的元素組成相同。并且封孔后陽(yáng)極氧化膜也是以Al和O元素為主,兩者的質(zhì)量分?jǐn)?shù)都超過(guò)30%。

        表1 封孔前后陽(yáng)極氧化膜的成分Tab.1 Composition of anodic oxidation film before and after sealing

        2.4 封孔后陽(yáng)極氧化膜的腐蝕耐久性分析

        圖7 所示為未封孔及在溶液溫度為90℃、封孔時(shí)間為18 min的條件下封孔后陽(yáng)極氧化膜在氯化鈉溶液中浸泡96 h后的極化曲線,表2所示為極化曲線擬合得到的參數(shù)。由表2可知,在氯化鈉溶液中浸泡96 h后,封孔后陽(yáng)極氧化膜對(duì)鋁基體的緩蝕效率η為72.8%,仍高于未封孔氧化膜(54.2%),表明封孔后陽(yáng)極氧化膜具有良好的腐蝕耐久性,能為鋁制件提供較長(zhǎng)久的防護(hù)。

        圖7 未封孔及封孔后陽(yáng)極氧化膜在氯化鈉溶液中浸泡96 h后的極化曲線Fig.7 Polarization curve of unsealed and sealed anodic oxidation film soaked in sodium chloride solution for 96 h

        表2 極化曲線的擬合參數(shù)Tab.2 Fitting parameters of polarization curve

        3 結(jié)論

        (1)溶液溫度和封孔時(shí)間對(duì)封孔后陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性有一定影響,溶液溫度升高和適當(dāng)延長(zhǎng)封孔時(shí)間都能有效提高封孔后陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性,植酸封孔最佳的溶液溫度為90℃,封孔時(shí)間為18 min。

        (2)封孔后陽(yáng)極氧化膜呈類似花瓣?duì)钚蚊?,不同于未封孔?yáng)極氧化膜的多孔狀形貌。封孔后陽(yáng)極氧化膜由Al、O、S和C元素組成,與未封孔陽(yáng)極氧化膜的元素組成相同,且都以Al和O元素為主。封孔后陽(yáng)極氧化膜具有良好的腐蝕耐久性,能為鋁制件提供較長(zhǎng)久的防護(hù)。

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