于志斌,胡泓
(哈爾濱工業(yè)大學(xué)(深圳)機(jī)電工程與自動(dòng)化學(xué)院,廣東 深圳 518000)
近年來(lái),伴隨著我國(guó)通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車(chē)、新能源、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等終端應(yīng)用領(lǐng)域需求的全面上漲,半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長(zhǎng)[1]。在分立器件晶圓的生產(chǎn)制造過(guò)程中,由于車(chē)間環(huán)境、人為操作等因素的影響,晶圓表面不可避免會(huì)出現(xiàn)一些缺陷。這些缺陷不僅影響晶圓片的外觀,也會(huì)影響最終分立器件的性能。晶圓缺陷檢測(cè)是保證后續(xù)產(chǎn)品質(zhì)量的重要環(huán)節(jié)。
傳統(tǒng)的人工目視檢測(cè)[2]存在工作效率低、檢測(cè)率準(zhǔn)確性不高、主觀性強(qiáng)等缺點(diǎn),使基于機(jī)器視覺(jué)的自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)替代傳統(tǒng)的人工檢測(cè)成為重要趨勢(shì)。本文針對(duì)分立器件晶圓片的特點(diǎn),提出基于YOLO算法與機(jī)器視覺(jué)的晶圓片表面缺陷檢測(cè)算法。
本文的研究對(duì)象是基于GPP工藝的分立器件晶圓,晶圓表面的完整晶粒結(jié)構(gòu)如圖1所示,由內(nèi)而外分別包括金屬層、氧化層、玻璃層和玻璃保護(hù)層。晶圓表面缺陷主要有氧化層殘留、劃痕和氧化層不規(guī)則等。針對(duì)目前已有的晶圓樣本,介紹本文的晶粒定位算法和缺陷檢測(cè)算法。
圖1 晶粒示意圖
為避免數(shù)據(jù)集不足造成訓(xùn)練過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)擬合問(wèn)題,筆者通過(guò)調(diào)節(jié)亮度和對(duì)比度、色彩抖動(dòng)、翻轉(zhuǎn)、縮放、高斯模糊、添加椒鹽噪聲等方法,對(duì)原有的晶粒數(shù)據(jù)集進(jìn)行增廣。通過(guò)以上方式,將原有的905張晶粒圖像數(shù)據(jù)集擴(kuò)增至6530張。
圖2 YOLO v4網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
a.YOLO v4的主干特征提取網(wǎng)絡(luò)選擇了更大視野、更多參數(shù)的CSPDarknet53,利用CSP模塊在保證模型具有較高的識(shí)別準(zhǔn)確率的同時(shí)降低模型迭代時(shí)的計(jì)算量。主干網(wǎng)絡(luò)激活函數(shù)改成Mish函數(shù),可以?xún)?yōu)化梯度流。Mish函數(shù)表達(dá)式為:
b.YOLO v4在CSPDarknet53網(wǎng)絡(luò)的最后一個(gè)特征層的卷積中加入SPP結(jié)構(gòu),用四種不同尺度的池化核做最大池化處理,用以增加感受野,維持模型推理速度的同時(shí)也能更好地分別上下文特征。
c.在三個(gè)有效特征層上使用了PANet結(jié)構(gòu),減少淺層特征信息傳輸損失的同時(shí)更好地利用精確位置信息。
邊框回歸損失公式為:
v是衡量縱橫比一致性的參數(shù),其表達(dá)式為:
置信度損失和分類(lèi)損失的計(jì)算可以通過(guò)交叉熵的方式計(jì)算得出。
模型參數(shù)中,輸入圖像為608×608像素,每次訓(xùn)練輸入的圖像數(shù)量為64,動(dòng)量設(shè)置為0.949,權(quán)重衰減因數(shù)設(shè)置為0.0005,學(xué)習(xí)率設(shè)為0.001。使用GTX 1080Ti型號(hào)的GPU經(jīng)過(guò)4500epoch訓(xùn)練達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。如圖3所示。
圖3 損失函數(shù)變化圖
將訓(xùn)練好的YOLO v4網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行晶粒定位實(shí)驗(yàn)。如圖4所示,YOLO v4深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)能夠很好地對(duì)晶圓圖片中的晶粒位置進(jìn)行預(yù)測(cè)。
圖4 損失函數(shù)變化圖
此外,針對(duì)每種可能出現(xiàn)的缺陷類(lèi)型,需要設(shè)計(jì)基于機(jī)器視覺(jué)的檢測(cè)算法。
氧化層殘留的搜索區(qū)域如圖5(b)所示,該缺陷的灰度值相對(duì)于金屬層表面的灰度值較低,圖5(c)是圖5(b)閾值化后得到的二值圖。運(yùn)用開(kāi)運(yùn)算去除這些金屬層小區(qū)域的干擾,得到如圖5(d)的搜索區(qū)域,這些位置同時(shí)存在著臟污和氧化層殘留缺陷。為了區(qū)分開(kāi),需要將潛在缺陷區(qū)域的顏色與氧化層的顏色進(jìn)行對(duì)比。氧化層可以通過(guò)閾值化后尋找特定大小的輪廓,進(jìn)而得到氧化層區(qū)域,如圖5(e)。為了衡量區(qū)域之間的色差,選擇均勻性較好的CIELAB顏色空間,并采用更接近人眼對(duì)顏色判斷的CMC(l:c)色差公式用于辨別這兩種缺陷,原理如下。
圖5 氧化層殘留缺陷檢測(cè)流程圖
CIELAB顏色空間[3]由明度L*和色品a*和b*三個(gè)分量組成。CMC(l:c)[4]色差公式引入明度和彩度兩個(gè)權(quán)重因子,接近人眼對(duì)顏色的感受,其公式如下。
式中:當(dāng)潛在缺陷區(qū)域與氧化層的色差小于一特定值時(shí),判斷是氧化層殘留缺陷,否則是臟污缺陷。氧化層殘留缺陷檢測(cè)結(jié)果如圖5(f)所示。
劃痕的搜索區(qū)域如圖6(b)所示,圖6(c)是圖6(b)閾值化得到的二值圖。由直接二值化得到的劃痕可能出現(xiàn)局部斷開(kāi)的情況,形態(tài)學(xué)膨脹可以避免這個(gè)問(wèn)題,膨脹后的二值圖如圖6(d)所示。接著,從高亮區(qū)域中篩選出劃痕缺陷。
圖6 劃痕缺陷檢測(cè)流程圖
氧化層不規(guī)則缺陷主要表現(xiàn)為氧化層內(nèi)輪廓在局部產(chǎn)生了凸缺陷,如圖7(b)所示。凸缺陷可以用凸包來(lái)解決,針對(duì)氧化層內(nèi)輪廓上有限個(gè)點(diǎn),能夠?qū)⑦@些點(diǎn)圍住的最小凸多邊形就是凸包。氧化層不規(guī)則可以用凸缺陷的深度[5]來(lái)刻畫(huà),即凸缺陷的最遠(yuǎn)點(diǎn)到凸包的距離d,如圖7(c)所示。算法步驟就是遍歷每個(gè)凸缺陷,判斷不規(guī)則度是否超過(guò)設(shè)定的閾值。如存在這樣的凸缺陷,那么此晶粒便存在氧化層不規(guī)則缺陷,并顯示出來(lái),如圖7(d)所示。
圖7 氧化層不規(guī)則缺陷檢測(cè)流程圖
基于QT搭建了如圖8所示的界面,將基于YOLO v4的定位算法和缺陷檢測(cè)算法集成為一套軟件測(cè)試系統(tǒng),能夠?qū)崟r(shí)進(jìn)行晶粒定位和缺陷檢測(cè)。
圖8 在線測(cè)試軟件系統(tǒng)
絡(luò)的檢測(cè)效果。各指標(biāo)的定義為:
為進(jìn)一步分析基于YOLO v4的晶粒定位方法的識(shí)別效果,與灰度模板匹配法、形狀模板匹配法和輕量卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)法進(jìn)行比較,對(duì)比的結(jié)果見(jiàn)表1。
表1 晶粒定位算法實(shí)驗(yàn)結(jié)果
為了對(duì)本文的圖像處理算法進(jìn)行性能評(píng)估,筆者收集了包含各缺陷類(lèi)型的晶粒圖片作為測(cè)試樣本,結(jié)果如表2所示。
表2 缺陷檢測(cè)算法實(shí)驗(yàn)結(jié)果
針對(duì)GPP工藝的分立器件晶圓表面存在氧化層殘留、劃痕和氧化層不規(guī)則等缺陷類(lèi)型,筆者提出一種基于YOLO算法和機(jī)器視覺(jué)的晶圓表面缺陷檢測(cè)方法。構(gòu)建晶粒的數(shù)據(jù)集,對(duì)晶粒的數(shù)據(jù)集進(jìn)行圖像增廣,解決圖像數(shù)量偏少的問(wèn)題。訓(xùn)練YOLO v4網(wǎng)絡(luò)用于晶粒定位,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,筆者提出的定位方法明顯優(yōu)于其他三種定位方法,識(shí)別精度達(dá)98.07%,平均耗時(shí)為23.6ms。針對(duì)氧化層殘留缺陷,開(kāi)運(yùn)算去除小區(qū)域,利用顏色空間轉(zhuǎn)換和色差公式確認(rèn)缺陷的色彩。針對(duì)劃痕缺陷,膨脹操作使?jié)撛趧澓蹍^(qū)域聯(lián)通,再利用聯(lián)通區(qū)域的面積和最小外接矩形的長(zhǎng)寬比識(shí)別劃痕。針對(duì)氧化層不規(guī)則缺陷,根據(jù)凸缺陷的特征識(shí)別該缺陷。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,筆者提出的檢測(cè)方法具有成功率高、實(shí)時(shí)性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),檢測(cè)成功率達(dá)93.84%,單幅圖像檢測(cè)時(shí)間不超過(guò)40ms,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面缺陷的快速準(zhǔn)確檢測(cè)。