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        基于頻域特性的玻璃過孔缺陷無損檢測方法

        2019-07-18 03:08:04蘇晉榮王曉波張文梅
        測試技術學報 2019年4期
        關鍵詞:信號檢測

        蘇晉榮,王曉波,張文梅

        (1.山西大學 電子信息工程系,山西 太原 030006;2.山西大學 物理電子工程學院,山西 太原 030006)

        0 引 言

        玻璃過孔(Through glass vias,TGV)是近年來新興的一種三維集成電路垂直互連技術[1].它以玻璃為襯底,與以硅為襯底的硅通孔(Through silicon vias,TSV)相比,玻璃材料具有介電常數(shù)小,成本低,損耗小等優(yōu)勢,因此,TGV的傳輸性能優(yōu)于TSV,成為未來三維集成電路中較有潛力的技術方案之一[2,3].

        在TGV加工過程中,玻璃與銅的熱膨脹系數(shù)(Coefficient of thermal expansion,CTE)相差較大(CTEglass =3 ppm/K,CTEcopper =17 ppm/K),因熱失配易產(chǎn)生玻璃裂痕、銅與玻璃界面層離、銅變形等缺陷,從而造成過孔開路或短路[4].此外,過孔傾斜易導致化學機械拋光不徹底等問題,也易造成過孔開路以及過孔間短路[5].開路和短路缺陷會顯著降低過孔的傳輸性能.對過孔缺陷的準確檢測有利于剔除含有缺陷的襯底,提升系統(tǒng)性能.

        過孔缺陷檢測方法分為有損檢測和無損檢測兩種.利用掃描電子顯微鏡的有損檢測可以清楚、準確地判斷出缺陷類型及位置,但該方法需將被測樣品切開,樣品無法再利用,且切割樣品也會造成其他缺陷,影響檢測結果.無損檢測不損害樣品,也不會帶來額外缺陷.已有的無損檢測方法有鎖相熱成像法[6]、3D-X射線法[7]和電特性檢測法[8]等.熱成像法只能檢測出產(chǎn)生熱量部位的缺陷,3D-X射線法難于檢測出不均勻、不規(guī)則缺陷.鑒于此,文獻[8]提出利用正向傳輸系數(shù)|S21|、反射系數(shù)|S11|參數(shù)和眼圖來判斷TSV缺陷的方法,為TSV的無損檢測開辟了新途徑.目前對TGV的無損檢測鮮有報道.

        本文通過分析地-信號-信號-地(Ground- signal-signal-ground,GSSG)TGV頻域特性,綜合考慮了存在開路、信號線間短路、對地短路以及開路短路同時存在等缺陷的情況,提出利用傳輸系數(shù)和耦合系數(shù)判斷缺陷的方法,此外,還給出缺陷定位依據(jù),為TGV的無損檢測提供了有效參考.

        1 TGV結構說明

        本文GSSG型TGV結構如圖1 所示.其中,每個信號/地通道由8個TGV通過焊點和金屬互連線連接,其正視切面如圖1(a)所示,其中玻璃襯底介電常數(shù)為4.82ε0(真空介電常數(shù)ε0=8.85×10-12F/m),過孔填充材料為銅,電導率為5.8×107S/m.金屬間介質層(Intermetal dielectric,IMD)為二氧化硅,介電常數(shù)為3.9ε0.立體示意圖如圖1(b)所示,為突出過孔結構,該圖略去了襯底和IMD層.參照實際工藝尺寸[6,9],研究的過孔直徑為20 μm,高100 μm,節(jié)距80 μm.金屬線寬30 μm,厚10 μm,焊點直徑30 μm,高8 μm.4組通道過孔間距200 μm.

        圖1 GSSG型TGV結構示意圖Fig.1 Schematic of GSSG-type TGV

        圖2 展示了本文研究的4種缺陷.圖2(a)中展示了開路和短路缺陷.TGV加工過程中,金屬布線層的銅材料與玻璃界面層離,或過孔傾斜導致化學機械拋光時多余材料去除不完全,造成過孔未暴露等情況都會產(chǎn)生開路缺陷.而金屬變形、光刻時金屬層去除不干凈等可能造成對地短路或信號線間短路缺陷.圖2(b)、圖2(c)是短路、開路同時存在的情況,層離、金屬變形等多種作用同時出現(xiàn)時可能造成金屬互連線傾斜、移位,產(chǎn)生開路、短路同時出現(xiàn)的缺陷.沿信號傳輸方向,根據(jù)這兩種缺陷出現(xiàn)的不同順序,細分為先開路后短路和先短路后開路兩種.

        圖2 TGV缺陷示意圖Fig.2 Defects of TGV

        2 TGV缺陷類型判斷

        2.1 開路與短路分別出現(xiàn)時缺陷的判斷

        為探索各種缺陷對TGV傳輸性能的影響,本文利用基于時域有限差分法的全波電磁仿真軟件Computer Simulation Technology(CST)的微波工作室組件對圖1所示結構及圖2中的各種缺陷進行了建模和仿真分析.為方便描述缺陷位置,對過孔進行如下編號,如圖3 所示俯視圖中,從左上角開始,第i行第j列的過孔記為TGVij,例如左上角第一個過孔為TGV11,右下角過孔為TGV48.

        CST分析中人為地、位置隨機地設置了各種缺陷,開路缺陷在TGV31,對地短路設置在TGV32和TGV42之間,信號間短路設置在TGV22和TGV32之間,短路開路同時出現(xiàn)的缺陷又可細分為兩種情況,下文單獨討論.無缺陷時及上述3個位置的缺陷分別出現(xiàn)時0~20 GHz的S參數(shù)大小如圖4 所示.

        圖3 TGV編號示意圖Fig.3 Numbering of TGVs

        圖4 無缺陷及分別出現(xiàn)開路、短路缺陷時TGV的S參數(shù)隨頻率變化曲線Fig.4 S- parameters of TGV varying with frequency when open defect,short defect or no defect occurs respectively

        |S11|結果如圖4(a)所示,無缺陷時TGV的|S11| 在-14.5 dB以下,而出現(xiàn)開路時,|S11|在-0.3 dB 以上,這是因為信號的低阻抗傳輸路徑中斷,大部分信號返回了輸入端.與此同時,圖4(b)所示的|S21|曲線中,無缺陷時TGV的|S21| 在-1 dB以上,而出現(xiàn)開路缺陷時|S21|在-14.5 dB以下.圖4(e)為不同情形時的|S21|-|S11|,出現(xiàn)開路缺陷時該差值在-9.66 dB以下,根據(jù)|S21|和|S11|及其差的特點,可準確判斷TGV傳輸通道是否出現(xiàn)開路缺陷.

        當出現(xiàn)信號線間短路時,本該傳輸?shù)蕉丝?的信號一部分反射至輸入端,一部分傳輸?shù)綉摰竭_的端口2,還有一部分經(jīng)過短路造成的低阻抗路徑傳輸?shù)讲粦摰竭_的端口3和端口4.因此,短路造成的損耗介于無缺陷和開路缺陷之間,這一點在圖4(a)、圖4(b)中也有所體現(xiàn),例如,圖4(a)中10 GHz處,無缺陷、對地短路、信號線間短路、開路缺陷分別出現(xiàn)時對應的|S11|為 -0.64 dB,-4.22 dB,-8.24 dB,-15.44 dB.此外,因短路缺陷導致輸入信號分成多路傳輸?shù)讲煌丝?,故|S11|,|S21|,|S31|和|S41|4個參數(shù)結果相近,又如,在10 GHz,其值分別為 -6.30 dB,-8.24 dB,-7.15 dB和-8.53 dB,最大差為2.23 dB.這樣,通過與無缺陷時的 |S11|,|S21|結果進行大小對比,結合|S11|,|S21|,|S31|和|S41|之間的差別特點,可判斷是否存在信號間短路缺陷.

        出現(xiàn)對地短路缺陷時,因信號會分流到參考地通道,耦合到端口3和端口4的信號很弱,相應的|S31|和|S41|較小,例如圖4(c)和圖4(d)中,10 GHz處|S31|和|S41|分別為-29.42 dB和-38.39 dB.與此同時,根據(jù)|S21|-|S11|特點可進一步確定該缺陷.圖4(e)中,無缺陷時|S21|-|S11|在0~20 GHz內始終保持在14 dB以上,開路缺陷時則在-9.66 dB以下,信號線間短路時為-2.05~-1.36 dB之間,且隨頻率變化緩慢(變化率為0.17 dB/GHz).而出現(xiàn)對地短路時該差值為21.41 dB~-10.51 dB,只有該缺陷對應的|S21|-|S11|跨過了0 dB,且隨頻率變化較快(變化率約為1.6 dB/GHz).這樣,根據(jù)S參數(shù)值與無缺陷時的大小關系,結合|S21|- |S11|的特點,可以明確判斷是否出現(xiàn)了對地短路缺陷.

        綜上所述,可以通過測試其S參數(shù)來判斷GSSG型TGV是否出現(xiàn)缺陷.當|S11|在0 dB附近,而|S21|為負十幾甚至-20 dB時,且|S21|-|S11|保持在0 dB以下且其絕對值較大,說明傳輸通道出現(xiàn)了開路缺陷;當|S11|,|S21|,|S31|和|S41| 相互接近時,說明出現(xiàn)了信號間短路缺陷;當|S21|-|S11|跨過0 dB,且隨頻率變化較快,且|S31|或|S41|較小時,則出現(xiàn)了對地短路.

        2.2 短路開路同時出現(xiàn)時缺陷的判斷

        為區(qū)分短路開路同時出現(xiàn)時開路點和短路點的先后位置,在CST的GSSG模型中人為設置開路點在TGV33短路點在TGV24和TGV34之間的先開路后短路缺陷,記為O33-S24-34;以及開路點在TGV34,短路點在TGV23和TGV33之間的先短路后開路缺陷,記為O34-S23-33.

        上述兩種缺陷的|S21|結果如圖4(b)中帶數(shù)據(jù)標志的兩條曲線所示.由圖4(b)可見,短路開路同時出現(xiàn)時,因端口1到端口2的傳輸通道斷開,造成正向傳輸系數(shù)|S21|遠小于另外幾種缺陷出現(xiàn)的情況.例如在10 GHz處,O33-S24-34的|S21| 為 -35.98 dB,比離其最近的開路缺陷時的|S21|小15.57 dB.該顯著差值,一方面說明這種缺陷不會影響對2.1中幾種缺陷情況的判斷;另一方面,可以根據(jù)|S21| 的特點判斷是否出現(xiàn)了短路開路同時出現(xiàn)的缺陷.

        然而,O33-S24-34和O34-S23-33的|S21|相差甚小,故無法進一步據(jù)此區(qū)分.這時,可以根據(jù)|S31| 曲線來判斷,如圖5 所示.圖5中,O33-S24-34的|S31|值遠小于同頻點O34-S23-33的.例如,在10 GHz處,O33-S24-34的|S31|為-32.43 dB,而O34-S23-33的為-5.29 dB,二者相差27.14 dB,這樣顯著的差別足以區(qū)分兩種缺陷類型.即|S31|很大時說明缺陷為先短路后開路,反之則為先開路后短路.

        圖5 短路開路缺陷同時出現(xiàn)時的| S31|曲線Fig.5 | S31| of TGV when the open defect and short defect appear at the same time

        O33-S24-34和O34-S23-33的|S31|在0~20 GHz內差別明顯,是因為當出現(xiàn)O33-S24-34型缺陷時,因端口1的輸入信號在到達第3個TGV時就遇到了開路,大部分信號將返回端口1,而耦合到端口3的很少,因此其|S11|(圖4(a)中帶數(shù)據(jù)標志的曲線)較大而|S31|很小.而當出現(xiàn)O34-S23-33型缺陷時,傳輸通道從第3個TGV處錯接到相鄰信號通道,而第4個TGV開路導致信號無法傳輸?shù)蕉丝?.這樣,端口1的輸入信號一部分反射回來,一部分傳輸?shù)蕉丝?和端口4.因此,其|S21|很小,而|S31|很大.

        綜上,根據(jù)|S21|和|S31|曲線的特點,當|S21|在0~20 GHz整個范圍內都顯著低于無缺陷時,可得知出現(xiàn)了O33-S24-34或O34-S23-33型缺陷.若此時其|S31|也非常小,則可判斷出缺陷類型為先開路后短路,反之則為先短路后開路缺陷.

        3 TGV缺陷定位

        前文通過分析GSSG型TGV的S參數(shù),提取出判斷缺陷類型的方法.下面將分析短路和開路缺陷位置不同時TGV的電特性,并總結出缺陷定位方法.圖6 為短路點和開路點位置示意圖.其中,陰影過孔為開路點,從左到右依次記為開路點1-4.兩TGV間用矩形框連接表示該點為短路點,從左到右依次為短路點1-4.

        圖6 短路點與開路點位置示意圖Fig.6 Schematic diagram of short defect points and open defect points

        圖7(a)和圖7(b)展示了短路點出現(xiàn)在不同位置時TGV的|S11|和|S31|.圖7(a)中,短路點離輸入端越遠,|S11|越小.例如,在20 GHz處,短路點1-4的|S11|分別為-7.41 dB,-8.17 dB,-9.31 dB和 -10.82 dB.圖7(b)中4條曲線與圖7(a)的有相似的規(guī)律,即隨著短路點離輸入端口越來越遠,|S31|越來越小,只是同一個短路點對應的|S11|略大于|S31|.這是因為短路點離輸入端口1越遠,信號反射回端口1和經(jīng)過短路缺陷傳輸?shù)蕉丝?所需經(jīng)過的TGV個數(shù)就越多,過孔和金屬互連線的電阻和電感效應帶來的導體損耗就越大,傳輸?shù)竭@兩個端口的信號就越弱.同時,信號由輸入端口1到達端口3的路徑,總是比返回端口1多了一段短路缺陷路徑,因此信號到達端口3的損耗稍多于到達端口1的,所以|S11|總是略大于|S31|.根據(jù)|S11|和|S31|隨短路點變化規(guī)律,可以判斷缺陷出現(xiàn)位置.|S11|,|S31|越大,則短路點離輸入端越近.

        圖7 |S11|和|S31|隨短路點、開路點位置的變化Fig.7 |S11| and |S31| of TGV for different location of short defect or open defect

        圖7(c)和圖7(d)展示了開路點分別出現(xiàn)在不同位置時TGV的|S11|和|S31|.可以看出,開路點離輸入端越遠,|S11|越小而|S31|越大.例如,在20 GHz處,開路點1-4的|S11|分別為-0.63 dB,-1.25 dB,-2.08 dB和-2.66 dB,而|S31|分別為-32.44 dB,-26.66 dB,-23.93 dB和-23.13 dB.這是因為開路點導致傳輸?shù)蕉丝?的通路斷開,大部分信號經(jīng)過原路徑返回端口1,少部分耦合到端口3.開路點離端口1越近,信號反射回端口1所需經(jīng)過的TGV越少,相應的導體損耗就越小,傳輸回端口1的信號就越強.與此同時,因耦合到端口3所經(jīng)過的TGV個數(shù)越少,耦合效應越弱,|S31|就越小.根據(jù)|S11|和|S31|隨開路點變化規(guī)律,可以判斷缺陷出現(xiàn)位置.|S11|越大而|S31|越小,則開路點離輸入端越近.

        4 結 論

        本文詳細分析了分別出現(xiàn)開路、信號線間短路、對地短路以及短路開路同時出現(xiàn)時GSSG型TGV的頻域傳輸特性,提煉出缺陷判斷方法.

        當|S11|很大而|S21|較小、|S21|-|S11|結果較大且始終在0 dB 之下時,說明傳輸通道出現(xiàn)了開路缺陷;當|S11|略大于無缺陷時的結果,|S31|或|S41| 值非常大,且|S21|-|S11|很小,保持在0 dB 附近,則為信號線間短路缺陷.若|S21|-|S11| 跨0 dB,且隨頻率變化較快,則出現(xiàn)了對地短路缺陷.此外,如果|S21|在0-20 GHz顯著低于無缺陷時的結果(例如低30 dB以上),且其隨頻率變化緩慢,則可能出現(xiàn)了短路、開路同時存在的缺陷,此時如果|S31|非常大,則說明傳輸通道先遇到短路點,后遇到開路點.反之,如果|S31| 較小,則傳輸通道先遇到開路點,后遇到短路點.文章最后討論了開路點和短路點位置的判斷方法,得知,|S11|和|S31|值越大,則開路缺陷離輸入端口越近;|S11|越大而|S31|越小,則短路缺陷離輸入端口越近.

        本文提煉的無損缺陷判斷及定位方法,為TGV缺陷檢測提供重要參考,有利于推動TGV產(chǎn)品收率的提升.

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