Vishay推出業(yè)內(nèi)最低RS-S（ON）60V共漏極器件
2019-02-22 12:22:10
中國(guó)電子報(bào) 2019年89期
本報(bào)訊 12月11日，Vishay Intertech-nology宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60V MOSFET——iSF20DN。
Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S（ON）的60V共漏極器件，專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器，DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。
日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S（ON）典型值低至10mW，是3mm×3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%。從而降低電源通道壓降，減小功耗，提高效率為提高功率密度，SiSF2VDN的RS1S2（ON）面積乘積低于排名第二的替代MOSFET46.6%，甚至包括6mm×5mm較大封裝解決方案。
為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個(gè)單片集成TrenchFET第四代N溝道MOS-FET采用共漏極配置。
SiSF20DN源極觸點(diǎn)并排排列，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率。這種設(shè)計(jì)使MOSFET適合用于24V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開(kāi)關(guān)，包括工廠自動(dòng)化、電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、白色家電、機(jī)器人、安防/監(jiān)視和煙霧報(bào)警器。
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