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        基于DtN映射計算周期排列液晶柱的透射/反射光譜

        2015-12-06 07:50:30丹,胡
        重慶理工大學學報(自然科學) 2015年12期
        關鍵詞:光波透射率晶格

        蔣 丹,胡 真

        (河海大學理學院,南京 211100)

        光子晶體是一種具有周期性的新型人造材料[1],其最重要的性質(zhì)是存在光子帶隙[2]。頻率落在光子帶隙的光波不能在光子晶體中傳播,從而使得光子晶體具有控制光的能力,被用來設計和制造各種光子晶體元件,在量子信息、超小型激光器、非線性光學等領域發(fā)揮了重要作用。

        制造光子晶體的材料按性質(zhì)不同可分為各向同性和各向異性。各向同性材料的性質(zhì)不會隨外界因素變化而變化,由它們制造的光子晶體元件的性能是確定的,不具有可調(diào)控性。各向異性材料[3]不同于各向同性材料,其性質(zhì)受外界因素的影響會發(fā)生變化。例如,對各向異性材料施以電流或調(diào)整溫度等,會引起各向異性材料性質(zhì)的改變,從而引起由各向異性材料制造的光子晶體結(jié)構性能的改變。由此可以通過施加外界影響來實現(xiàn)對各向異性光子晶體元件的調(diào)控。

        液晶[4]是一種常用的各向異性材料,它的性質(zhì)隨外界條件如電場、溫度[5]的變化而變化。近年來,涌現(xiàn)出了大量基于液晶制作的各向異性光子晶體元件,如光調(diào)制器、具有記憶效應的元件等。

        在模擬和優(yōu)化設計各向異性光子晶體元件的過程中需要有效的數(shù)值方法。傳統(tǒng)的數(shù)值方法有各種局限性,比如:時域有限差分方法[6]需要很龐大的計算資源,且不容易算出高精度的結(jié)果;有限元方法[7]通常需要求解一個很大的方程組,不管是直接求解還是迭代求解都很繁瑣。

        Xie等在文獻[8]中提出:可以利用各向異性光子晶體單元晶格的DtN映射來分析各向異性光子晶體的帶隙結(jié)構。DtN映射把單元晶格邊界上的波動場映射成自己的法向?qū)?shù)。在實際計算中,可以用一個矩陣來近似,這樣就避免了計算單元晶格內(nèi)部的波動場,大大減少了計算量。

        本文將利用各向異性光子晶體單元晶格的DtN映射來計算周期排列的液晶柱的透射/反射光譜。這是一個邊界值問題,通過利用合適的邊界條件截取較小的計算區(qū)域,再利用DtN映射進一步減少未知數(shù)個數(shù),最終得到一個較小的線性方程組并進行求解。這種方法可用于模擬更多的各向異性光子晶體元件。

        1 控制方程

        本文研究的是光波在周期排列液晶柱上的透射/反射問題。如圖1所示,整個結(jié)構是由液晶柱按照正方形晶格排列而成。其中,圓表示周期排列的液晶柱在xy平面上的橫截面,整個結(jié)構在z方向上沒有變化,光波從右側(cè)射入,從左側(cè)射出,共穿過m層液晶柱。

        圖1 m層周期排列的液晶柱

        線性電磁波(光波)在非導電、非磁性、無電流、無電荷的各向異性介質(zhì)中傳播,滿足麥克斯韋方程組,考慮時間諧波,對于各向異性的光子晶體,相對電容率可表示成矩陣假設z軸是各向異性介質(zhì)的一根主軸,相對電容率可寫成:

        另外,由于圖1所示的整個結(jié)構在z方向上沒有發(fā)生變化,此時控制方程可表示為:

        E偏振模式下的控制方程(2)和各項同性介質(zhì)的控制方程一致,在文獻[9]中已有研究。因此,本文只考慮H的偏振情形,控制方程為方程(3)。

        2 線性方程組的建立

        2.1 邊界條件

        為了得到較小的計算區(qū)域,需要合適的邊界條件。圖1中實線段圍成區(qū)域表示結(jié)構中的一個周期,也是截取的計算區(qū)域。其中:左側(cè)邊界上y=0,在y<0區(qū)域中材料的折射率為n1;右側(cè)邊界上y=mL,L為晶格常數(shù),在y>mL區(qū)域中材料的折射率為n2。

        假設光波從y=mL的右側(cè)區(qū)域射入,入射波u(i)和 y軸的夾角是 θ0,可表示為u(i)(x,y)=ei[α0x-β0(y-mL)],其中:α0=k0n2sin(θ0),β0=k0n2·cos(θ0)。

        反射波u(r)在y>mL區(qū)域可表示為

        傳輸波u(t)在y<0區(qū)域可表示為

        在如圖1所示的計算區(qū)域外部的4條邊界上(實線段),邊界條件的建立過程與文獻[9]類似。

        在左側(cè)邊界(y=0)上,v0,u為控制方程(3)的解,定義算子,使得±2,… ,從而得到邊界條件如下:

        在右側(cè)邊界(y=mL)上,u=u(i)+u(r)。定義算子 s0,使得:s0eiαjx= βjeiαjx,j=0,± 1,± 2,…,從而得到邊界條件:

        在上側(cè)邊界(x=L)和下側(cè)邊界(x=0)處,利用結(jié)構的周期性,可以得到邊界條件:

        其中ρ=eiα0L。

        2.2 各向異性光子晶體單元晶格的Dirichlet-to-Neumann映射

        圖1計算區(qū)域中的每一個小正方形表示一個單元晶格,半徑是a的液晶柱位于正方形中間,正方形邊長為L。L也是2個相鄰液晶柱中心點之間的距離。

        各向異性光子晶體單元晶格的DtN算子的構造過程在文獻[8]中已有提及。主要構造過程為:首先對電容率矩陣的子矩陣作對角化,然后旋轉(zhuǎn)、拉伸坐標系,方程(5)可轉(zhuǎn)化為標準的Helmholtz方程:

        這樣,方程(3)的通解為

        其中:

        這里:n0是液晶柱以外的材料的折射率;是待定系數(shù)。利用Hz和電場的切向分量在邊界面r=a處連續(xù),再利用適當?shù)腇ourier展開,可以得到。令u=Hz,Γ為單元晶格Ω

        DtN映射Λ將單元晶格邊界上的波動場映射成其法向?qū)?shù),一旦在單元晶格Ω的邊界Γ的每條邊上離散N個點,DtN映射Λ就可用4N×4N階矩陣近似。

        2.3 線性方程組的建立

        在圖1所示的計算區(qū)域中,利用各向異性光子晶體單元晶格的DtN算子Λ避免了對單元晶格內(nèi)部的計算,只需計算單元晶格邊上的波動場。單元晶格的邊分為2類:一類位于計算區(qū)域的內(nèi)部(虛線段);另一類位于計算區(qū)域的邊界上(實線段)。對計算區(qū)域內(nèi)部單元晶格的邊,可用DtN映射建立起關于波動場的方程;對邊界上單元晶格的邊,可用DtN映射和邊界條件建立起關于波動場的方程。

        以v1所在的邊為例來說明如何對內(nèi)部邊(虛線段)建立方程。由于這條邊屬于單元晶格Ω1,Ω1的 DtN 映射可表示為:Λ[v0,u01,v1,u11]T=把Λ分為4×4分塊矩陣,得到v1法向?qū)?shù)的表達式:

        其中u01,v0,u11,v1分別表示 Ω1的上、左、下、右4條邊上的波動場。另外,v1所在的邊還屬于單元晶格Ω2,從而又能利用Ω2的DtN映射得到v1法向?qū)?shù)的一個表達式,而且由于Ω1和Ω2為相同的單元晶格,它們的DtN映射是完全一樣的,有的邊界,從u|Γ和?vu|Γ中消去未知系數(shù)cm可以得到DtN映射Λ:

        其中u02,v1,u12,v2分別表示 Ω2的上、左、下、右 4條邊上的波動場。由式(12)、(13)可得到方程:

        類似地,在計算域內(nèi)部單元晶格的每條邊上(虛線段)都可以建立類似式(14)的方程。

        以v0所在的邊為例來說明如何對邊界上單元晶格的邊(實線段)建立方程,在左側(cè)邊界(y=0)上,由于這條邊位于單元晶格Ω1內(nèi),利用Ω1的DtN算子Λ,v0的法向?qū)?shù)可表示為

        聯(lián)立式(6)表示的邊界條件得到方程:

        類似地,對邊界上單元晶格的每條邊上都可建立類似式(16)的方程。最終,可以得到一個線性方程組:

        若單元晶格每條邊離散N個點,則系數(shù)矩陣A的大小為(3m+1)N×(3m+1)N。

        從Ax=b中解出v0和vm(v0是y=0處的波動場,vm是y=mL處的波動場),利用式(4)、(5)分別求出R0和T0,從而得到透射/反射率。

        3 數(shù)值算例

        當z軸為主軸,各向異性液晶的電容率矩陣可寫成矩陣(1),此時液晶是單軸介質(zhì)。矩陣(1)有3個特征值,其中2個相等特征值與平凡折射率no有關,另一個不等的特征值與非凡折射率ne有關,液晶的光軸和x軸的夾角用φ表示,則矩陣(1)中的元素可表示為:

        為了驗證算法的有效性,分別考慮真空中呈周期排列的液晶柱的透射/反射光譜和液晶填充的多孔板的透射/反射光譜2種情況。

        首先,模擬光波在真空中呈周期排列的液晶柱中的傳播狀況。結(jié)構如圖1所示,圓形表示周期排列的液晶柱,圓外是真空。真空中折射率n0=1;y<0處的折射率n1=1;y>mL處的折射率n2=1。光波從右側(cè)射入。參數(shù)的選擇和文獻[8]一致,層數(shù) m=16,半徑 a=0.3L,ne=2.223,no=1.590,單元晶格每條邊上離散的點數(shù)取N=15,光軸與x軸的夾角為,算出透射/反射光譜如

        圖2(a)、(b)所示。

        為了模擬外界因素的變化對光子晶體元件的影響,其他參數(shù)保持不變,通過調(diào)整光軸與x軸的夾角 φ,取,算出透射/反射光譜,如圖2(c)、(d)所示。觀察對比透射光譜圖2(a)和(c),發(fā)現(xiàn)光的傳播情況在0.4附近有明顯變化,表現(xiàn)在某些頻率的光波由不能在各向異性光子晶體中傳播變成可以傳播。比如頻率為0.391 80的光波,當時,透射率為0.006 6;當時,透射率為0.990 1。而頻率為0.392 75的光波,當時,透射率為0.005 7;當時,透射率為0.991 5。

        第2個數(shù)值算例是模擬光波在液晶填充的多孔板中的傳播狀況。結(jié)構如圖1所示,圓形表示用液晶填充的空氣洞,圓外是硅板。硅板的折射率n0=3.4;y<0處的折射率n1=1;y>mL處的折射率n2=1。光波從右側(cè)射入。層數(shù)m=16,半徑a=0.4L,L為晶格常數(shù),ne=1.707 2,no=1.529 2,,在單元晶格的每條邊上離散19個點,得到透射/反射光譜如圖3(a)、(b)所示。

        為了模擬外界因素的變化對光子晶體元件的影響,通過調(diào)整光軸與x軸的夾角φ,取,計算出透射/反射光譜,如圖3(c)、(d)所示,觀察對比透射光譜圖3(a)和(c),發(fā)現(xiàn)光的傳播情況在0.24附近透射率有較大變化,表現(xiàn)在某些頻率的波由可以在各向異性光子晶體中傳播變成不能傳播。比如頻率為0.239 80的光波,當時的透射率為0.992 7時的透射率僅為0.000 2;而頻率為0.242 45的光波,當時的透射率為0.990 7,而當時的透射率僅為0.003 1。也就是說,施加外界因素影響可以調(diào)控特定頻率光波的傳播情況,使得光波在某些條件下可以傳播,在某些條件下不能傳播。

        圖2 φ=和φ=時真空中呈周期排列液晶柱的透射/反射光譜

        圖3 φ=和φ=時液晶填充的多孔板的透射/反射光譜

        4 結(jié)束語

        本文主要研究基于各向異性光子晶體單元晶格的Dirichlet-to-Neumann(DtN)映射,發(fā)展了一種能有效分析周期排列液晶柱的透射/反射光譜的數(shù)值方法。通過利用DtN算子避免了晶格內(nèi)部的計算,這樣只需計算晶格邊界上的波動場,使得未知數(shù)的數(shù)量大大減少。因此,這是一種快速高效的數(shù)值算法,可推廣用于模擬各種各向異性光子晶體元件,并進一步用于其優(yōu)化設計。

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