韓 亮 楊 立 楊拉毛草 王炎武 趙玉清

1)(西安交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，西安 710049)2)(西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院，西安 710071)(2009年10月17日收到;2010年7月13日收到修改稿)

磁過(guò)濾器電流對(duì)非晶碳薄膜摩擦學(xué)特性影響的研究*

韓 亮1)2)楊 立1)楊拉毛草1)王炎武1)趙玉清1)

1)(西安交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院，西安 710049)2)(西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院，西安 710071)(2009年10月17日收到;2010年7月13日收到修改稿)

研究了過(guò)濾陰極真空電弧技術(shù)中，不同的磁過(guò)濾器電流下(5—13 A)，制備的四面體非晶碳(ta-C)薄膜對(duì)摩擦學(xué)特性的影響.通過(guò)對(duì)薄膜厚度，薄膜結(jié)構(gòu)以及薄膜表面粗糙度隨磁過(guò)濾電流的變化結(jié)果進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明，隨著磁過(guò)濾器電流的增大，薄膜的sp3鍵含量逐漸減少，表面粗糙度從0.13增大到0.38.磁過(guò)濾器電流在5 A時(shí)，薄膜的摩擦系數(shù)最小約為0.08，當(dāng)電流增大到7 A時(shí)，摩擦系數(shù)顯著增大，磁過(guò)濾器電流從7 A增大到13 A時(shí)，薄膜的摩擦系數(shù)再次減小約為0.1.

四面體非晶碳，過(guò)濾陰極真空電弧，磁過(guò)濾器電流，摩擦系數(shù)

PACS:68.55.－ a，62.20.Qp

1.引 言

1991年McKenzie等首次應(yīng)用過(guò)濾陰極真空電弧沉積技術(shù)制備了具有四面體結(jié)構(gòu)的無(wú)序非晶碳膜［1］，并于1996年提出將sp3鍵含量超過(guò)70%的無(wú)氫非晶碳膜定義為四面體非晶碳(ta-C)膜，以區(qū)別于類(lèi)金剛石膜DLC［2］，從而引起各國(guó)科學(xué)家高度重視.國(guó)內(nèi)外大量研究表明，高的sp3鍵含量使得非晶四面體碳膜具有較好的力學(xué)特性［3，4］，非常接近于天然金剛石，具有廣泛的應(yīng)用前景.

四面體非晶碳膜具有超高硬度和良好的摩擦學(xué)特性［5］.可以用于機(jī)械和航天航空等領(lǐng)域中的運(yùn)動(dòng)部件，解決其減小摩擦、磨損、耐腐蝕和延長(zhǎng)壽命等問(wèn)題，它的推廣應(yīng)用，將產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)效益.Anderss等［6］的研究表明測(cè)試環(huán)境對(duì)四面體非晶碳膜的摩擦學(xué)特性有較大影響.Yu等［7］研究了沉積在不同基底上的四面體非晶碳膜的摩擦學(xué)特性也有較大不同.Sheeja等［8］研究了不同偏壓下四面體非晶碳膜摩擦系數(shù)，結(jié)果表明隨著基片偏壓的增大略有降低，但是磨損率會(huì)顯著增大.

目前關(guān)于離子沉積能量與ta-C薄膜結(jié)構(gòu)的關(guān)系研究很多［9—12］，但有關(guān)磁過(guò)濾電流對(duì) ta-C薄膜結(jié)構(gòu)，以及摩擦學(xué)特性的影響研究還很少.本文采用S形彎管磁過(guò)濾陰極技術(shù)，制備了四面體非晶碳膜，并通過(guò)改變磁過(guò)濾電流，研究磁過(guò)濾電流對(duì)ta-C薄膜sp3含量、以及表面平整度的影響，從而研究其摩擦學(xué)特性，有關(guān)研究結(jié)果目前還未見(jiàn)到相同的報(bào)道.

本文研究結(jié)果證明，隨著磁過(guò)濾電流的改變，會(huì)對(duì)薄膜中sp3鍵含量、表面粗糙度，以及摩擦學(xué)特性產(chǎn)生較大的影響.因此，優(yōu)化和穩(wěn)定磁過(guò)濾器的電流，將會(huì)大大提高ta-C薄膜的特性，使薄膜具有穩(wěn)定的、良好的摩擦學(xué)特性，從而應(yīng)用于工業(yè)產(chǎn)品中.

2.實(shí) 驗(yàn)

2.1.ta-C薄膜制備

利用過(guò)濾陰極真空電弧技術(shù)制備ta-C薄膜，陰極采用純度為99.99%的石墨，磁過(guò)濾器采用S形彎管，基片材料為單晶硅單面拋光片.試驗(yàn)前，基片使用無(wú)水乙醇和丙酮進(jìn)行超聲清洗各15 min，吹干后放入真空室，沉積前，待真空室的本底氣壓降至10－3Pa數(shù)量級(jí)，首先利用氬離子轟擊基片表面，除去基片表面的氧化層處理時(shí)間約15 min，處理完后，沉積ta-C薄膜，此時(shí)設(shè)置電弧電流90 A，基片施加200 V的直流脈沖偏壓.改變磁過(guò)濾器的電流參數(shù)依次為 5，7，9，11，13 A，制備不同的樣品.

2.2.測(cè)試方法

摩擦系數(shù)采用WTM-2E微型摩擦磨損試驗(yàn)儀測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)包括實(shí)時(shí)摩擦系數(shù)、平均摩擦系數(shù)，儀器為球-盤(pán)式，對(duì)偶摩擦材料為直徑 4 mm的GCr15鋼球，測(cè)試載荷為2 N，轉(zhuǎn)速為 800 r/min，旋轉(zhuǎn)半徑為4 mm，當(dāng)薄膜失效時(shí)，摩擦系數(shù)會(huì)發(fā)生突變.利用 α-step臺(tái)階儀測(cè)定樣品的薄膜厚度，利用agilent5500接觸式原子力顯微鏡觀察薄膜的表面形貌.利用 Jobin Yvon Raman光譜儀分析 ta-C膜結(jié)構(gòu)，波長(zhǎng)514 nm，激光輸入功率20 mW，采樣時(shí)間180 s.

3.實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

3.1.厚度測(cè)試

在磁過(guò)濾器電流分別為 5，7，9，11，13 A 時(shí)，制備薄膜厚度相同的五個(gè)樣品，用臺(tái)階儀測(cè)試樣品的膜厚均為100 nm.隨著磁過(guò)濾器電流的增加，沉積薄膜達(dá)到樣品厚度的時(shí)間縮短，說(shuō)明薄膜沉積率在增大，主要原因是，在磁過(guò)濾器電流增大時(shí)，過(guò)濾器出口的離子數(shù)量隨著電流增加而增多，離子流明顯的增大，從觀察窗可以明顯看到，在13 A時(shí)，濾質(zhì)器出口的離子束流亮度最高.

3.2.樣品結(jié)構(gòu)表征

拉曼光譜通常被用來(lái)間接表征四面體非晶碳(ta-C)膜的結(jié)構(gòu)，測(cè)得在不同磁過(guò)濾電流時(shí)沉積的ta-C薄膜的拉曼光譜如圖1所示.

圖1 不同磁過(guò)濾器電流沉積ta-C的拉曼光譜

圖2 耦合系數(shù)Q隨磁過(guò)濾器電流變化

由圖1可以看出，所有薄膜光譜在1300—1700 cm－1的范圍內(nèi)均呈現(xiàn)一個(gè)大致以1560 cm－1為中心的非對(duì)稱(chēng)寬峰，在1300—1400 cm－1之間看不到反映環(huán)形sp2場(chǎng)伸縮的D峰峰肩，這是典型的非晶四面體碳的拉曼光譜圖.Prawer等發(fā)現(xiàn)非對(duì)稱(chēng)寬峰的傾斜程度可以來(lái)表征薄膜中sp2和sp3的雜化比例，拉曼光譜可以利用一個(gè)非對(duì)稱(chēng)的單斜BWF函數(shù)曲線進(jìn)行擬合［13］.BWF函數(shù)的耦合系數(shù) Q可以用來(lái)表征寬峰的傾斜程度.當(dāng)Q－1趨近零時(shí)，恢復(fù)對(duì)稱(chēng)的洛倫茲線型，此時(shí) sp3含量最高.耦合系數(shù) Q和與sp2鍵含量之間的準(zhǔn)確函數(shù)關(guān)系并沒(méi)有被建立，但是已有研究表明，如果耦合系數(shù)小于－20，那么薄膜的 sp3鍵含量將大于 80%［13］.如同 Zhang［14］文中的擬合，一個(gè)BWF線型就可以滿足圖1中各譜線的擬合.圖2可見(jiàn)，磁過(guò)濾器電流為5 A時(shí)，耦合系數(shù)最小，說(shuō)明此時(shí)薄膜sp3鍵含量最高.隨著磁過(guò)濾器電流的增大，薄膜中sp3鍵含量逐漸下降，這或許是因?yàn)樵龃蟠胚^(guò)濾器電流相應(yīng)也增大了薄膜的沉積率［15］，薄膜沉積過(guò)程中的熱會(huì)導(dǎo)致薄膜的應(yīng)力釋放，減小薄膜中 sp3鍵的含量［16］.

3.3.樣品表面形貌

圖3是利用原子力顯微鏡觀察的ta-C膜的表面形貌.圖3(a)—(e)分別為取了磁過(guò)濾器電流為5—13 A時(shí)沉積的薄膜作為觀察對(duì)象，觀察區(qū)域均為 1 μm ×1 μm.從圖 3中可以看出，磁過(guò)濾器電流從5 A增大到13 A時(shí)，薄膜的表面變得粗糙，表面粗糙度 RMS值從0.13增大到0.38;這是因?yàn)殡S著磁過(guò)濾器電流的增大，質(zhì)量較大的粒子也可以通過(guò)，出現(xiàn)非單個(gè)碳原子的離子，因此造成薄膜中的sp3鍵含量減少，且增大了薄膜表面的粗糙度［17］.

圖3 不同磁過(guò)濾器電流沉積ta-C的AFM表面形貌圖 (a)—(e)磁過(guò)濾器電流分別為5，7，9，11，13 A

3.4.摩擦系數(shù)

圖4 不同磁過(guò)濾器電流下制備樣品的摩擦系數(shù)

各樣品摩擦系數(shù)的測(cè)量在常規(guī)實(shí)驗(yàn)室的環(huán)境下進(jìn)行，測(cè)試圈數(shù)為20000圈(0.502 km)，測(cè)試結(jié)果如圖4所示.從圖4曲線中可看出，薄膜在測(cè)試中均未發(fā)生失效，說(shuō)明所沉積的薄膜的耐磨性相當(dāng)優(yōu)異.在所測(cè)試的樣品中，磁過(guò)濾器電流為5 A時(shí)，摩擦系數(shù)較小，這是因?yàn)榇藭r(shí)薄膜的 sp3鍵含量最高，薄膜表面最光滑平整，且整體硬度大.在摩擦測(cè)試中，薄膜對(duì)鋼球施加正向和切向力，摩擦的初期，由于薄膜的高硬度，將鋼球表面的微突迅速拋光，接觸的表面極其光滑，因此摩擦系數(shù)很小約為0.08，隨著摩擦圈數(shù)的增加，鋼球的磨損會(huì)略微加劇，摩擦接觸表面積增加，這會(huì)增大摩擦系數(shù)［18］，但是此時(shí)由于薄膜表面在摩擦中的石墨化將會(huì)起到自潤(rùn)滑的作用［19，20］，因此摩擦系數(shù)仍然能保持很小.在磁過(guò)濾器電流為7 A時(shí)，由于表面較5 A時(shí)變得粗糙，因此對(duì)鋼球的磨損加劇，其摩擦接觸表面積快速增大，而在此時(shí)薄膜仍然具有較高的sp3鍵含量，表面石墨化的速率較慢，因此此時(shí)摩擦系數(shù)比較大，但是仍然保持在0.2左右.隨著磁過(guò)濾器電流的增大，薄膜的表面變得更加粗糙，但是薄膜中 sp3鍵含量減少，sp2鍵含量增多，因?qū)︿撉蚰p速率減小，同時(shí)石墨化加快，因此自潤(rùn)滑效果增強(qiáng)，摩擦系數(shù)又逐漸變小.因此，選擇合適的磁過(guò)濾器電流對(duì)沉積的薄膜獲得良好的摩擦學(xué)性能十分重要.

4.結(jié) 論

本文通過(guò)對(duì)ta-C薄膜厚度，薄膜結(jié)構(gòu)以及薄膜表面粗糙度的測(cè)試，研究了過(guò)濾陰極真空電弧技術(shù)中，不同的磁過(guò)濾器電流下，制備的四面體非晶碳薄膜的摩擦學(xué)特性.結(jié)果表明:

1.不同的磁過(guò)濾器電流使薄膜的sp3鍵含量不同、表面粗糙度不同，這將影響薄膜的摩擦系數(shù);

2.當(dāng)磁過(guò)濾器電流不同時(shí)，摩擦系數(shù)有明顯差別，在5 A時(shí)，薄膜的摩擦系數(shù)最小約為0.08，當(dāng)電流增大到7 A時(shí)，摩擦系數(shù)顯著增大，磁過(guò)濾器電流從7 A增大到13 A時(shí)，薄膜的摩擦系數(shù)再次減小到約0.1，說(shuō)明，由于磁過(guò)濾電流變化引起的薄膜結(jié)構(gòu)變化，對(duì)薄膜的摩擦學(xué)特性有較大影響.

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PACS:68.55.－ a，62.20.Qp

Effect of magnetic filtering coil current on the tribology property of tetrahedral amorphous carbon films*

Han Liang1)2)Yang Li1)Yang Lamaocao1)Wang Yan-Wu1)Zhao Yu-Qing1)
1)(School of Electronic and Information Engineering，Xi'an JiaoTong University，Xi'an 710049，China)2)(School of Technical Physics，Xidian University，Xi'an 710071，China)(Received 17 October 2009;revised manuscript received 13 July 2010)

Tetrahedral amorphous carbon(ta-C)films are deposited on single crystalline silicon with filtered cathodic vacuum arc by changing the magnetic filtering coil current from 5 A to 13 A.Visible Raman measurements show that the content of the sp3hybridization decreases with magnetic filtering coil current increasing，and it deereased down to a minimum value as the coil currew increases up to 13 A.The surface morphology is investigated by atomic force microscope(AFM)，and the surface roughness(RMS)of the film increases with the current of magnetic filtering coil increasing from 0.13 to 0.38，The friction test indicates that the minimum of friction coefficient is about 0.08 when the magnetic filtering coil current is 5 A.The friction coefficient increases when the magnetic filtering coil current is 7A.But the friction coefficient decreases again down to 0.1 with magnetic filtering coil current inereasing from 7 A to 13 A.

tetrahedral amorphous carbon， filtered cathodic vacuum arc， magnetic filtering coil current， friction coefficient

*陜西省“13115”科技創(chuàng)新工程重大科技專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2009ZDKG-29)資助的課題.

E-mail:hlsdy@163.com

*Project supported by the Key Program of“13115”Science and Technology Originality Innovation Project of Shaanxi Province，China(Grant No.2009ZDKG-29).

E-mail:hlsdy@163.com